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자기터널접합 소자 및 그 제조방법과 자기터널접합 소자를 포함하는 전자소자

기술번호 : KST2015174352
담당센터 : 광주기술혁신센터
전화번호 : 062-360-4654

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	자기터널접합 소자 및 그 제조방법과 자기터널접합 소자를 포함하는 전자소자 및 그 제조방법에 관해 개시되어 있다. 핀드층과 자유층 중 적어도 한 층에 비정질의 수직 자기 이방성(Perpendicular Magnetic Anisotropy) 물질을 포함하는 다층(multilayer)이 구비된 수직 자기터널접합 소자가 개시되어 있다. 상기 핀드층은 순차적으로 적층된 적어도 한 쌍의 물질층을 포함할 수 있다. 상기 한 쌍의 물질층은 순차적으로 적층된 비정질 제1 희토류 전이금속(RE-TM)층과 비정질 제2 희토류 전이금속층일 수 있다.
Int. CL	H01F 41/30 (2006.01) G11B 5/39 (2006.01) H01F 10/32 (2006.01) H01L 43/08 (2006.01) H01L 27/22 (2006.01) H01L 43/12 (2006.01) G11C 11/15 (2006.01) H01F 10/13 (2006.01) B82Y 25/00 (2011.01)
CPC	G11C 11/15(2013.01) G11C 11/15(2013.01) G11C 11/15(2013.01) G11C 11/15(2013.01) G11C 11/15(2013.01) G11C 11/15(2013.01) G11C 11/15(2013.01) G11C 11/15(2013.01) G11C 11/15(2013.01) G11C 11/15(2013.01)
출원번호/일자	1020090125036 (2009.12.15)
출원인	삼성전자주식회사, 광주과학기술원
등록번호/일자	10-1658394-0000 (2016.09.12)
공개번호/일자	10-2011-0068185 (2011.06.22) 문서열기
공고번호/일자	(20160922) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2014.11.26)
심사청구항수	9

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	삼성전자주식회사	대한민국	경기도 수원시 영통구
2	광주과학기술원	대한민국	광주광역시 북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	김광석	대한민국	경기도 성남시 분당구
2	김기원	대한민국	경기도 수원시 영통구
3	서순애	대한민국	경기 화성시
4	이승교	대한민국	광주광역시 북구
5	장영만	대한민국	광주광역시 북구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	리앤목특허법인	대한민국	서울 강남구 언주로 길 , 층, 층, 층, *층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	삼성전자 주식회사		경기도 수원시 영통구
2	광주과학기술원		광주광역시 북구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2009.12.15	수리 (Accepted)	1-1-2009-0775805-16
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2011.09.15	수리 (Accepted)	4-1-2011-5187089-85
3	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2012.06.21	수리 (Accepted)	4-1-2012-5132663-40
4	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)	2014.11.26	수리 (Accepted)	1-1-2014-1145193-14
5	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2014.11.26	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2014-1145194-59
6	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2016.02.04	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2016-0096607-78
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2016.03.22	수리 (Accepted)	1-1-2016-0276127-95
8	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2016.03.22	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2016-0276135-50
9	등록결정서 Decision to grant	2016.08.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2016-0623149-86

