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다공성 구조층을 이용한 발광다이오드의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015174561
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 다공성 구조층을 이용한 발광다이오드의 제조방법이 제공된다. 상세하게는, 기판 상에 다공성 구조층을 형성하는 단계, 상기 다공성 구조층 상에 차례로 제2 n-GaN층, 활성층, 및 p-GaN층으로 구성된 발광 적층체를 형성하는 단계, 및 상기 다공성 구조층을 식각하여 상기 발광 적층체로부터 상기 기판을 분리하는 단계를 포함하며, 상기 다공성 구조층은 언도프트 GaN층, 희생패턴층 및 예비 n-GaN층의 n형 도펀트 식각에 의해 형성되는 나노포러스 GaN층을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드를 제조할 수 있다. 이에, 다공성 구조층을 이용하여 기판을 분리함으로써 발광다이오드의 제조시 기판 분리 공정을 용이하게 수행할 수 있다. 또한, 다공성 구조층의 식각을 통해 발광 적층체에 가해질 수 있는 손상을 감소시킴으로써, 제조공정 수율 및 이를 적용한 발광 소자의 광출력을 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 33/12 (2010.01) H01L 33/20 (2010.01)
CPC H01L 33/12(2013.01) H01L 33/12(2013.01)
출원번호/일자 1020130153876 (2013.12.11)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-1525768-0000 (2015.05.29)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150604) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.12.11)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박성주 대한민국 광주광역시 북구
2 이광재 대한민국 광주광역시 북구
3 김상조 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.12.11 수리 (Accepted) 1-1-2013-1134165-43
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.08.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.09.12 수리 (Accepted) 9-1-2014-0071386-80
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0748906-16
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.12.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1273145-46
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2014-1273144-01
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.04.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0266800-37
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2015.05.22 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0492284-10
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.05.22 수리 (Accepted) 1-1-2015-0492283-75
10 등록결정서
Decision to Grant Registration
2015.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0354990-80
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번호 청구항
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기판 상에 다공성 구조층을 형성하는 단계;상기 다공성 구조층 상에 차례로 n-GaN층, 활성층, 및 p-GaN층으로 구성된 발광 적층체를 형성하는 단계; 및상기 다공성 구조층을 식각하여 상기 발광 적층체로부터 상기 기판을 분리하는 단계를 포함하며,상기 다공성 구조층은 예비 n-GaN층의 n형 도펀트 식각에 의해 형성되는 나노포러스 GaN층, 상기 나노포러스 GaN층의 일면에 형성되는 하나의 언도프트 GaN층, 및 상기 나노포러스 GaN층의 타면에 형성되되, 상기 타면과 교대로 접촉하는, 다른 하나의 언도프트 GaN층과 희생패턴층을 포함하며,상기 다공성 구조층을 형성하는 단계는,기판 상에 희생패턴층을 형성하는 단계;상기 희생패턴층의 내측면에 제1 언도프트 GaN층을 형성하는 단계;상기 제1 언도프트 GaN층 및 희생패턴층 상에 예비 n-GaN층을 형성하는 단계;상기 예비 n-GaN층에 n형 도펀트 식각을 수행하여 나노포러스 GaN층으로 변화시키는 단계; 및상기 나노포러스 GaN층 상에 제2 언도프트 GaN층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 예비 n-GaN층에 n형 도펀트 식각을 수행하여 형성되는 나노포러스 GaN층은,예비 n-GaN층의 n형 도펀트의 농도와 식각 전압을 조절하는 전기화학적 식각을 통해 공극들이 형성되는 나노포러스 GaN층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 희생패턴층은 SiO2 또는 SiN로 구성하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
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제3항에 있어서,상기 희생패턴층은 0
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제3항에 있어서,상기 희생패턴층은 리소그라피 공정을 통해 패터닝되는 것으로, 격자 패턴 또는 스트라이프 패턴으로 구성하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 다공성 구조층을 식각하여 상기 발광 적층체로부터 상기 기판을 분리하는 단계는,HF, KOH, NaOH, H3PO4, NaOCl, NaCl, H2SO4, HCl, H2O2, 및 2종 이상의 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 식각용액을 이용한 습식식각 공정을 통해 수행되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
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8 8
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패밀리정보가 없습니다
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