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질화물계 발광소자의 제조방법

기술번호 : KST2015174572
담당센터 : 광주기술혁신센터
전화번호 : 062-360-4654

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	실리콘 기판; 상기 실리콘 기판 상에 형성된 AlN층; 및 상기 AlN층 상에 형성된 GaN층을 포함하는 질화물계 발광소자의 제조방법에 있어서, 상기 AlN층을 형성하는 단계는, 온도를 일정하게 유지하면서 상기 실리콘 기판 상에 Al 소스를 도입하는 단계; 온도를 상승시키면서 Al 소스와 N 소스를 동시에 공급하여 AlN을 성장시키는 단계; 상승된 온도를 일정하게 유지하면서 N 소스의 공급을 중단하고 Al 소스를 재도입하는 단계; 및 온도를 재상승시키면서 Al 소스와 N 소스를 동시에 공급하여 AlN을 재성장시키는 단계를 포함하는, 질화물계 발광소자의 제조방법의 제조방법이 제공된다.본 발명에 따르면, 가격이 저렴하고 높은 결정성 및 대면적 웨이퍼 공정이 가능한 실리콘 기판을 활용하면서도 기판 상에 형성되는 GaN 층의 결함을 줄이고 크랙 발생을 감소시켜 전기적 특성이 향상된 발광소자를 제공할 수 있다. 또한, AlN 및 GaN의 박막 결정성의 향상, 전위 전파 차단, 하부 잔류응력 완화를 통하여 내부양자효율을 향상시키고 발광효율이 크게 증가된 발광소자를 제공할 수 있다.
Int. CL	H01L 33/12 (2010.01)
CPC	H01L 33/0079(2013.01) H01L 33/0079(2013.01) H01L 33/0079(2013.01) H01L 33/0079(2013.01)
출원번호/일자	1020140055535 (2014.05.09)
출원인	광주과학기술원
등록번호/일자	10-1532267-0000 (2015.06.23)
공개번호/일자
공고번호/일자	(20150630) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2014.05.09)
심사청구항수	7

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	광주과학기술원	대한민국	광주광역시 북구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	박성주	대한민국	광주광역시 북구
2	이광재	대한민국	광주광역시 북구
3	김상조	대한민국	광주광역시 북구
4	오세미	대한민국	광주광역시 북구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인이상	대한민국	서울특별시 서초구 바우뫼로 **(양재동, 우도빌딩 층)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	광주과학기술원	대한민국	광주광역시 북구

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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2014.05.09	수리 (Accepted)	1-1-2014-0437388-02
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2015.01.15	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2015.03.13	수리 (Accepted)	9-1-2015-0018408-54
4	등록결정서 Decision to grant	2015.06.19	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0410465-24

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 실리콘 기판; 상기 실리콘 기판 상에 형성된 AlN층; 및 상기 AlN층 상에 형성된 GaN층을 포함하는 질화물계 발광소자의 제조방법에 있어서, 상기 AlN층을 형성하는 단계는,온도를 일정하게 유지하면서 상기 실리콘 기판 상에 Al 소스를 도입하는 단계;온도를 상승시키면서 Al 소스와 N 소스를 동시에 공급하여 AlN을 성장시키는 단계; 상승된 온도를 일정하게 유지하면서 N 소스의 공급을 중단하고 Al 소스를 재도입하는 단계; 및온도를 재상승시키면서 Al 소스와 N 소스를 동시에 공급하여 AlN을 재성장시키는 단계를 포함하는, 질화물계 발광소자의 제조방법
2	2 제 1항에 있어서,상기 Al 소스를 재도입하는 단계 및 상기 AlN을 재성장시키는 단계는 1회 또는 복수회 수행되는 것인, 질화물계 발광소자의 제조방법
3	3 제 1항 또는 제2항에 있어서,상기 Al 소스는 유기알루미늄인 것인, 질화물계 발광소자의 제조방법
4	4 제 1항 또는 제2항에 있어서,상기 N 소스는 암모니아인 것인, 질화물계 발광소자의 제조방법
5	5 제 1항에 있어서,상기 Al 소스를 도입하는 단계에서의 온도는 600~800℃인 것인, 질화물계 발광소자의 제조방법
6	6 제 1항에 있어서,상기 Al 소스를 재도입하는 단계에서의 온도는 700~930℃인 것인, 질화물계 발광소자의 제조방법
7	7 제 1항에 있어서,상기 AlN을 재성장시키는 단계 완료 후의 온도는 1000~1100℃인 것인, 질화물계 발광소자의 제조방법

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특허 등록번호	10-1532267-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20140509 출원 번호 : 1020140055535 공고 연월일 : 20150630 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20150619 청구범위의 항수 : 7 유별 : H01L 33/12 발명의 명칭 : 질화물계 발광소자의 제조방법 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 광주과학기술원 광주광역시 북구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	159,000 원	2015년 06월 23일	납입
제 4 년분	금 액	97,000 원	2018년 04월 06일	납입
제 5 년분	금 액	97,000 원	2019년 04월 01일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2014.05.09	수리 (Accepted)	1-1-2014-0437388-02
2	선행기술조사의뢰서	2015.01.15	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2015.03.13	수리 (Accepted)	9-1-2015-0018408-54
4	등록결정서	2015.06.19	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0410465-24

중요키워드

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