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기판상에 희생층을 형성하고, 상기 희생층의 상부에 확산 장벽 절연막층을 포함하는 태양전지 구조체를 형성하는 단계;상기 태양전지 구조체상에 지지막을 형성하는 단계;상기 희생층을 선택적으로 식각하여 상기 기판으로부터 상부에 지지막이 형성되어 있는 태양전지 구조체를 분리하는 단계; 및상기 상부에 지지막이 형성되어 있는 태양전지 구조체의 확산 장벽 절연막층을 이종 연성 호스트 기판에 접합시킨 후, 상기 지지막을 제거하는 단계;를 포함하고,상기 희생층은 알루미늄이 함유된 AlXGa1-XAs 3원소 화합물(0
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제 1 항에 있어서,상기 태양전지 구조체는 상기 확산 장벽 절연막층상에 하부 전극용 몰리브덴층, CIGS(Cu(In, Ga, Al)(Se, S)) 흡수층, CdS 버퍼층, 도핑되지 않은 ZnO 윈도우층, n-형으로 도핑된 ZnO 윈도우층, 무반사층 및 상부전극용 니켈 및 알루미늄층 순으로 적층된 것을 특징으로 하는 고효율 연성 캘코파이럿계 화합물 반도체 박막태양전지의 제조 방법
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제 2 항에 있어서,상기 CIGS(Cu(In, Ga, Al)(Se, S)) 흡수층은 1
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제 1 항에 있어서,상기 확산 장벽 절연막층의 두께는 150 ~ 1000 ㎚인 것을 특징으로 하는 고효율 연성 캘코파이럿계 화합물 반도체 박막태양전지의 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 확산 장벽 절연막층은 온도가 300 K ~ 1000 K에서 열팽창계수가 5
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제 1 항에 있어서,상기 지지층의 두께는 1 ~ 10 ㎛인 것을 특징으로 하는 고효율 연성 캘코파이럿계 화합물 반도체 박막태양전지의 제조 방법
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2원소 화합물 반도체 GaAs로 이루어지는 두께 150 ~ 1000 ㎚의 박막층으로 이루어지는 확산 장벽 절연막층;상기 확산 장벽 절연막층상에 증착된 하부 전극용 몰리브덴층;상기 몰리브덴층상에 증착된 1
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