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비공유 전자쌍을 가지는 황 또는 질소 원자를 포함하고, 반도체 특성을 가지는 공액유기물; 및상기 공액유기물과 수소 결합 및 프로톤 부가 반응을 통해 결합되는 고분자 유기산을 포함하는 유기 반도체 화합물 박막
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제1항에 있어서,공액유기물은 P3HT, PQT 또는 G24인 것을 특징으로 하는 유기 반도체 화합물 박막
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제1항에 있어서,상기 고분자 유기산은 PSS인 것을 특징으로 하는 유기 반도체 화합물 박막
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비공유 전자쌍을 가지는 황 또는 질소 원자를 포함하고, 반도체 특성을 가지는 공액유기물이 유기 용매에 용해된 제1 분산 용액을 준비하는 단계;상기 제1 분산 용액에 고분자 유기산을 첨가하여 상기 공액유기물과 상기 고분자 유기산이 결합된 결정씨드를 형성하는 단계; 및상기 결정씨드가 형성된 제1 분산 용액을 고상 기질 상에 도포하여 유기 반도체 화합물 박막을 형성하는 단계를 포함하는 유기 반도체 화합물 박막 제조방법
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제4항에 있어서,상기 공액유기물은 상기 고분자 유기산과 수소 결합 및 프로톤 부가 반응을 통해 결합되는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 화합물 박막 제조방법
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제4항에 있어서,상기 공액유기물은 P3HT, PQT 또는 G24인 것을 특징으로 하는 유기 반도체 화합물 박막 제조방법
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제4항에 있어서,상기 고분자 유기산은 PSS인 것을 특징으로 하는 유기 반도체 화합물 박막 제조방법
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제1항의 유기 반도체 화합물 박막을 포함하는 유기 전자 소자
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제8항에 있어서, 상기 유기 전자 소자는,양극;음극; 및상기 양극과 음극 사이에 위치하되, 전자주게층 및 전자받게층을 포함하는 광활성층을 포함하는 유기 태양전지이고,상기 전자주게층은 제1항의 유기 반도체 화합물 박막인 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자
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제8항에 있어서, 상기 유기 전자 소자는,소스 전극;드레인 전극;게이트 전극; 및상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 위치하는 활성 채널을 포함하는 유기 전계 효과 트랜지스터이고,상기 활성 채널은 제1항의 유기 반도체 화합물 박막인 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자
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