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기판 상에 형성된 제1전극;상기 제1전극 상에 형성된 캐소드 계면층과 광활성층의 복합층;상기 캐소드 계면층과 광활성층의 복합층 상에 형성된 애노드 계면층; 및상기 애노드 계면층 상에 형성된 제2전극을 포함하며,상기 캐소드 계면층을 형성하는 물질의 표면 에너지가 상기 광활성층을 형성하는 물질의 표면 에너지보다 큰 것인, 역구조 유기 전자소자
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제 1항에 있어서,상기 기판은 Si, SiO2, Ge, GaN, AlN, GaP, InP, GaAs, SiC, Al2O3, LiAlO3, MgO, 유리, 석영, 사파이어, 그래파이트, 그래핀 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 역구조 유기 전자소자
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제 1항에 있어서,상기 제1전극의 물질은 금속; 금속 합금; 금속 산화물; 금속과 금속 산화물의 조합; 및 전도성 고분자로 이루어진 군에서 선택되는 것인, 역구조 유기 전자소자
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제 1항에 있어서,상기 캐소드 계면층을 형성하는 물질은 아민기를 갖는 비공액 고분자인 것인, 역구조 유기 전자소자
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제 1항에 있어서,상기 캐소드 계면층을 형성하는 물질은 폴리에틸렌이민(Polyethyleneimine; PEI), 폴리아릴아민(Polyallylamine; PAA), 폴리리신(Polylysine; PLS) 중 적어도 하나 이상인 것인, 역구조 유기 전자소자
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제 1항에 있어서,상기 광활성층을 형성하는 물질은 전자 수용체 및 전자 공여체를 포함하고 헤테로정션(bulkhetero junction, BHJ) 구조인 것인, 역구조 유기 전자소자
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제 1항에 있어서,상기 애노드 계면층을 형성하는 물질은 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜):폴리(스티렌술포네이트)(poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate), PEDOT:PSS), 비페닐트리티오펜(bi-phenyl-tri-thiophene, BP3T), 폴리아릴아민, 폴리(N-비닐카바졸)(poly(N-vinylcarbazole), 폴리아닐린(polyaniline), 폴리피롤(polypyrrole), N,N,N',N'-테트라키스(4-메톡시페닐)-벤지딘(N,N,N',N'-tetrakis(4-methoxyphenyl)-benzidine, TPD), 4-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐-아미노]비페닐(4-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenyl-amino]biphenyl, α-NPD), m-MTDATA, 4,4',4"-트리스(N-카바졸릴)-트리페닐아민(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)-triphenylamine, TCTA), 몰리브덴 산화물, 바나듐 산화물 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 역구조 유기 전자소자
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제 1항에 있어서,상기 제2전극의 물질은 금속; 금속 합금; 및 Li와 Al을 포함하는 다층 구조 물질로 이루어지는 군에서 선택되는 것인, 역구조 유기 전자소자
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제 1항에 있어서,상기 애노드 계면층과 상기 제2전극 사이에,추가적인 캐소드 계면층과 광활성층의 복합층; 및 상기 추가적인 캐소드 계면층과 광활성층의 복합층 상에 형성된 애노드 계면층을 적어도 하나 더 포함하는, 역구조 유기 전자소자
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제1전극이 구비된 기판을 준비하는 단계;상기 제1전극 상에 캐소드 계면물질과 광활성 물질의 혼합물을 도포하여 수직적 상분리에 의하여 캐소드 계면층과 광활성층의 복합층을 형성하고, 상기 복합층 상에 애노드 계면층을 형성하는 단계; 및상기 애노드 계면층 상에 제2전극을 형성하는 단계를 포함하며,상기 캐소드 계면물질의 표면 에너지가 상기 광활성 물질의 표면 에너지보다 큰 것인, 역구조 유기 전자소자의 제조방법
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제 11항에 있어서, 상기 캐소드 계면물질과 광활성 물질의 혼합물은,상기 캐소드 계면물질을 제1용매에 녹인 제1용액과 상기 광활성 물질을 제2용매에 녹인 제2용액의 혼합물인 것인, 역구조 유기 전자소자의 제조방법
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제 13항에 있어서상기 제1용매 및 상기 제2용매는 물, 유기용매, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것인, 역구조 유기 전자소자의 제조방법
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제 11항에 있어서,상기 캐소드 계면물질은 아민기를 갖는 비공액 고분자인 것인, 역구조 유기 전자소자의 제조방법
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제 11항에 있어서,상기 캐소드 계면물질은 폴리에틸렌이민(Polyethyleneimine; PEI), 폴리아릴아민(Polyallylamine; PAA), 폴리리신(Polylysine; PLS) 중 적어도 하나 이상인 것인, 역구조 유기 전자소자의 제조방법
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제 11항에 있어서,상기 광활성 물질은 전자 수용체 및 전자 공여체를 포함하고 헤테로정션(bulkhetero junction, BHJ) 구조인 것인, 역구조 유기 전자소자의 제조방법
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제 11항에 있어서,상기 캐소드 계면물질과 광활성 물질의 혼합물은 스핀 코팅법, 롤(roll) 코팅법, 스프레이 코팅법, 플로(flow) 코팅법, 잉크젯 프린팅법, 노즐 프린팅법, 딥 코팅법, 테이프 캐스팅법, 스크린 프린팅법, 패드(pad) 프린팅법, 닥터 블레이드 코팅법, 그래비어 프린팅법, 열전사법, 또는 그래비어 오프셋 프린팅법에 의하여 상기 제1전극 상에 도포되는 것인, 역구조 유기 전자소자의 제조방법
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제 11항에 있어서,상기 애노드 계면층을 형성하는 단계 이후, 상기 애노드 계면층 상에 제2전극을 형성하는 단계 이전에, 추가적인 캐소드 계면층과 광활성층의 복합층을 형성하고, 상기 추가적인 캐소드 계면층과 광활성층의 복합층 상에 애노드 계면층을 형성하는 것을 적어도 1회 더 수행하는, 역구조 유기 전자소자의 제조방법
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