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반도체 발광소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015174469
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 발광소자에 관한 것으로, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물; 및 상기 발광구조물 상에 형성되며, 광 투과성을 갖는 투광성 박막층 및 상기 투광성 박막층 상에 형성되는 복수의 나노 로드를 포함하는 나노 로드층을 구비하는 광 추출층; 을 포함하고, 상기 광 추출층은 PDMS(Polydimethyl siloxane), PDMS에 ZrO2 나노파티클을 첨가한 화합물, PGMA(poly(glycidyl methacrylate))에 TiO2 나노 파티클을 첨가한 화합물, PMMA(Polymethyl Methacrylate)에 BaTiO3 나노 파티클을 첨가한 화합물, 에폭시에 금속화합물을 첨가한 화합물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 물질로 이루어진 반도체 발광소자를 제공한다.
Int. CL H01L 33/22 (2010.01.01) H01L 33/38 (2010.01.01)
CPC H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01)
출원번호/일자 1020120053529 (2012.05.21)
출원인 삼성전자주식회사, 광주과학기술원
등록번호/일자 10-2003391-0000 (2019.07.18)
공개번호/일자 10-2013-0129555 (2013.11.29) 문서열기
공고번호/일자 (20190724) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.05.22)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 고형덕 대한민국 서울 송파구
2 임용철 대한민국 광주광역시 북구
3 박성주 대한민국 광주광역시 북구
4 이한민 대한민국 광주광역시 북구
5 김성태 대한민국 서울 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인씨엔에스 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구
2 광주과학기술원 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.05.21 수리 (Accepted) 1-1-2012-0402806-18
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2017.05.22 수리 (Accepted) 1-1-2017-0482856-16
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.05.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0482857-62
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.01.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.03.08 수리 (Accepted) 9-1-2018-0008704-99
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.04.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0262727-12
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.06.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0582108-41
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.06.14 수리 (Accepted) 1-1-2018-0582107-06
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0727551-13
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.12.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1304740-68
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2018-1304739-11
13 등록결정서
Decision to grant
2019.04.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0277517-16
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번호 청구항
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나노 패턴이 형성된 마스터 몰드를 준비하는 단계;상기 마스터 몰드 상에 주제(elastomer precursor)와 경화제(curing agent)를 혼합하여 형성된 PDMS(Polydimethyl siloxane)를 도포하는 단계;상기 도포된 PDMS를 경화시키는 단계; 상기 경화된 PDMS를 상기 마스터 몰드에서 분리하여 나노 패턴이 형성된 광 추출층을 형성하는 단계; 및상기 광 추출층을 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하여 형성된 발광구조물 상에 부착하는 단계;를 포함하는 반도체 발광 소자 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 마스터 몰드는 사파이어, 단결정 실리콘, ITO 및 금속으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 물질로 이루어진 반도체 발광 소자 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 도포된 PDMS를 경화시키는 단계는, 초음파 환경에서 50°C 내지 100°C의 온도로 가열하여 경화시키는 반도체 발광 소자 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 도포된 PDMS를 경화시키는 단계 후 상온에서 소성 변형시키는 단계를 더 포함하는 반도체 발광 소자 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 마스터 몰드에서 분리하여 형성된 상기 광 추출층을 상기 발광구조물 상에 부착하기 전에, 상기 광 추출층의 표면에 O2 플라즈마 처리 또는 UV 노광처리 하는 단계를 더 포함하는 반도체 발광 소자 제조 방법
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나노 패턴이 형성된 마스터 몰드를 준비하는 단계;상기 마스터 몰드 상에 PDMS에 ZrO2 나노파티클을 첨가한 화합물, PGMA(poly(glycidyl methacrylate))에 TiO2 나노 파티클을 첨가한 화합물, PMMA(Polymethyl Methacrylate)에 BaTiO3 나노 파티클을 첨가한 화합물, 에폭시에 금속화합물을 첨가한 화합물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 물질로 이루어진 물질을 도포하는 단계;상기 마스터 몰드 상에 도포된 물질을 경화시키는 단계; 상기 경화된 물질을 상기 마스터 몰드에서 분리하여 나노 패턴이 형성된 광 추출층을 형성하는 단계; 및상기 광 추출층을 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하여 형성된 발광구조물 상에 부착하는 단계;를 포함하는 반도체 발광 소자 제조 방법
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