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(a) 기판 상에 그래핀이 형성될 부위를 노출하는 홀을 가지는 마스크층을 형성하는 단계;(b) 상기 홀 내부에 충진물질을 채운 후 상기 마스크층 상을 포함하는 전체 면에 촉매금속층을 형성하고, 상기 충진물질을 제거하는 단계; 및(c) 적어도 상기 홀 내에서 노출된 상기 촉매금속층의 면에 그래핀을 형성하는 단계;를 포함하는 것인,패턴화된 그래핀의 직접 성장 방법
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제1항에 있어서,상기 충진물질은 습식 식각을 이용하여 제거하는 것인,패턴화된 그래핀의 직접 성장 방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 (c)는,적어도 상기 홀 내에서 노출된 상기 촉매금속층의 면에 그래핀을 형성하는 단계;상기 그래핀은 상기 기판에 접촉되도록 성장되는 단계; 및상기 촉매금속층 및 상기 마스크층을 제거하는 단계;를 더 포함하는 것인,패턴화된 그래핀의 직접 성장 방법
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제1항에 있어서, 상기 기판은,금속, 반도체 또는 절연체인 것인 패턴화된 그래핀의 직접 성장 방법
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제1항에 있어서, 상기 마스크층은,SiO2, W, TiN, Al2O3, TiO2, Si3N4 및 SOG(Spin on glass) 중 어느 하나인 것인 패턴화된 그래핀의 직접 성장 방법
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제1항에 있어서, 상기 촉매금속층은,Ni, Co, Fe, Pt, Au, Al, Cr, Cu, Mg, Mn, Mo, Rh, Si, Ta, Ti, W, U, V, Zr, 황동(brass), 청동(bronze), 스테인레스 스틸(stainless steel) 및 Ge로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 금속 또는 합금을 포함하는 것인 패턴화된 그래핀의 직접 성장 방법
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제1항에 있어서, 상기 홀을 가지는 마스크층을 형성하는 단계는,포토리소그래피(photolithography) 또는 전자-빔 리소그래피(e-beam lithography)를 이용하는 것인 패턴화된 그래핀의 직접 성장 방법
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제1항에 있어서, 상기 촉매금속층을 형성하는 단계는,열증발장치(thermal evaporator), 전자빔증발장치(e-beam evaporator), 스퍼터(sputter) 또는 전기도금(electro-plating) 방법을 이용하는 것인 패턴화된 그래핀의 직접 성장 방법
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제1항에 있어서, 상기 그래핀을 형성하는 단계는,화학기상증착법(CVD)을 이용하는 것인 패턴화된 그래핀의 직접 성장 방법
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제1항에 있어서,상기 그래핀을 형성하기 위해 사용되는 탄소공급원은,일산화탄소, 이산화탄소, 메탄, 에탄, 에틸렌, 에탄올, 아세틸렌, 프로판, 부탄, 부타디엔, 펜탄, 펜텐, 사이클로펜타디엔, 헥산, 사이클로헥산, 벤젠, 톨루엔, PMMA(poly methyl methacrylate), PSS(PEDOT), PS(Polystyrene) 및 PAN(Polyacrylonitrile) 중 어느 하나로부터 선택되는 것인 패턴화된 그래핀의 직접 성장 방법
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