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기판;상기 기판 상에 위치하는 n형 반도체층;상기 n형 반도체층 상에 위치하는 활성층;상기 활성층 상에 위치하는 p형 반도체층;상기 p형 반도체층 상에 위치하는 반사층;상기 n형 반도체층과 전기적으로 연결된 n형 전극;상기 반사층 상에 위치하는 p형 전극; 및상기 반사층 상에 위치하되, 상기 p형 전극과 이격되어 배치된 패턴된 제1 자기 구조체를 포함하고,상기 n형 반도체층 및 상기 p형 반도체층 중 적어도 어느 하나는 강자성(ferromagnetism) 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 패턴된 제1 자기 구조체는 Co, Fe, Ni, Gd, Dy, NdFeB 및 이들의 2 이상의 합금 중 적어도 어느 하나의 강자성 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 패턴된 제1 자기 구조체는 라인 패턴, 홀 패턴 또는 닷 패턴인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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제3항에 있어서,상기 패턴된 제1 자기 구조체는 자화 열처리된 것을 특징으로 하는 발광다이오드
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제4항에 있어서,상기 패턴된 제1 자기 구조체의 자화 방향은 상기 기판에 수직 또는 수평 방향인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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삭제
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제1항에 있어서,상기 강자성 물질은 Co, Fe, Ni 및 Mn로 구성된 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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8
제1항에 있어서,상기 기판 하부에 위치하는 제2 자기 구조체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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제8항에 있어서,상기 제2 자기 구조체는 패턴된 구조인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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지지기판;상기 지지기판 상에 위치하는 패턴된 제1 자기구조체;상기 패턴된 제1 자기구조체 사이로 노출된 지지기판 상에 위치하는 p형 전극;상기 패턴된 제1 자기구조체 및 p형 전극 상에 위치하는 반사층;상기 반사층 상에 위치하는 p형 반도체층;상기 p형 반도체층 상에 위치하는 활성층;상기 활성층 상에 위치하는 n형 반도체층; 및상기 n형 반도체층과 전기적으로 연결된 n형 전극을 포함하는 발광 다이오드
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제10항에 있어서,상기 패턴된 제1 자기 구조체는 Co, Fe, Ni, Gd, Dy, NdFeB 및 이들의 2 이상의 합금 중 적어도 어느 하나의 강자성 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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제10항에 있어서,상기 패턴된 제1 자기 구조체는 자화 열처리된 것을 특징으로 하는 발광다이오드
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