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패턴화된 전면전극을 포함하는 태양전지부; 및상기 태양전지부의 상부에 광투과부 및 광굴절 패턴부로 이루어진 커버글라스가 배치되며,상기 커버글라스는, 상기 광투과부 및 상기 광굴절 패턴부 상에 형성된 복수개의 광반사 방지요철을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈
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제1항에 있어서,상기 태양전지부 및 상기 커버글라스 사이에 봉지재가 더 배치되는 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈
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제1항에 있어서,상기 광굴절 패턴부는 상기 전면전극의 패턴과 대응되는 형상의 패턴으로 형성된 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈
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제1항에 있어서,상기 광굴절 패턴부는 복수개의 마이크로 크기의 프리즘 형상이 일정간격으로 배치된 형상인 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈
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제4항에 있어서,상기 프리즘 형상의 밑면에 대한 빗변의 각도가 10도 내지 70도인 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈
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제4항에 있어서,상기 프리즘 형상의 폭은 상기 전면전극의 패턴 폭보다 1 ㎛ 내지 10 ㎛ 정도 더 넓은 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈
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제1항에 있어서,상기 광반사 방지요철은 요철의 끝이 뾰족한 테이퍼드(tapered) 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈
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제1항에 있어서,상기 광반사 방지요철은 250nm 내지 300nm의 높이로 형성된 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈
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패턴화된 전면전극을 형성한 태양전지부 및 커버글라스를 준비하는 단계;상기 커버글라스 상에 광굴절 패턴부를 형성하는 단계;상기 광굴절 패턴부가 형성된 커버글라스 상에 광반사 방지요철을 형성하는 단계; 및상기 광반사 방지요철을 형성한 커버글라스를 상기 태양전지부의 상부에 부착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈의 제조방법
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제9항에있어서,상기 광반사 방지요철을 형성한 커버글라스를 상기 태양전지부 상부에 부착하는 단계 이전에, 상기 태양전지부와 상기 커버글라스 사이를 충진하기 위한 봉지재를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈의 제조방법
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제9항에있어서,상기 커버글라스 상에 광굴절 패턴부를 형성하는 단계는,상기 전면전극의 패턴과 대응되는 형상의 패턴으로 상기 광굴절 패턴부를 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 커버글라스 상에 광굴절 패턴부를 형성하는 단계는,포토리소그래피를 이용하여 상기 커버글라스 상에 패턴화된 SiNx층을 형성하는 단계; 및상기 패턴화된 SiNx층이 형성된 커버글라스를 습식식각하여 복수개의 프리즘 형상이 일정간격으로 배치된 광굴절 패턴부를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 습식식각은 45% 내지 50% 농도의 HF 용액에 5분 내지 10분의 시간 동안 침지하여 수행하는 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈의 제조방법
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제9항에있어서,상기 광굴절 패턴부가 형성된 커버글라스에 광반사 방지요철을 형성하는 단계에서,상기 광굴절 패턴부가 형성되지 않은 커버글라스 영역인 광투과부에도 상기 광반사 방지요철을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 광굴절 패턴부가 형성된 커버글라스에 광반사 방지요철을 형성하는 단계는,상기 커버글라스 상에 반응성 이온 식각 방법을 이용하여 건식식각을 수행하는 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 건식식각은 CF4 및 산소가 혼합된 가스를 이용하여 5분 내지 10분의 시간 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈의 제조방법
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