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투광성 기판;상기 투광성 기판 상에 배치된 제1 도전형 반도체층;상기 제1 도전형 반도체층 상에 상기 제1 도전형 반도체층의 일부가 노출되도록 순차 배치된 활성층 및 제2 도전형 반도체층;상기 제1 도전형 반도체층의 노출된 부분 및 상기 제2 도전형 반도체층 상에 각각 배치된 제1 전극 및 제2 전극; 및상기 제2 전극 상에 상기 제2 전극의 일부가 노출되도록 콘택홀이 형성되고, 상기 투광성 기판에 수직 또는 수평한 자화 방향을 갖는 자성층을 포함하고,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극으로 직접 주입되는 전류에 의해 상기 활성층에서 방출되는 광이 상기 투광성 기판을 통해 출사되는 플립칩형 발광소자
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제1항에 있어서,상기 자성층은 Co, Fe, Ni, Nd 및 이들의 2 이상의 합금 중에서 중 적어도 어느 하나의 강자성 물질을 포함하는 것인 플립칩형 발광소자
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제1항에 있어서,상기 제2 전극은 반사형 오믹 전극인 플립칩형 발광소자
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제5항에 있어서,상기 반사형 오믹 전극은 Ag, Al, Rh 및 이들의 2 이상의 합금 중 적어도 하나의 금속을 포함하는 플립칩형 발광소자
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제1항에 있어서,상기 제1 및 제2 전극은 각각 제1 및 제2 도전성 범프에 의해 서브마운트 기판에 전기적으로 접속되는 플립칩형 발광소자
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제1항에 있어서,상기 제1 도전형 반도체층 및 상기 제2 도전형 반도체층 중 적어도 하나는 자성 물질을 포함하는 플립칩형 발광소자
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제8항에 있어서,상기 자성 물질은 상기 기판에 수직 또는 수평한 자화 방향을 갖는 플립칩형 발광소자
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투광성 기판 상에 제1 도전형 반도체층을 형성하는 단계;상기 제1 도전형 반도체층 상에 상기 제1 도전형 반도체층의 일부가 노출되도록 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 순차 형성하는 단계;상기 제1 도전형 반도체층의 노출된 부분 및 상기 제2 도전형 반도체층 상에 각각 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 단계; 및상기 제2 전극 상에 상기 제2 전극의 상면을 덮도록 자성박막을 증착한 후, 상기 자성박막에 콘택홀을 형성하고, 상기 투광성 기판에 수직 또는 수평한 방향으로 외부 자기장을 인가하여 자화 열처리하는 자성층을 형성하는 단계를 포함하는 플립칩형 발광소자 제조방법
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제10항에 있어서,상기 콘택홀 형성은 습식 식각에 의해 수행하는 플립칩형 발광소자 제조방법
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제10항에 있어서,상기 제1 도전형 반도체층 및 상기 제2 도전형 반도체층 중 적어도 한 층을 형성하는 단계에서 자성 물질을 첨가하는 단계를 더 포함하는 플립칩형 발광소자 제조방법
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