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 핀드층, 터널링층, 자유층을 포함하는 수직 자기 터널 접합(MTJ) 소자에서,상기 핀드층과 상기 자유층 중 적어도 한 층은 비정질의 수직 자기 이방성(PMA) 물질을 포함하는 다층(multilayer)이며,상기 핀드층 아래에 피닝층이 구비되고, 상기 자유층 상에 캡핑층이 구비된 수직 자기터널접합 소자
2	2 제 1 항에 있어서, 상기 핀드층은 순차적으로 적층된 적어도 한 쌍의 물질층을 포함하며, 상기 한 쌍의 물질층은 순차적으로 적층된 비정질 제1 희토류 전이금속(RE-TM)층과 비정질 제2 희토류 전이금속층인 것을 특징으로 하는 수직 자기터널접합 소자
3	3 삭제
4	4 제 1 항에 있어서, 상기 자유층은 순차적으로 적층된 적어도 한 쌍의 물질층을 포함하며, 상기 한 쌍의 물질층은 순차적으로 적층된 비정질 제1 희토류 전이금속층과 비정질 제2 희토류 전이금속층인 것을 특징으로 하는 수직 자기터널접합 소자
5	5 삭제
6	6 제 2 항에 있어서, 상기 제1 희토류 전이금속층은 CoFe층이고, 상기 제2 희토류 전이금속층은 Tb층인 수직 자기터널접합 소자
7	7 제 4 항에 있어서, 상기 제1 희토류 전이금속층은 Tb층이고, 상기 제2 희토류 전이금속층은 CoFe층인 수직 자기터널접합 소자
8	8 제 1 항에 있어서, 상기 터널링층은 MgO층을 포함하는 수직 자기터널접합 소자
9	9 제 1 항에 있어서, 상기 터널링층은 순차적으로 적층된 제1 터널링층, MgO층 및 제2 터널링층을 포함하는 수직 자기터널접합 소자
10	10 제 8 항에 있어서, 상기 핀드층 및 상기 자유층 중 적어도 한 층은 상기 MgO층과 접촉되면서 상기 MgO층의 결정구조를 따라 결정화된 불순물 도핑 희토류 전이금속층을 포함하는 수직 자기터널접합 소자
11	11 삭제
12	12 제 9 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 터널링층은 상기 MgO층의 결정구조를 따라 결정화된 불순물 도핑 희토류 전이금속층인 수직 자기터널접합 소자
13	13 삭제
14	14 삭제
15	15 삭제
16	16 삭제
17	17 삭제
18	18 삭제
19	19 삭제
20	20 삭제
21	21 삭제
22	22 삭제

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US08411498	US	미국	FAMILY
2	US20110141803	US	미국	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US2011141803	US	미국	DOCDBFAMILY
2	US8411498	US	미국	DOCDBFAMILY

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
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특허 등록번호	10-1658394-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20091215 출원 번호 : 1020090125036 공고 연월일 : 20160922 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20160829 청구범위의 항수 : 9 유별 : G11C 11/15 발명의 명칭 : 자기터널접합 소자 및 그 제조방법과 자기터널접합 소자를 포함하는 전자소자 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 삼성전자 주식회사 경기도 수원시 영통구...
1	(권리자) 광주과학기술원 광주광역시 북구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	396,000 원	2016년 09월 13일	납입
제 4 년분	금 액	238,000 원	2019년 08월 30일	납입
제 5 년분	금 액	238,000 원	2020년 08월 31일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2009.12.15	수리 (Accepted)	1-1-2009-0775805-16
2	출원인정보변경(경정)신고서	2011.09.15	수리 (Accepted)	4-1-2011-5187089-85
3	출원인정보변경(경정)신고서	2012.06.21	수리 (Accepted)	4-1-2012-5132663-40
4	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서	2014.11.26	수리 (Accepted)	1-1-2014-1145193-14
5	[명세서등 보정]보정서	2014.11.26	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2014-1145194-59
6	의견제출통지서	2016.02.04	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2016-0096607-78
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2016.03.22	수리 (Accepted)	1-1-2016-0276127-95
8	[명세서등 보정]보정서	2016.03.22	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2016-0276135-50
9	등록결정서	2016.08.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2016-0623149-86


과제고유번호	1345097972
세부과제번호	03-2006-15-001-00
연구과제명	초고집적자기소자개발
성과구분	출원
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	한국연구재단
연구주관기관명	삼성전자
성과제출연도	2009
연구기간	200007~201003
기여율	1
연구개발단계명	개발연구
6T분류명	NT(나노기술)

특허성과

[1020090128344]	수직 자기터널접합과 이를 포함하는 자성소자 및 그 제조방법	새창보기
[1020090125036]	자기터널접합 소자 및 그 제조방법과 자기터널접합 소자를 포함하는 전자소자	새창보기

중요키워드

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