| 1 |
1
성장기판 상에 n-GaN층, 활성층, p-GaN층, 및 p형 전극이 순차적으로 적층된 복수 개의 발광 다이오드 소자층들을 형성하는 단계;상기 복수 개의 발광 다이오드 소자층들 사이의 이격 공간에 레이저 차단층을 형성하는 단계;상기 레이저 차단층과 접착제가 형성된 표적기판을 접착시키는 단계; 및레이저 리프트 오프 공정을 통해 상기 성장기판을 제거하여 상기 복수 개의 발광 다이오드 소자층들을 상기 표적기판으로 전사하는 것이며,상기 레이저 차단층은 Cr, Au, Al, Ag, Ti, In, Sn, Zn, Pd, Pt, Ni, Mo, W 또는 이들의 합금 중 선택되는 어느 하나의 금속층인 것을 특징으로 하는 레이저 차단층을 이용한 발광 다이오드의 전사방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 성장기판 상에 상기 복수 개의 발광 다이오드 소자층들을 형성하는 단계 이후에,상기 p형 전극이 형성된 영역을 제외한 상기 발광 다이오드 소자층들의 노출된 영역 상에 절연층을 형성하는 단계가 더 포함되고,상기 레이저 차단층의 형성 단계에서 상기 절연층 상에도 상기 레이저 차단층이 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 전사방법
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 복수 개의 발광 다이오드 소자층들 사이의 이격 공간에 레이저 차단층을 형성하는 단계는,상기 복수 개의 발광 다이오드 소자층들의 상부 표면에도 형성됨을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 전사방법
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 레이저 차단층은 0
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 복수 개의 발광 다이오드 소자층들 사이의 이격 공간에 레이저 차단층을 형성하는 단계 이후에, 상기 복수 개의 발광 다이오드 소자층들 사이에 고분자 지지층을 충진하여 상기 복수 개의 발광 다이오드 소자층들의 표면 편평도를 유지하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 전사방법
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 접착제는 전도성 접착제로서, 실리콘 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 폴리이미드 수지 또는 이들 수지와 금속을 배합한 혼합물 중 선택되는 어느 하나를 포함하는 열경화성 수지인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 전사방법
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 복수 개의 발광 다이오드 소자층들을 상기 표적기판으로 전사하는 단계는, 상기 복수 개의 발광 다이오드 소자층들 사이의 레이저 차단층이 제거됨을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 전사방법
|
