| 1 |
1
기판;상기 기판 상에 위치하며, p형 질화물계 반도체층, 활성층, 및 n형 질화물계 반도체층이 순서대로 적층된 발광구조체;상기 발광구조체 상에 위치하는 언도프트 GaN층; 및상기 언도프트 GaN층 상에 위치하고, 상부표면이 요철구조를 갖는 다공성 GaN층을 포함하는 수직형 발광다이오드
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 다공성 GaN층의 기공들은 서로 다른 굴절률을 갖는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 다공성 GaN층의 굴절률은 1
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 다공성 GaN층의 기공의 직경은 5nm 내지 200nm인 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 기판과 상기 발광구조체 사이에 금속 반사층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드
|
| 6 |
6
희생기판 상에 제1 언도프트 GaN층을 형성하는 단계;상기 제1 언도프트 GaN층 상에 다공성 GaN층을 형성하는 단계;상기 다공성 GaN층 상에 n형 질화물계 반도체층, 활성층, 및 p형 질화물계 반도체층을 순서대로 적층하여 발광구조체를 형성하는 단계;상기 발광구조체 상에 리셉터기판을 형성하는 단계;상기 희생기판을 분리하는 단계; 및상기 제1 언도프트 GaN층 및 다공성 GaN층의 상부표면을 에칭하여 상부표면이 요철구조를 갖는 다공성 GaN층을 형성하는 단계를 포함하는 수직형 발광다이오드의 제조방법
|
| 7 |
7
제6항에 있어서,상기 제1 언도프트 GaN층 상에 다공성 GaN층을 형성하는 단계 및 상기 발광구조체를 형성하는 단계 사이에,상기 다공성 GaN층 상에 제2 언도프트 GaN층을 형성하는 단계를 더 포함하는 수직형 발광다이오드의 제조방법
|
| 8 |
8
제6항에 있어서,상기 다공성 GaN층을 형성하는 단계는, 상기 제1 언도프트 GaN층 상에 예비 n형 GaN층을 형성하는 단계; 및상기 예비 n형 GaN층을 식각하여 상기 예비 n형 GaN층으로부터 다공성 GaN층을 형성하는 단계를 포함하는 수직형 발광다이오드의 제조방법
|
| 9 |
9
제8항에 있어서,상기 예비 n형 GaN층을 식각시,옥살산(C2H2O4-2H2O), 수산화나트륨, 또는 수산화칼륨을 식각용액으로 사용하여 전기화학적 식각하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드의 제조방법
|
| 10 |
10
제6항에 있어서,상기 발광구조체를 형성하는 단계와 상기 리셉터기판을 형성하는 단계 사이에 상기 발광구조체 상에 금속 반사층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드의 제조방법
|
| 11 |
11
제6항에 있어서,상기 상부표면이 요철구조를 갖는 다공성 GaN층을 형성하는 단계는 ICP 공정을 사용하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드의 제조방법
|
| 12 |
12
제6항에 있어서,상기 희생기판을 분리하는 단계는 LLO 공정을 사용하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드의 제조방법
|
