맞춤기술찾기

이전대상기술

마이크로 크기의 다공성 표면구조 형성방법

  • 기술번호 : KST2015174652
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 레이저를 이용하여 미소 구조물을 제작하는 것으로서, 더욱 자세하게는 레이저를 이용하여 대상 물질에 발생하는 열 에너지가 대류 현상을 일으켜 형성되는 미세 파장(capillary wave)을 이용하여 마이크로 미터 크기의 반복된 3차원 구조를 갖는 문양을 형성하는 방법에 관한 것이다.또한, 본 발명의 또 다른 목적은 레이저를 이용하여 태양전지 표면에 마이크로 미터 크기의 미세한 다공성 구조를 형성하여 광학적으로 접합 면적을 높여 입사광의 흡수율을 증가시켜 에너지 변환 효율을 높이는 방법에 관한 것이다. 구체적으로, 레이저를 이용하여 광 에너지를 전달시켜 대상 물질에 형성되는 미세 표면 파장(capillary wave)과 상폭발(phase explosion) 현상을 이용하여 마이크로 미터 크기의 다공성 굴곡을 형성시켜 태양전지의 광학적 접합 면적을 넓힘으로 광변환 효율을 향상시키는 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 31/0236 (2006.01)
CPC H01L 31/0236(2013.01) H01L 31/0236(2013.01) H01L 31/0236(2013.01)
출원번호/일자 1020130154525 (2013.12.12)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-1573044-0000 (2015.11.24)
공개번호/일자 10-2015-0068640 (2015.06.22) 문서열기
공고번호/일자 (20151202) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.01.08)
심사청구항수 6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 노도영 대한민국 광주광역시 북구
2 손준곤 대한민국 광주광역시 북구
3 최정원 대한민국 광주광역시 북구
4 강현철 대한민국 광주광역시 동구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.12.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-1137724-81
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.01.08 수리 (Accepted) 1-1-2014-0019320-15
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2014.01.23 수리 (Accepted) 1-1-2014-0073161-18
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.11.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.12.11 수리 (Accepted) 9-1-2014-0094530-42
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.12.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0881103-02
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.02.17 수리 (Accepted) 1-1-2015-0167256-18
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.03.20 수리 (Accepted) 1-1-2015-0272690-40
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.03.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0282032-18
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.03.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-0282000-57
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0590268-13
12 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2015.09.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0926393-02
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.09.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-0926389-18
14 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2015.10.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0711645-73
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.10.22 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-1024717-13
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.10.22 수리 (Accepted) 1-1-2015-1024713-31
17 등록결정서
Decision to Grant Registration
2015.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0808203-58
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
매질과 접촉해 있는 조사 대상체의 표면에 상기 매질을 통과한 빛을 조사하는 단계를 포함하는 표면 텍스처링 처리방법에 있어서,상기 빛은 매질에 바로 입사되고,상기 조사 대상체는 실리콘 또는 실리콘 질화물(SiNx) 또는 실리콘 탄화물이며,(단, 상기 x=0
2 2
제1항에 있어서, 상기 빛의 광원은 상기 매질에 함침되어 있을 수도 있고, 또는 상기 매질 밖에 위치할 수도 있는 것을 특징으로 하는 표면 텍스처링 처리방법
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
제1항에 있어서, 상기 빛의 광원은 직진성을 갖는 레이저 다이오드, 레이저 등으로 구성되는 것을 특징으로 하는 표면 텍스처링 처리방법
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
제1항, 제2항 및 제8항 중 어느 한 항에 따라 표면에 텍스처링 처리된 조사 대상체
12 12
제11항에 따른 조사 대상체를 포함하는 태양전지용 소자
13 13
제11항에 따른 조사 대상체를 포함하는 촉매
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 광주과학기술원 선도연구센터지원사업(NCRC) 극한 광응용 기술 국가핵심연구센터(6/7)