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제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 화합물 반도체층;상기 제2 도전형 반도체층 상에 형성되는 그래핀층;상기 그래핀층 상에 형성되는 복수개의 금속 나노입자;상기 제1 도전형 반도체층 상에 형성되는 제1 전극; 및상기 그래핀층 상에 형성되는 제2 전극을 포함하고, 상기 금속 나노입자는 상기 그래핀층 상에 일정한 간격으로 형성된 홀 패턴인 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 그래핀층 상에 형성되는 금속 나노입자의 면적은 상기 그래핀층 면적의 20% ∼ 40%인 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 금속 나노입자는 Au, Ag, Pt, Lu, Rh, Pd, Ir 및 Os 중에서 선택되는 어느 하나를 포함하는 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 금속 나노입자의 직경은 50nm ∼ 300nm인 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 화합물 반도체층은 질화물계 화합물 반도체층인 발광 다이오드
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제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 화합물 반도체층을 형성하는 단계;상기 제2 도전형 반도체층 상에 그래핀층을 형성하는 단계;상기 그래핀층 상에 패턴을 가지는 마스크막을 형성하는 단계;상기 마스크막의 패턴 내에 금속막을 형성하고, 상기 마스크막을 제거하는 단계; 상기 금속막을 열처리하여 복수개의 금속 나노입자를 형성하는 단계; 및상기 제1 도전형 반도체층 상에 제1 전극을 형성하고, 상기 그래핀층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 발광 다이오드의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 열처리 온도는 500℃ ∼ 700℃인 발광 다이오드의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 제2 도전형 반도체층 상에 그래핀층을 형성하는 단계는, 상기 그래핀층을 상기 제2 도전형 반도체층 상에 전사하는 단계인 발광 다이오드의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 그래핀층은 화학 기상 증착법을 통해 형성되는 발광 다이오드의 제조방법
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