맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

균일한 전도성 고분자 전극 형성 방법 및 전극 물질

  • 기술번호 : KST2015174417
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실시예에 따른 전극 형성 방법은, 전도성 고분자 용액을 준비하는 단계; 상기 전도성 고분자 용액에 첨가 용매 및 계면 활성제를 혼합하여 혼합 용액을 형성하는 단계; 기판에 상기 혼합 용액을 코팅하는 단계; 및 상기 혼합 용액을 열처리 하는 단계를 포함한다.
Int. CL G06F 3/041 (2006.01) G02F 1/1343 (2006.01) H01B 13/00 (2006.01) H01B 5/14 (2006.01)
CPC H01B 13/0003(2013.01) H01B 13/0003(2013.01) H01B 13/0003(2013.01) H01B 13/0003(2013.01) H01B 13/0003(2013.01) H01B 13/0003(2013.01) H01B 13/0003(2013.01)
출원번호/일자 1020110007521 (2011.01.25)
출원인 엘지이노텍 주식회사, 광주과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0086209 (2012.08.02) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.01.25)
심사청구항수 18

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구
2 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박성규 대한민국 서울특별시 중구
2 정우주 대한민국 서울특별시 중구
3 문종운 대한민국 서울특별시 중구
4 최준락 대한민국 서울특별시 중구
5 김동유 대한민국 광주광역시 서구
6 나석인 대한민국 전라북도 군산시 미룡로 **, 롯데인벤스가 *
7 정형구 대한민국 경기도 화성시 신남
8 여준석 대한민국 서울특별시 동작구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0061649-46
2 보정요구서
Request for Amendment		 2011.02.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0012271-47
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0117807-11
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.05.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.06.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0048055-74
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0443989-95
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.10.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0633043-86
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전도성 고분자 용액을 준비하는 단계;상기 전도성 고분자 용액에 첨가 용매 및 계면 활성제를 혼합하여 혼합 용액을 형성하는 단계;기판에 상기 혼합 용액을 코팅하는 단계; 및상기 혼합 용액을 열처리 하는 단계를 포함하는 전극 형성 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 전도성 고분자 용액을 준비하는 단계에서는, 용매, 전도성 고분자 및 도펀트를 혼합하는 전극 형성 방법
3 3
제2항에 있어서,상기 전도성 고분자는 폴리에틸렌디옥시티오펜(Poly(3,4-Ethylenedioxythiophene), PEDOT), 폴리아닐린(polyaniline), 폴리피롤(polypyrrole), 폴리티오펜(polythiophene) 및 이들의 유도체 중 적어도 어느 하나를 포함하는 전극 형성 방법
4 4
제2항에 있어서,상기 도펀트는 폴리스티렌술폰산(polystyrene sulfonate, PSS), 도데실벤젠술폰산(Dodecylbenzene sulfonate), 톨루엔술폰산(Toluene sulfonyl), 켐포술폰산, 벤젠술폰산, 염산 및 이들의 유도체 중 적어도 어느 하나를 포함하는 전극 형성 방법
5 5
제2항에 있어서,상기 전도성 고분자: 상기 도펀트의 중량비가 1 : 0
6 6
제2항에 있어서,상기 전도성 고분자 용액을 준비하는 단계에서, 상기 전도성 고분자 용액에 대하여 상기 전도성 고분자 및 도펀트가 0
7 7
제1항에 있어서, 상기 첨가 용매는 디메틸설폭사이드(Dimethylsulfoxide,DMSO) 및 엔-메틸피로리돈(N-Methyl-pyrrolidone, NMP) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 전극 형성 방법
8 8
제7항에 있어서,상기 혼합 용액을 형성하는 단계에서, 상기 첨가 용매 : 상기 전도성 고분자 용액의 부피비가 1 : 20 내지 3 : 10인 전극 형성 방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 계면 활성제는 비 이온 계면 활성제를 포함하는 전극 형성 방법
10 10
제9항에 있어서,상기 비 이온 계면 활성제는 포화알콜, 폴리옥시에틸렌 글리콜 알킬에스터, 폴리옥시에틸렌 글리콜옥티페놀 에스터 및 폴리옥시에틸렌 글리콜 알킬페놀 에스터 계열 중 적어도 어느 하나를 포함하는 전극 형성 방법
11 11
제9항에 있어서,상기 비 이온 계면 활성제 : 상기 전도성 고분자 용액의 부피비가 1 : 200 내지 1 : 10 인 전극 형성 방법
12 12
제1항에 있어서,상기 기판은 폴리 에틸렌 테레프탈레이트(poly(ethylene terephthalate), PET) 필름을 포함하는 전극 형성 방법
13 13
전도성 고분자, 도펀트 및 계면 활성제를 포함하는 전극 물질
14 14
제13항에 있어서,상기 전도성 고분자는 폴리에틸렌디옥시티오펜(Poly(3,4-Ethylenedioxythiophene), PEDOT), 폴리아닐린(polyaniline), 폴리피롤(polypyrrole), 폴리티오펜(polythiophene) 및 이들의 유도체 중 적어도 어느 하나를 포함하는 전극 물질
15 15
제13항에 있어서,상기 도펀트는 폴리스티렌술폰산(polystyrene sulfonate, PSS), 도데실벤젠술폰산(Dodecylbenzene sulfonate), 톨루엔술폰산(Toluene sulfonyl), 켐포술폰산, 벤젠술폰산, 염산 및 이들의 유도체 중 적어도 어느 하나를 포함하는 전극 물질
16 16
제14항에 있어서,상기 전도성 고분자: 상기 도펀트의 중량비가 1 : 0
17 17
제13항에 있어서,상기 계면 활성제는 비 이온 계면 활성제를 포함하는 전극 물질
18 18
제17항에 있어서,상기 비 이온 계면 활성제는 포화알콜, 폴리옥시에틸렌 글리콜 알킬에스터, 폴리옥시에틸렌 글리콜옥티페놀 에스터 및 폴리옥시에틸렌 글리콜 알킬페놀 에스터 계열 중 적어도 어느 하나를 포함하는 전극 물질
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.