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기판상에 n형반도체층, 활성층, p형반도체층이 순차적으로 적층되고, 상기 n형반도체층상에 n형전극이 형성되며, 상기 p형반도체층상에 투명전극이 적층되고, 상기 투명전극 일부에 p형전극이 형성된 산화아연 반사방지막을 포함하는 발광다이오드의 제조방법에 있어서,포토레지스트를 상기 n형전극, 상기 투명전극 및 상기 p형 전극 상부에 도포하는 도포단계;상기 투명전극 영역에 도포된 포토레지스트를 포토리소그래피 방식으로 제거하는 제거단계;상기 투명전극상에 시드층을 형성시키는 시드층 형성단계;상기 시드층을 성장용액에 침지시켜 제 1반사방지막을 성장시키는 제 1반사방지막 성장단계; 및상기 시드층을 성장용액에 침지시켜 제 2반사방지막을 성장시키는 제 2반사방지막 성장단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 산화아연 반사방지막을 포함하는 발광다이오드의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 제 2반사방지막 성장단계에서의 상기 성장용액의 몰농도는 상기 제 1반사방지막 성장단계에서의 상기 성장용액 몰농도의 40% 내지 60%인 것을 특징으로 하는 산화아연 반사방지막을 포함하는 발광다이오드의 제조방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 시드층 형성단계는, 스퍼터링 방식, 펄스레이저증착방식, 열분해방식, 전자빔을 이용한 진공증착방식 또는 열증착방식 중 어느 하나의 방식으로 상기 시드층을 형성시키는 것을 특징으로 하는 산화아연 반사방지막을 포함하는 발광다이오드의 제조방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 시드층 형성단계에서, 상기 시드층은 산화아연으로 이루어진 것을 특징으로 하는 산화아연 반사방지막을 포함하는 발광다이오드의 제조방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 제 1반사방지막 성장단계 및 상기 제 2반사방지막 성장단계에서, 상기 성장용액은, 질산아연수화물(Zinc nyitrate hydrate), 헥사메틸렌테트라아민(Hexamethylene tetramine) 및 폴리에테르이미드(Polyetherimide)를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 산화아연 반사방지막을 포함하는 발광다이오드의 제조방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 제 1반사방지막 성장단계 및 상기 제 2반사방지막 성장단계에 의해 형성된 상기 제 1반사방지막 및 상기 제 2반사방지막은 나노로드 형태로 이루어진 것을 특징으로 하는 산화아연 반사방지막을 포함하는 발광다이오드의 제조방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 투명전극은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), 산화주석(SnO2), 산화아연, 불소 함유 산화주석(Fulluorine tin Oxide), 갈륨이 도핑된 산화아연(ZnO:Ga), 알루미늄이 도핑된 산화아연(ZnO:Al), 갈륨이 도핑된 산화아연마그네슘(MgZnO:Ga) 또는 알루미늄이 도핑된 산화아연마그네슘(MgZnO:Al) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 산화아연 반사방지막을 포함하는 발광다이오드의 제조방법
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기판, n형반도체층, 활성층, p형반도체층 및 투명전극을 포함하여 이루어지는 산화아연 반사방지막을 포함하는 발광다이오드에 있어서,상기 투명전극 또는 상기 p형반도체층상에 형성된 산화아연 반사방지막;을 포함하여 이루어지며, 상기 산화아연 반사방지막은 이중층 나노로드 형태로 형성되며, 상기 이중층에서, 하부층이 상부층보다 상기 나노로드의 밀도가 높은 것을 특징으로 하는 산화아연 반사방지막을 포함하는 발광다이오드
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기판, n형반도체층, 활성층, p형반도체층 및 투명전극을 포함하여 이루어지는 산화아연 반사방지막을 포함하는 발광다이오드에 있어서,상기 투명전극 또는 상기 p형반도체층상에 형성된 산화아연 반사방지막;을 포함하여 이루어지며, 상기 산화아연 반사방지막은 이중층 나노로드 형태이며, 상기 이중층은 나노로드간의 높이차이로 인해 형성되는 것을 특징으로 하는 산화아연 반사방지막을 포함하는 발광다이오드
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제 8항 또는 제 9항에 있어서, 상기 투명전극은 상기 투명전극은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), 산화주석(SnO2), 산화아연, 불소 함유 산화주석(Fulluorine tin Oxide), 갈륨이 도핑된 산화아연(ZnO:Ga), 알루미늄이 도핑된 산화아연(ZnO:Al), 갈륨이 도핑된 산화아연마그네슘(MgZnO:Ga) 또는 알루미늄이 도핑된 산화아연마그네슘(MgZnO:Al) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 산화아연 반사방지막을 포함하는 발광다이오드
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