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(a) 실리콘 웨이퍼를 준비하는 단계;(b) 상기 실리콘 웨이퍼의 일면에 소정의 패턴의 홈을 형성하는 단계;(c) 상기 실리콘 웨이퍼의 상기 일면에 제1 절연체를 접합하는 단계;(d) 상기 홈과 상기 제1 절연체 사이의 공간에 제2 절연체를 주입하고 경화시키는 단계;(e) 상기 제1 절연체를 제거하는 단계; 및(f) 상기 실리콘 웨이퍼의 타면에 상기 제2 절연체에 의해 서로 전기적으로 절연되는 침습형 미세전극 및 비침습형 미세전극를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 (a)단계는, 상기 실리콘 웨이퍼의 일면에 제1 금속층을 적층하는 단계를 포함하는 하이브리드형 미세전극 배열체의 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 제1 절연체 및 상기 제2 절연체는 폴리디메틸실록산(Polydimethylsiloxane)인 하이브리드형 미세전극 배열체의 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 홈은,상기 실리콘 웨이퍼의 일면에 직선으로 형성되는 적어도 하나의 제1 홈; 및상기 제1 홈에 수직하며 직선으로 형성되는 적어도 하나의 제2 홈을 포함하며, 격자 패턴으로 형성되는 하이브리드형 미세전극 배열체의 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 홈은 기계 가공하여 형성되는 하이브리드형 미세전극 배열체의 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 홈은 심도 반응성 이온 에칭(DRIE)에 의해 형성되는 하이브리드형 미세전극 배열체의 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 (c)단계는, (c1) 상기 홈에 친수성 표면처리를 하는 단계;(c2) 상기 실리콘 웨이퍼의 일면에 접합되는 상기 제1 절연체의 일면에 소수성 표면처리를 하는 단계; 및(c3) 상기 실리콘 웨이퍼의 일면과 상기 제1 절연체의 일면을 접합하는 단계를 포함하는 하이브리드형 미세전극 배열체의 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 (d)단계는,(d1) 진공 챔버에서 상기 홈과 상기 제1 절연체 사이의 공간에 상기 제2 절연체를 주입하는 단계를 포함하는 하이브리드형 미세전극 배열체의 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 (f)단계는,(f1) 상기 실리콘 웨이퍼의 상기 타면에 실리콘 기둥을 형성하는 단계;(f2) 상기 비침습형 미세전극이 형성될 부분에 위치한 상기 실리콘 기둥을 제거하는 단계;(f3) 상기 제2 절연체가 노출될 때까지 상기 실리콘 기둥들 사이의 홈의 바닥을 제거하는 단계; 및(f4) 실리콘 기둥의 끝단을 뾰족하게 만드는 단계를 포함하는 하이브리드형 미세전극 배열체의 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 하이브리드형 미세전극 배열체의 제조 방법은,상기 (f)단계 이후에,(g) 상기 침습형 미세전극의 끝단 및 상기 비침습형 미세전극 상면 일부에 제2 금속층을 형성하는 단계를 더 포함하는 하이브리드형 미세전극 배열체의 제조 방법
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제15항에 있어서,상기 하이브리드형 미세전극 배열체의 제조 방법은,상기 (g)단계 이후에,(h) 상기 제1 금속층 및 상기 제2 금속층이 형성되지 않은 상기 침습형 미세전극 및 상기 비침습형 미세전극의 나머지 부분에 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 하이브리드형 미세전극 배열체의 제조 방법
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