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기판 상에 제1마스크 패턴을 형성하는 단계;상기 제1마스크 패턴 사이의 이격공간 및 상부에 제1질화 갈륨막을 성장시키는 단계;상기 제1질화 갈륨막 상에 제2마스크 패턴을 형성하는 단계;상기 제2마스크 패턴 사이의 이격공간 및 상부에 제2질화 갈륨막을 성장시키는 단계;상기 제2질화 갈륨막 상에 발광 구조체를 형성하고, 상기 발광 구조체 상에 반사 금속층 및 지지기판을 순차적으로 배열하는 단계;상기 제1마스크 패턴 및 제2마스크 패턴을 제거하는 단계; 및상기 제1마스크 패턴 및 상기 제2마스크 패턴이 제거된 상태에서 제1질화 갈륨막 또는 제2질화 갈륨막을 상기 기판으로부터 분리하는 단계를 포함하는 질화갈륨 발광 다이오드의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 제1질화 갈륨막 및 제2질화 갈륨막은 기상법(HVPE) 또는 유기금속화학증착법(MOCVD)으로 성장시키는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 발광 다이오드의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 제2질화 갈륨막 상에 발광 구조체를 형성하고, 상기 발광 구조체 상에 반사 금속층 및 지지기판을 순차적으로 배열하는 단계는,상기 제2질화 갈륨막 상에 n형 질화물 반도체층을 형성하는 단계; 상기 n형 질화물 반도체층 상에 발광동작을 수행하기 위한 활성층을 형성하는 단계; 상기 활성층 상에 p형 질화물 반도체층을 형성하는 단계;상기 p형 질화물 반도체층 상에 반사 금속층을 형성하는 단계; 및상기 반사 금속층 상에 지지기판을 부착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 발광 다이오드의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 제1마스크 패턴 및 제2마스크 패턴을 제거하는 단계는 화학적 식각을 통하여, 식각 용액을 사용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 발광 다이오드의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 식각 용액은 플루오르화 수소산(HF) 및 버퍼 옥사이드 에천트(Buffered Oxide Etchant) 중 어느 하나 또는 이들 하나 이상의 조합에 의한 혼합 용액인 것을 특징으로 하는 질화갈륨 발광 다이오드의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 제1질화 갈륨막 또는 제2질화 갈륨막으로부터 기판을 분리하는 단계는 화학적 식각을 통하여, 식각 용액을 사용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 발광 다이오드의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 식각 용액은 염산(HCl), 질산(HNO3), 수산화칼륨(KOH), 수산화나트륨(NaOH), 황산(H2SO4), 인산(H3PO4) 및 알루에치(4H3PO4+4CH3COOH+HNO3+H2O) 중 어느 하나 또는 이들 하나 이상의 조합에 의한 혼합 용액인 것을 특징으로 하는 질화갈륨 발광 다이오드의 제조방법
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