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유전체 특성이 개선된 InGaAs산화막의 형성방법

  • 기술번호 : KST2015174733
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 액상산화에 의한 InGaAs 산화막의 형성방법에 관한 것으로, 본 발명의 산화막 형성방법은 (a) 산성도가 조절된 소정의 액상산화용액에 의해 InGaAs 내의 Ga 및 As를 산화하는 단계와, (b) 전기 (a)단계에서 산화된 InGaAs 산화막내의 금속 In을 산소 플라즈마 처리하여 산화하는 단계를 포함하는 InGaAs 산화막의 형성방법을 포함한다. 상기 구성에 의하면 반도체 화합물내의 금속 In을 산화하는 것이 가능하여 완전한 유전체의 특성을 발휘할 수 있다.
Int. CL H01L 21/208 (2006.01)
CPC H01L 21/0234(2013.01) H01L 21/0234(2013.01)
출원번호/일자 1020010084246 (2001.12.24)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0454230-0000 (2004.10.14)
공개번호/일자 10-2003-0054131 (2003.07.02) 문서열기
공고번호/일자 (20041026) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.12.24)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송종인 대한민국 광주광역시북구
2 강신재 대한민국 광주광역시북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2001.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2001-0344032-56
2 공지예외적용주장대상(신규성,출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)
2001.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2001-5353206-43
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2003.09.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2003.10.14 수리 (Accepted) 9-1-2003-0047838-27
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2003.11.19 수리 (Accepted) 4-1-2003-5076055-97
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2003.12.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0496406-19
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2004.02.09 수리 (Accepted) 1-1-2004-0053452-85
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2004.03.10 수리 (Accepted) 1-1-2004-0100102-13
9 의견서
Written Opinion
2004.04.08 수리 (Accepted) 1-1-2004-0145159-92
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2004.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2004-0031183-30
11 등록결정서
Decision to grant
2004.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0305925-15
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
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번호 청구항
1 1

액상산화에 의한 InGaAs 산화막의 형성방법에 있어서,

(a) 산성도가 조절된 소정의 액상산화용액에 의해 InGaAs 내의 Ga 및 As를 산화하는 단계와,

(b) 전기 (a)단계에서 산화된 InGaAs 산화막내의 금속 In을 산소 플라즈마 처리하여 산화하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 InGaAs 산화막의 형성방법

2 2

제 1항에 있어서,

액상산성용액은 Ga 또는 In을 질산에 용해하여 제조됨을 특징으로 하는InGaAs 산화막의 형성방법

3 3

제 1항에 있어서,

산성도는 pH 약 4∼5 정도임을 특징으로 하는 InGaAs 산화막의 형성방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.