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하기 화학식 1로 표시되는 광결정 소재용 고분자:[화학식 1]위 화학식에서, 상기 R1은 (i) C6내지 C40아릴기, 또는 (ii) N, O, S 중에서 선택된 헤테로 원자를 포함하는 C2내지 C30헤테로아릴기, 또는 (iii) 하기 화학식 3의 치환기 중에서 선택되고, 하기 화학식 3에 표시된 *는 결합 부위를 나타내며,[화학식 3]상기 R2는 (i) C6 내지 C40 아릴기, (ii) N, O, S 중에서 선택된 헤테로 원자를 포함하는 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 또는 (iii) 트리페닐아민기 중에서 선택되며, 상기 n은 1 내지 1000 사이의 정수이다
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제1항에 있어서, 상기 R1은 하기 화학식 2 내지 4 중에 선택되고, 하기 화학식에서 화학식에 표시된 *는 결합 부위를 나타내며:[화학식 2][화학식 3][화학식 4];상기 R2는 하기 화학식 5a, 6a, 7a, 8a, 9a, 9b, 10a, 10b, 11a, 11b, 12 중에서 선택되고, 하기 화학식에서 m은 3 내지 10의 정수이며, 하기 화학식에서 화학식에 표시된 *는 결합 부위를 나타내는 것을 특징으로 하는 광결정 소재용 고분자: [화학식 5a] [화학식 6a] [화학식 7a] [화학식 8a] [화학식 9a][화학식 9b][화학식 10a][화학식 10b][화학식 11a][화학식 11b][화학식 12]
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제2항에 있어서, 상기 화학식 5a, 6a, 7a, 8a의 치환기는 각각 하기 화학식 5b, 6b, 7b, 8b의 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 광결정 소재용 고분자:[화학식 5b][화학식 6b][화학식 7b][화학식 8b]
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하기 반응식 1에 따라 화학식 13의 화합물을 화학식 14 화합물과 반응시키는 단계를 포함하는 화학식 1의 광결정 소재용 고분자의 제조방법:[반응식1] (13) (14) (1)[화학식 1]상기 R1은 하기 화학식 2 내지 4 중에 선택되고, 하기 화학식에서 화학식에 표시된 *는 결합 부위를 나타내며:[화학식 2][화학식 3][화학식 4];상기 R2는 하기 화학식 5a, 6a, 7a, 8a, 9a, 9b, 10a, 10b, 11a, 11b, 12 중에서 선택되고, 하기 화학식에서 m은 3 내지 10의 정수이며, 하기 화학식에서 화학식에 표시된 *는 결합 부위를 나타낸다: [화학식 5a] [화학식 6a] [화학식 7a] [화학식 8a] [화학식 9a][화학식 9b][화학식 10a][화학식 10b][화학식 11a][화학식 11b][화학식 12]
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제4항에 있어서, 상기 화학식 13의 화합물과 화학식 14의 화합물은 1:1 내지 1:500의 몰비로 반응시키는 것을 특징으로 하는 광결정 소재용 고분자의 제조방법
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하기 단계를 포함하는 화학식 1의 광결정 소재용 고분자의 제조방법:(A) 하기 반응식 2에 따라 화학식 15의 화합물을 화학식 14의 화합물과 반응시켜 화학식 16의 고분자를 수득하는 단계:[반응식2]; (15) (14) (16)(B) 하기 반응식 3에 따라 상기 화학식 16의 고분자를 화학식 17의 고분자로 전환하는 단계:[반응식 3]; (16) (17)(C) 하기 반응식 4에 따라 상기 화학식 17의 고분자를 하기 화학식 18의 화합물 반응시켜 화학식 1의 고분자를 수득하는 단계:[반응식 4] (17) (18) (1)[화학식 1]상기 R1은 하기 화학식 2 내지 4 중에 선택되고, 하기 화학식에서 화학식에 표시된 *는 결합 부위를 나타내며:[화학식 2][화학식 3][화학식 4];상기 R2는 하기 화학식 5a, 6a, 7a, 8a, 9a, 9b, 10a, 10b, 11a, 11b, 12 중에서 선택되고, 하기 화학식에서 m은 3 내지 10의 정수이며, 하기 화학식에서 화학식에 표시된 *는 결합 부위를 나타낸다: [화학식 5a] [화학식 6a] [화학식 7a] [화학식 8a] [화학식 9a][화학식 9b][화학식 10a][화학식 10b][화학식 11a][화학식 11b][화학식 12]
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제6항에 있어서, 상기 (A) 단계에서 화학식 15의 화합물과 화학식 14의 화합물은 1:1 내지 1:500의 몰비로 반응시키는 것을 특징으로 하는 광결정 소재용 고분자의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 (B) 단계는 테트라노르말부틸 암모늄 플로라이드를 사용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 광결정 소재용 고분자의 제조방법
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