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제1 개구부를 포함하는 기판;상기 기판 상에 위치하는 n형 반도체층;상기 n형 반도체층 상에 위치하고, 서로 이격하여 위치하는 수직형 전력 전자소자와 수직형 발광소자;상기 전력 전자소자와 발광소자 사이에 위치하는 전류 차단층; 및상기 기판 하부에 위치하고, 상기 제1 개구부를 통해 상기 n형 반도체층과 전기적으로 연결된 하부 전극을 포함하는 전력 전자소자 및 발광소자가 집적된 집적소자
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제1항에 있어서,상기 발광소자와 상기 제1 개구부는 동일선 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 전력 전자소자 및 발광소자가 집적된 집적소자
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제1항에 있어서,상기 기판은 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 전력 전자소자 및 발광소자가 집적된 집적소자
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제1항에 있어서,상기 n형 반도체층은 n형 GaN층인 것을 특징으로 하는 전력 전자소자 및 발광소자가 집적된 집적소자
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제1항에 있어서,상기 전류차단층은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물인 것을 특징으로 하는 전력 전자소자 및 발광소자가 집적된 집적소자
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제1항에 있어서,상기 전력 전자소자는,상기 n형 반도체층 상에 위치하고, 제2 개구부를 포함하는 제1 절연층;상기 제2 개구부를 메우면서 상기 제1 절연층 상에 위치하는 제1 활성층;상기 제1 활성층 상에 위치하는 제3 절연층;상기 제3 절연층 상에 위치하는 게이트 전극; 및상기 제1 활성층 상에 위치하고, 상기 제3 절연층과 이격하여 위치하는 2 이상의 소스 전극을 포함하고,상기 하부 전극이 상기 전력 전자소자의 드레인 전극 역할을 하는 것을 특징으로 하는 전력 전자소자 및 발광 소자가 집적된 집적소자
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7
제6항에 있어서,상기 제1 활성층은 하부 반도체층 및 상기 하부 반도체층 상에 위치하는 상부 반도체층을 포함하는 전력 전자소자 및 발광 소자가 집적된 집적소자
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8
제7항에 있어서,상기 하부 반도체층은 i형 질화갈륨계 반도체층으로 형성되고,상기 상부 반도체층은 알루미늄을 포함하는 i형 질화갈륨계 반도체층으로 형성된 전력 전자소자 및 발광 소자가 집적된 집적소자
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9
제1항에 있어서,상기 발광소자는,상기 n형 반도체층 상에 위치하는 제2 활성층;상기 제2 활성층 상에 위치하는 p형 반도체층; 및상기 p형 반도체층 상에 위치하는 p형 전극을 포함하고,상기 하부 전극이 상기 발광소자의 n형 전극 역할을 하는 것을 특징으로 하는 전력 전자소자 및 발광 소자가 집적된 집적소자
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10
기판 상에 n형 반도체층을 형성하는 단계;상기 n형 반도체층 상에 제2 개구부를 포함하는 제1 절연층을 형성하는 단계;상기 제2 개구부를 메우면서 상기 제1 절연층 상에 제1 활성층을 형성하는 단계;상기 제1 활성층의 상부 및 측부가 덮이도록 제1 절연층 상에 제2 절연층을 형성하는 단계;상기 제2 절연층에 상기 제1 활성층과 이격하여 상기 n형 반도체층이 노출되도록 제3 개구부를 형성하는 단계;상기 제3 개구부에 의해 노출된 상기 n형 반도체층 상에 활성층, p형 반도체층 및 p형 전극을 차례로 적층하여 발광소자를 형성하는 단계;상기 제1 활성층 상의 제2 절연층의 일부를 제거하여 상기 제1 활성층의 상부에 위치하는 제2 절연층 부분은 제3 절연층을 형성하고, 상기 제1 활성층의 측부에 위치하는 제2 절연층 부분은 전류차단층을 형성하는 단계;상기 제3 절연층 상에 게이트 전극을 형성하고, 상기 제2 절연층이 제거되어 노출된 제1 활성층 상에 적어도 하나 이상의 소스 전극을 형성하는 단계;상기 기판의 일부를 제거하여 상기 n형 반도체층이 노출되도록 제1 개구부를 형성하는 단계; 및상기 제1 개구부에 의해 노출된 n형 반도체층과 전기적으로 연결되도록 상기 기판의 하부에 하부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 전력 전자소자 및 발광소자가 집적된 집적소자 제조방법
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제10항에 있어서,상기 제1 개구부를 형성하는 단계는 상기 n형 반도체층의 하부에 요철구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 전력 전자소자 및 발광소자가 집적된 집적소자 제조방법
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