맞춤기술찾기

이전대상기술

열전도강화층을 포함하는 질화물계 발광 다이오드 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015174626
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 열전도강화층을 포함하는 질화물계 발광 다이오드 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 기판 상에 형성된 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 상에 형성된 광활성층, 상기 광활성층 상에 형성된 제2 도전형 반도체층, 상기 광활성층 및 상기 제2 도전형 반도체층을 관통하고, 상기 제1 도전형 반도체층의 적어도 일부 영역이 노출되도록 형성된 비아홀, 상기 비아홀 내주면에 증착된 열전도 강화층, 상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 접속되는 제1 전극, 및 상기 제2 도전형 반도체층에 전기적으로 접속되는 제2전극을 포함한다. 이에, 열전도 강화층을 포함하는 질화물계 발광다이오드는 발광다이오드 소자 내의 접합으로 인한 열 발생을 감소시킬 수 있고, 발광다이오드 소자 내부에서 직접적으로 열을 외부로 방출할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 33/08 (2010.01) H01L 33/20 (2010.01)
CPC H01L 33/08(2013.01) H01L 33/08(2013.01) H01L 33/08(2013.01)
출원번호/일자 1020130121322 (2013.10.11)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-1555864-0000 (2015.09.21)
공개번호/일자 10-2015-0042549 (2015.04.21) 문서열기
공고번호/일자 (20150930) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.10.11)
심사청구항수 8

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박성주 대한민국 광주광역시 북구
2 정세희 대한민국 광주광역시 북구
3 임용철 대한민국 광주광역시 북구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.10.11 수리 (Accepted) 1-1-2013-0920706-91
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.06.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2014-0057779-91
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0746905-13
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2014-1276949-52
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.01.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0100267-17
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2015-0100266-61
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.05.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0328589-29
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.06.05 수리 (Accepted) 1-1-2015-0546235-94
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2015.06.05 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0546236-39
11 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2015.07.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0443114-87
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.07.07 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0655284-44
13 [지정기간단축]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Reduction of Designated Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2015.07.07 수리 (Accepted) 1-1-2015-0655285-90
14 등록결정서
Decision to Grant Registration
2015.09.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0643628-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 형성된 제1 도전형 반도체층;상기 제1 도전형 반도체층 상에 형성된 광활성층;상기 광활성층 상에 형성된 제2 도전형 반도체층;상기 광활성층 및 상기 제2 도전형 반도체층을 관통하고, 상기 제1 도전형 반도체층의 적어도 일부 영역이 노출되도록 형성된 비아홀;상기 비아홀 내주면에 증착된 열전도 강화층;상기 비아홀 내주면과 상기 열전도 강화층 사이에 배치된 절연층;상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 접속되는 제1 전극; 및상기 제2 도전형 반도체층에 전기적으로 접속되는 제2전극을 포함하고,상기 열전도 강화층은 질화붕소(BN), 그라핀(graphene), DLC(diamond like carbon), 및 탄화규소(SiC)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것인, 질화물계 발광다이오드
2 2
제1항에 있어서,상기 발광다이오드는 수평형 구조 또는 수직형 구조인 것을 특징으로 하는 질화물계 발광다이오드
3 3
제2항에 있어서,상기 발광다이오드가 수직형 구조일 경우, 상기 제1 전극은 상기 비아홀 내부에 충진된 것을 특징으로 하는 질화물계발광다이오드
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서,상기 제1 전극 또는 제2 전극은 도트 패턴, 라인 패턴, 또는 핑거패턴의 구조를 포함하는 질화물계 발광다이오드
7 7
기판 상에 제1 도전형 반도체층을 형성하는 단계;상기 제1 도전형 반도체층 상에 광활성층을 형성하는 단계;상기 광활성층 상에 제2 도전형 반도체층을 형성하는 단계;상기 광활성층 및 상기 제2 도전형 반도체층을 관통하고, 상기 제1 도전형 반도체층의 적어도 일부 영역이 노출되도록 비아홀을 형성하는 단계;상기 비아홀 내주면에 절연층을 증착하는 단계;상기 비아홀 내 절연층 상에 열전도 강화층을 증착하는 단계;상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 접속되는 제1 전극을 형성하는 단계; 및상기 제2 도전형 반도체층에 전기적으로 접속되는 제2전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 열전도 강화층은 질화붕소(BN), 그라핀(Graphene), DLC(diamond like carbon), 및 탄화규소(SiC)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것인, 질화물계 발광다이오드의 제조방법
8 8
삭제
9 9
제7항에 있어서,상기 절연층을 증착하는 단계에서,상기 제2 도전형 반도체층 상에 증착된 절연층을 제거하기 위하여 선택적 에칭 또는 경사 에칭 공정을 이용하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광다이오드의 제조방법
10 10
삭제
11 11
희생 기판 상에 제1 도전형 반도체층을 형성하는 단계;상기 제1 도전형 반도체층 상에 광활성층을 형성하는 단계;상기 광활성층 상에 제2 도전형 반도체층을 형성하는 단계;상기 제2 도전형 반도체층 상에 리셉터 기판을 부착하는 단계;상기 희생 기판을 분리하는 단계;상기 제1 도전형 반도체층 및 상기 광활성층을 관통하되, 상기 제2 도전형 반도체층의 적어도 일부 영역이 노출되도록 비아홀을 형성하는 단계;상기 비아홀 내주면에 절연층을 증착하는 단계;상기 비아홀 내의 상기 절연층 상에 열전도 강화층을 형성하는 단계; 상기 비아홀 내에 제1 전극을 형성하는 단계; 및상기 제2 도전형 반도체층에 전기적으로 접속되는 제2전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 열전도 강화층은 질화붕소(BN), 그라핀(Graphene), DLC(diamond like carbon), 및 탄화규소(SiC)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것인, 질화물계 발광다이오드의 제조방법
12 12
삭제
13 13
제11항에 있어서,상기 절연층을 증착하는 단계에서,상기 제1 도전형 반도체층 상에 증착된 절연층을 제거하기 위하여 선택적 에칭 또는 경사 에칭 공정을 이용하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광다이오드의 제조방법
14 14
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 광주과학기술원 선도연구센터지원사업 극초단 레이저 분광기술 개발 및 에너지 광소자 응용
2 지식경제부 한국광기술원 기술혁신사업 전력변환효율 75%급 LED 광소자공정 및 표준 분석 기술개발