맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

단일 집적화된 증가 및 공핍 모드 (ｐ-)ＨＥＭＴ 소자의구조 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015174345
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 단일 집적화된 증가 및 공핍 모드 (p-)HEMT 소자의 구조 및 그 제조 방법에 대해 개시한다. 본 발명에 실시예에 따른 단일 집적화된 증가 및 공핍 모드 (p-)HEMT 소자의 구조는 반절연 화합물 반도체기판 상부에 불순물이 도핑되지 않은 채널층과, 채널층 상부에 불순물이 도핑된 장벽층과, 장벽층 상부에 서로 이격되게 형성된 증가 모드 및 공핍 모드 (p-)HEMT의 소오스/드레인 오믹층과, 소오스/드레인 오믹층과 접촉되게 형성된 소오스/드레인 전극과, 소오스/드레인 오믹층 사이에서 장벽층이 노출된 공간에 형성된 증가 모드 및 공핍 모드 (p-)HEMT의 게이트 전극과, 증가 모드 (p-)HEMT의 게이트 전극 하부에 대응하는 장벽층내에 수소 이온이 주입된 불순물 농도 감소영역으로 이루어진다. 본 발명은 증가 모드 (p-)HEMT의 게이트 전극 하부의 장벽층(불순물 농도 감소영역)에 수소 이온을 주입하고 열처리를 실시하여 장벽층내 불순물 농도를 조절할 수 있기 때문에 기존 증가 모드 (p-)HEMT의 장벽층의 두께를 식각해서 문턱전압을 조절하는 방식보다 용이하게 문턱 전압을 조절할 수 있어 소자 특성이 균일한 증가 모드 (p-)HEMT를 제작하고 결과적으로 수율이 높은 공핍 및 증가 모드의 (p-)HEMT로 이루어진 단일 집적회로를 제작할 수 있다.
Int. CL H01L 29/778 (2006.01)
CPC H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01)
출원번호/일자 1020020019905 (2002.04.12)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0426285-0000 (2004.03.26)
공개번호/일자 10-2003-0081596 (2003.10.22) 문서열기
공고번호/일자 (20040408) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.04.12)
심사청구항수 6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 송종인 대한민국 광주광역시북구
2 강인호 대한민국 광주광역시북구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))
2 김원준 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.04.12 수리 (Accepted) 1-1-2002-0109071-60
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.11.19 수리 (Accepted) 4-1-2003-5076055-97
3 등록결정서
Decision to grant		 2004.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0072003-35
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2004-0031183-30
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2007.08.08 수리 (Accepted) 1-1-2007-0574833-12
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

반절연 화합물 반도체기판 상부에 형성되며 불순물이 도핑되지 않은 채널층과, 상기 채널층 상부에 형성되며 불순물이 도핑된 장벽층과, 상기 장벽층 상부에 서로 이격되게 형성된 증가 모드 및 공핍 모드 (p-)HEMT의 소오스/드레인 오믹층과, 상기 소오스/드레인 오믹층과 접촉되게 형성된 증가 모드 및 공핍 모드 (p-)HEMT의 소오스/드레인 전극과, 상기 소오스/드레인 오믹층 사이에서 상기 장벽층이 노출된 공간에 형성된 증가 모드 및 공핍 모드 (p-)HEMT의 게이트 전극으로 이루어진 단일 집적화된 증가 모드 및 공핍 모드의 (p-)HEMT에 있어서,

상기 증가 모드 (p-)HEMT 소자의 게이트 전극 하부에 대응하는 상기 장벽층내에 수소 이온이 주입되어 불순물 농도가 조절된 불순물 농도 감소영역을 구비한 것을 특징으로 하는 단일 집적화된 증가 및 공핍 모드 (p-)HEMT 소자의 구조

2 2

반절연 화합물 반도체기판 상부에 불순물이 도핑되지 않은 채널층과 불순물이 도핑된 장벽층을 순차적으로 형성하는 단계;

상기 장벽층 상부에 서로 이격되게 증가 모드 및 공핍 모드 (p-)HEMT의 소오스/드레인 오믹층을 형성하는 단계;

상기 소오스/드레인 오믹층과 접촉되게 증가 모드 및 공핍 모드 (p-)HEMT의 소오스/드레인 전극을 형성하는 단계;

상기 소오스/드레인 오믹층 사이에 증가 모드 및 공핍 모드 (p-)HEMT의 장벽층을 노출시키는 단계;

상기 증가 모드 (p-)HEMT의 장벽전압을 조절하기 위한 공정을 수행하는 단계; 및

상기 증가 모드 및 공핍 모드 (p-)HEMT의 장벽층이 노출된 공간에 증가 모드 및 공핍 모드 (p-)HEMT용 게이트 전극을 형성하는 단계를 구비하는 증가 모드 및 공핍 모드의 (p-)HEMT들이 단일 집적화된 소자를 제조하는 방법에 있어서,

상기 증가 모드 (p-)HEMT의 장벽전압을 조절하기 위해 상기 증가 모드 (p-)HEMT 소자의 게이트 전극 하부에 대응하는 장벽층내에 수소 이온 주입 공정을 통하여 불순물 농도를 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 단일 집적화된 증가 및 공핍 모드 (p-)HEMT 소자의 제조 방법

3 3

제 2항에 있어서, 상기 불순물 농도 감소영역을 형성하는 단계에서 상기 증가 모드의 게이트 아래 부분을 제외한 영역에 수소 이온 주입을 방지하기 위한 마스크를 형성하는 것을 특징으로 하는 단일 집적화된 증가 및 공핍 모드 (p-)HEMT 소자의 제조 방법

4 4

제 2항에 있어서, 상기 불순물 농도 감소영역을 형성하는 단계에서 이온 주입기 또는 반응성 이온 식각(RIE) 장비를 사용하여 수소 이온을 주입하는 것을 특징으로 하는 단일 집적화된 증가 및 공핍 모드 (p-)HEMT 소자의 제조 방법

5 5

제 2항에 있어서, 상기 불순물 농도 감소영역을 형성하는 단계는 수소 이온을 주입한 후 열처리 공정을 실시하여 패시베이션되어 중성화된 불순물의 양을 조절하는 것을 특징으로 하는 단일 집적화된 증가 및 공핍 모드 (p-)HEMT 소자의 제조 방법

6 6

제 2항에 있어서, 상기 증가 모드 (p-)HEMT의 게이트 전극을 형성할 때 수소 이온 주입 방지를 위한 마스크를 이용하여 자기 정렬된 T형의 게이트 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 단일 집적화된 증가 및 공핍 모드 (p-)HEMT 소자의 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.