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기판 상에 형성되고, 제1 n형 반도체층, 제1 발광층, p형 반도체층, 제2 발광층 및 제2 n형 반도체층이 형성된 발광 구조체;상기 발광 구조체 하부의 제1 n형 반도체층에 접하는 제1 n형 전극;상기 발광 구조체 상부의 제2 n형 반도체층에 접하는 제2 n형 전극; 및상기 발광 구조체의 상기 p형 반도체층의 측면과 접하는 p형 전극을 포함하고,상기 발광 구조체는 상기 기판 상에 형성된 인접한 발광 구조체와 동일한 형상을 가지고,상기 p형 전극은 상기 발광 구조체의 이격 공간 사이를 매립하는 제1 패시베이션층 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 발광 구조체와 상기 인접한 발광 구조체는 상기 제1 n형 반도체층을 공유하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 제2 n형 전극은 상기 p형 전극의 상부에 형성된 제2 패시베이션층 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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기판 상에 제1 n형 반도체층, 제1 발광층, p형 반도체층, 제2 발광층 및 제2 n형 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계;상기 제2 n형 반도체층, 상기 제2 발광층, 상기 p형 반도체층, 상기 제1 발광층 및 상기 제1 n형 반도체층을 식각하여 발광 구조체를 형성하는 단계;상기 발광 구조체 사이의 이격공간을 제1 패시베이션층으로 매립하고, 상기 p형 반도체층 측면과 접하는 p형 전극을 형성하는 단계; 및상기 p형 전극 상에 제2 패시베이션층을 형성하고, 상기 제2 패시베이션층 상에 상기 제2 n형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 n형 전극을 형성하는 단계를 포함하는 발광 다이오드의 형성방법
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제6항에 있어서, 상기 발광 구조체를 형성하는 단계에서의 상기 식각은 상기 제1 n형 반도체층의 일부를 잔류시켜서 상기 발광 구조체 사이의 이격공간을 통해 상기 제1 n형 반도체층을 노출시키는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 형성방법
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8
제6항에 있어서, 상기 p형 전극을 형성하는 단계는,상기 발광 구조체의 이격공간에 상기 제1 패시베이션층을 매립하는 단계;상기 제1 패시베이션층 상에 희생층을 형성하는 단계;상기 희생층 및 상기 발광 구조체의 노출 부위에 절연층을 도포하는 단계;상기 절연층에 대한 식각을 수행하고, 상기 희생층을 제거하여 상기 p형 반도체층의 측면을 노출하는 단계; 및상기 p형 반도체층의 측면에 접하는 상기 p형 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 형성방법
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제8항에 있어서, 상기 제1 패시베이션층은 상기 제1 발광층의 측면을 완전히 감싸고, 상기 p형 반도체층 측면의 일부까지 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 형성방법
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제8항에 있어서, 상기 희생층은 상기 p형 반도체층의 측면에 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 형성방법
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제8항에 있어서, 상기 절연층에 대한 식각을 통해 상기 희생층 상부의 상기 절연층은 제거되고, 상기 제2 발광층 및 상기 제2 n형 반도체층의 측면을 차폐하는 상기 절연층은 잔류하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 형성방법
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제11항에 있어서, 상기 p형 전극을 형성하는 단계는 상기 잔류하는 절연층의 제거를 통해 상기 절연층 상의 상기 p형 전극을 제거하여 상기 p형 반도체층과 접하는 상기 p형 전극은 잔류시키는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드이 형성방법
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제7항에 있어서, 상기 발광 구조체를 형성하는 단계 이후에, 상기 이격공간을 통해 노출된 제1 n형 반도체층 상에 제1 n형 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 형성방법
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제13항에 있어서, 상기 제1 패시베이션층은 상기 제1 n형 전극을 완전히 차폐하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 형성방법
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