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발광다이오드로서:기판;상기 기판 상에 형성되고 선택 성장된 다수개의 돌출구조를 가지는 제1반도체층;상기 제1반도체층 상에 있어서 상기 제1반도체층의 다수개의 돌출구조 상에 형성된 활성층;상기 활성층 상에 형성된 제2반도체층;상기 제2반도체층 상에 형성된 제1전극; 및상기 기판에 형성된 제2전극;을 포함하고,상기 다수개의 돌출구조들 사이의 이격공간은 상기 활성층, 상기 제2반도체층, 또는 상기 제1전극에 의해 채워지며, 상기 기판은 상기 제1반도체층의 노출하도록 일부가 제거되며, 상기 제1반도체층의 노출된 표면은 내부전반사 방지를 위해 식각된 패턴을 가지는 것인, 발광다이오드
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제1항에 있어서,상기 다수개의 돌출구조는, 상기 제1반도체층 상에 구멍을 다수개 가지는 선택성장 마스크를 배치하여 선택적으로 성장시킨 것인 발광다이오드
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제1항에 있어서, 상기 다수개의 돌출구조는,상기 제1반도체층의 결정 구조에서 a-비극성면(non-polar plane)들, a-반극성면(semi-polar plane)들, m-비극성면들 및 m-반극성면들 중 어느 하나를 채택하여 성장되는 것인 발광다이오드
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제4항에 있어서,잔류된 상기 선택성장 마스크를 더 포함하는 발광다이오드
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제1항에 있어서, 상기 제2전극은,상기 돌출구조를 포함하는 상기 기판을 기울여 증착하여 형성됨으로써 상기 기판의 일부 표면에 형성된 것인 발광다이오드
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(a) 기판 상에 제1반도체층을 형성하는 단계;(b) 상기 제1반도체층 상에 다수개의 구멍을 가지는 선택성장 마스크를 형성한 후 선택 성장을 통해 다수개의 돌출구조를 형성하는 단계;(c) 상기 선택성장 마스크를 잔류시킨 상태에서 증착 공정을 통해 상기 제1반도체층의 상기 다수개의 돌출구조 상에 활성층을 형성하는 단계;(d) 상기 활성층 상에 제2반도체층을 형성하는 단계;(e) 상기 제2반도체층 상에 제1전극을 형성하는 단계;(f) 상기 제1반도체층을 노출하도록 상기 기판의 일부를 식각하여 제거하는 단계; 및(g) 상기 돌출구조들을 포함하는 상기 기판을 기울인 상태로 상기 기판 상에 제2전극을 증착하여 형성하는 단계;를 포함하고,상기 다수개의 돌출구조들 사이의 이격공간은 상기 활성층, 상기 제2반도체층, 또는 상기 제1전극으로 채우며, 상기 기판의 일부를 제거하는 과정에서 노출된 제1반도체층의 표면을 함께 식각하여 내부전반사를 방지하는 패턴을 형성하는 것인 발광다이오드 제조방법
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제13항에 있어서, 단계 (b)는,상기 제1반도체층의 결정 구조에서 a-비극성면(non-polar plane)들, a-반극성면(semi-polar plane)들, m-비극성면들 및 m-반극성면들 중 어느 하나를 채택하여 성장되는 것인 발광다이오드 제조방법
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