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기판 상에 서로 다른 굴절률을 가진 적어도 한 층의 제1 및 제2 실리콘층이 교대로 순차 적층되되,상기 제1 실리콘층은 상기 제2 실리콘층보다 낮은 굴절률을 갖으며, 상기 기판 상에 경사각을 조절하여 굴절률이 변화되도록 실리콘을 이용하여 경사지게 증착되는 것을 특징으로 하는 실리콘을 이용한 DBR 구조물
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제1 항에 있어서,상기 제2 실리콘층은 상기 기판의 평면에 수직하게 증착되는 것을 특징으로 하는 실리콘을 이용한 DBR 구조물
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제1 항에 있어서,상기 제1 및 제2 실리콘층의 굴절률은 1 내지 5 범위에서 선택되는 것을 특징으로 하는 실리콘을 이용한 DBR 구조물
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4
제1 항에 있어서,상기 제1 및 제2 실리콘층은 결정형, 비정질 혹은 그 중간 단계의 실리콘으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 단일 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘을 이용한 DBR 구조물
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5
제1 항에 있어서,상기 제1 실리콘층은 다공성 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 실리콘을 이용한 DBR 구조물
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6
제1 항에 있어서,상기 경사각은 1도 내지 90도인 것을 특징으로 하는 실리콘을 이용한 DBR 구조물
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7
제1 항에 있어서,상기 경사지게 증착하는 방법은 스퍼터링 또는 증발법을 이용하는 것을 특징으로 하는 실리콘을 이용한 DBR 구조물
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8
제1 항에 있어서,상기 제1 및 제2 실리콘층의 두께는 0
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제1 항에 있어서,상기 제1 및 제2 실리콘층은 각각 2층 내지 5층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘을 이용한 DBR 구조물
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10
기판 상에 서로 다른 굴절률을 가진 적어도 한 층의 제1 및 제2 실리콘층을 교대로 순차 적층하되,상기 제1 실리콘층은 상기 제2 실리콘층보다 낮은 굴절률을 갖으며, 상기 기판 상에 경사각을 조절하여 굴절률이 변화되도록 실리콘을 이용하여 경사지게 증착하는 것을 특징으로 하는 실리콘을 이용한 DBR 구조물의 제조방법
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11
제10 항에 있어서,상기 제2 실리콘층은 상기 기판의 평면에 수직하게 증착하는 것을 특징으로 하는 실리콘을 이용한 DBR 구조물의 제조방법
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12
제10 항에 있어서,상기 제1 및 제2 실리콘층의 굴절률은 1 내지 5 범위에서 선택하는 것을 특징으로 하는 실리콘을 이용한 DBR 구조물의 제조방법
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13
제10 항에 있어서,상기 제1 및 제2 실리콘층은 결정형, 비정질 혹은 그 중간 단계의 실리콘으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 단일 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘을 이용한 DBR 구조물의 제조방법
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14
제10 항에 있어서,상기 제1 실리콘층은 다공성 구조로 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘을 이용한 DBR 구조물의 제조방법
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15
제10 항에 있어서,상기 경사각은 1도 내지 90도인 것을 특징으로 하는 실리콘을 이용한 DBR 구조물의 제조방법
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제1 항에 있어서,상기 경사지게 증착하는 방법은 스퍼터링 또는 증발법을 이용하는 것을 특징으로 하는 실리콘을 이용한 DBR 구조물의 제조방법
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제10 항에 있어서,상기 제1 및 제2 실리콘층의 두께는 0
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제10 항에 있어서,상기 제1 및 제2 실리콘층은 각각 2층 내지 5층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘을 이용한 DBR 구조물의 제조방법
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