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기판;상기 기판 상에 형성된 n형 반도체층, 상기 n형 질화물 상에 형성된 광활성층, 상기 광활성층 상에 형성된 p형 반도체층을 포함하는 발광셀;상기 n형 반도체층과 전기적으로 접속되도록 형성된 n형 전극;상기 p형 반도체층과 전기적으로 접속되도록 형성된 p형 전극;상기 발광 셀을 둘러싸고 배치된 열전도 강화층; 및상기 열전도 강화층과 연결된 방열판을 포함하는 발광다이오드
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제1항에 있어서,상기 열전도 강화층은 상기 발광 셀의 양 측부, 상부, 또는 하부에 배치된 것을 특징으로 하는 발광다이오드
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제1항에 있어서,상기 열전도 강화층은 다이아몬드상 탄소(Diamond like carborn, DLC), 질화알루미늄(AlN), 질화붕소(BN), 또는 탄화규소(SiC)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 발광다이오드
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제1항에 있어서,상기 열전도 강화층은 열전도도가 100W/m·K 내지 2000W/m·K 인 것을 특징으로 하는 발광다이오드
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제1항에 있어서,상기 열전도 강화층은 0
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방열판을 형성하는 단계;기판 상에 n형 반도체층, 광활성층, p형 반도체층을 순차적으로 적층하는 단계;상기 n형 반도체층과 전기적으로 접속되도록 n형 전극을 형성하는 단계;상기 p형 반도체층과 전기적으로 접속되도록 p형 전극을 형성하여 발광셀을 형성하는 단계; 및상기 발광 셀을 둘러싸며, 상기 방열판과 연결되는 열전도 강화층을 증착하는 단계를 포함하는 발광다이오드의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 열전도 강화층은 스핀코팅, 프린팅, 열확산, 도포, 열증착법, 이빔 증착법, 스퍼터링, 또는 레이저 증착법을 사용하여 증착되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 열전도 강화층은 다이아몬드상 탄소(Diamond like carborn, DLC), 질화알루미늄(AlN), 질화붕소(BN), 또는 탄화규소(SiC)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 이용하는 발광다이오드의 제조방법
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