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단일집적 Ｅ／Ｄ 모드 ＨＥＭＴ 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015174677
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 단일집적 E/D 모드 HEMT는 반도체 기판 상에 순차적으로 형성되는 버퍼층, 채널층, 스페이서층, 제1 장벽층, 제2 장벽층, 제3 장벽층 및 상기 제3 장벽층과 오믹접촉하는 오믹층과, 상기 제3 장벽층이 노출되도록 상기 오믹층이 식각되어 형성되는 제1 노출영역과, 제2 장벽층이 노출되도록 상기 오믹층 및 상기 제3 장벽층이 식각되어 형성되는 제2 노출영역 및 상기 제1 노출영역 및 제2 노출영역에 각각 형성되는 상에 형성된 게이트 전극을 구비하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 균일한 문턱 전압을 갖는 단일 집적 E/D 모드 HEMT 소자의 제조가 가능하며, 인핸스먼트 HEMT 제작에 사용되는 제2 장벽층은 게이트 금속과의 전위장벽값을 증가시켜서 요구되는 인핸스먼트 HEMT 소자의 문턱 전압을 얻기 위한 전체 장벽층 두께를 증가시켜, 인핸스먼트 HEMT의 게이트 정전 용량의 감소를 통해 트랜지스터의 속도 특성을 향상시키고, 또한 인핸스먼트 HEMT의 게이트 누설 전류의 감소를 통해 트랜지스터의 DC 특성을 향상시킨다.HEMT, 문턱 전압, 선택적 식각, 인핸스먼트 모드, 디플리션 모드
Int. CL H01L 29/778 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020000060200 (2000.10.13)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0379619-0000 (2003.03.27)
공개번호/일자 10-2002-0029463 (2002.04.19) 문서열기
공고번호/일자 (20030410) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.10.13)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송종인 대한민국 광주광역시북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허진석 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)(특허법인아주김장리)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.10.13 수리 (Accepted) 1-1-2000-0214757-33
2 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2002.02.08 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2002-0042135-90
3 반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2002.02.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2002-0011899-19
4 반려통지서
Notice for Return		 2002.03.20 수리 (Accepted) 1-5-2002-0020874-90
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2002.03.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2002.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0152732-86
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2002.05.14 수리 (Accepted) 9-1-2002-0003758-18
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2002.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2002-0201772-94
9 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2002.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2002-0242962-67
10 의견서
Written Opinion		 2002.08.30 수리 (Accepted) 1-1-2002-0283360-97
11 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2002.08.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-0283368-51
12 등록결정서
Decision to grant		 2003.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0072450-96
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.11.19 수리 (Accepted) 4-1-2003-5076055-97
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2004-0031183-30
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

반절연 GaAs 기판 상에 순차적으로 형성되는, 도핑이 되지 않은 GaAs, GaAs/AlxGa1-xAs(0<x≤1) 초격자 또는 GaAs와 GaAs/AlxGa1-xAs(0<x≤1) 초격자가 혼합된 결정층으로 이루어지는 버퍼층, 도핑이 되지 않은 GaAs 또는 InxGa1-xAs(0<x≤0

2 2

반절연 GaAs 기판 상에 순차적으로 형성되는, 도핑이 되지 않은 GaAs, GaAs/AlxGa1-xAs(0<x≤1) 초격자 또는 GaAs와 GaAs/AlxGa1-xAs(0<x≤1) 초격자가 혼합된 결정층으로 이루어지는 버퍼층, 도핑이 되지 않은 InxGa1-xAs(0<x≤0

3 3

반절연 GaAs 기판 상에 순차적으로 형성되는, 도핑이 되지 않은 GaAs, GaAs/AlxGa1-xAs(0<x≤1) 초격자 또는 GaAs와 GaAs/AlxGa1-xAs(0<x≤1) 초격자가 혼합된 결정층으로 이루어지는 버퍼층, 도핑이 되지 않은 InxGa1-xAs(0<x≤0

4 4

반절연 GaAs 기판 상에 순차적으로 형성되는, 도핑이 되지 않은 GaAs, GaAs/AlxGa1-xAs(0<x≤1) 초격자 또는 GaAs와 GaAs/AlxGa1-xAs(0<x≤1) 초격자가 혼합된 결정층으로 이루어지는 버퍼층, 도핑이 되지 않은 InxGa1-xAs(0<x≤0

5 5

삭제
6 6

삭제
7 7

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8 8

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9 9

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10 10

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11 11

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12 12

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13 13

반도체 기판 상에 버퍼층, 채널층, 스페이서층, 제1 장벽층, 제2 장벽층, 제3 장벽층 및 상기 제3 장벽층과 오믹접촉하는 오믹층을 순차적으로 형성하는 단계;

상기 제3 장벽층이 노출되도록 H2SO4:H2O2:H2O, H3PO4:H2O2:H2O 또는 NH4OH:H2O2:H2O 기반 용액으로 상기 오믹층을 식각하여 제1 노출영역을 형성하는 단계;

제2 장벽층이 노출되도록 H2SO4:H2O2:H2O, H3PO4:H2O2:H2O 또는 NH4OH:H2O2:H2O 기반 용액으로 상기 오믹층을 식각하고, HCl:H2O 또는 HCl:H3PO4 기반 용액으로 상기 제3 장벽층을 식각하여 제2 노출영역을 형성하는 단계; 및

상기 제1 노출영역 및 제2 노출영역 상에 게이트 전극을 각각 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 단일집적 E/D 모드 HEMT 제조방법

14 14

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP16511913 JP 일본 FAMILY
2 US06670652 US 미국 FAMILY
3 US20020177261 US 미국 FAMILY
4 WO2002031886 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2004511913 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP2004511913 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JP2004511913 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 US2002177261 US 미국 DOCDBFAMILY
5 US6670652 US 미국 DOCDBFAMILY
6 WO0231886 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.