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실리콘 기판;상기 실리콘 기판 상에 위치하는 제1 언도프트 GaN층;상기 제1 언도프트 GaN층 상에 위치하며, 다공성 GaN층 및 제2 언도프트 GaN층이 교대로 반복 적층된 구조를 갖는 DBR층 패턴;상기 DBR층 패턴 상에 위치하며, n형 GaN 반도체층, 활성층, 및 p형 GaN 반도체층이 순차적으로 적층된 발광 적층체; 및상기 n형 GaN 반도체층 및 상기 p형 GaN 반도체층과 각각 전기적으로 접속되는 n형 전극 및 p형 전극을 포함하는 발광다이오드
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제1항에 있어서,상기 DBR층 패턴은 600nm 내지 800nm의 파장 영역에서 피크반사율을 갖는 것을 특징으로 하는 발광다이오드
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실리콘 기판 상에 제1 언도프트 GaN층을 형성하는 단계;상기 제1 언도프트 GaN층 상에, 다공성 GaN층 및 제2 언도프트 GaN층이 교대로 반복 적층된 구조를 갖는 DBR층 패턴을 형성하는 단계; 상기 DBR층 패턴 상에 n형 GaN 반도체층, 활성층, 및 p형 GaN 반도체층이 순차적으로 적층된 발광적층체를 형성하는 단계; 및상기 n형 GaN 반도체층 및 상기 p형 GaN 반도체층과 각각 전기적으로 접속되는 n형 전극 및 p형 전극을 형성하는 단계를 포함하는 발광다이오드의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 DBR층 패턴을 형성하는 단계는,상기 제1 언도프트 GaN층 상에 예비 n형 GaN층 및 제2 언도프트 GaN층이 교대로 반복 적층하는 하는 단계;상기 교대로 반복 적층된 n형 GaN 반도체층 및 제2 언도프트 GaN층의 표면 일부가 노출되도록 마스크층을 패터닝하여 적층된 예비 n형 GaN층 및 제2 언도프트 GaN층을 관통하는 비아홀을 형성하는 단계;상기 비아홀 내 측면을 측면식각하여 상기 예비 n형 GaN층으로부터 다공성 GaN층을 형성하는 단계; 및상기 비아홀 내에 언도프트 GaN을 충진하여 DRB층 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 발광다이오드의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 측면식각은 옥살산(C2H2O4-2H2O), 수산화나트륨, 또는 수산화칼륨을 식각용액으로 사용하여 전기화학적 식각하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 식각용액의 농도는 0
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제6항에 있어서,상기 전기화학적 식각은 15℃ 내지 60℃의 온도범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 다공성 GaN층을 형성하는 단계는,상기 예비 n형 GaN계 반도체층 일부분의 금속원소가 상기 식각 용액의 수산화기와 결합한 뒤, 상기 식각용액에 용해되어 형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 비아홀을 형성하는 단계는 유도결합 플라즈마 공정을 사용하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 유도결합 플라즈마 공정은 BCl3 및 Cl2로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 가스를 포함하는 가스 분위기하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
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