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활성층과 상하부 반도체 물질층을 포함하는 발광부 ;상기 상하부 반도체 물질층 중 어느 하나 위에 형성되는 저굴절층 ; 및상기 저굴절층 상에 형성되는 반사전극을 포함하고, 상기 저굴절층 내의 밀도가 상기 반사전극 방향으로 점진적으로 감소 또는 증가하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제 1항에 있어서, 상기 밀도의 감소 또는 증가에 따라 상기 저굴절층의 굴절률이 연속적으로 감소 또는 증가하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제 1항에 있어서, 상기 저굴절층은 단일층 내에서 밀도가 불균일한 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제 1항에 있어서, 상기 저굴절층은 MgF2, CaF2, LiF, BaF2, PbF2, NaF, AlF, BaF2, BeF2, CdF2, CsF, ThF4, YF3, ITO, ZnO, SnO2, Ga2O3, BeO, In2O3, SiO2, Si3N4, CuO, Cu2O, WO3, TiO2, AgO, AgO2, NiO, MgO, Al2O3, TiO2 Ta2O5 및 ZnS의 군에서 선택되는 어느 하나 이상의 화합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제 1항에 있어서, 상기 저굴절층이 형성되는 반도체 물질층은 p-형 반도체 물질층인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제 2항에 있어서, 상기 저굴절층의 굴절률이 2
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제 2항에 있어서, 상기 저굴절층의 굴절률이 상기 반사전극 방향으로 점진적으로 1 내지 1
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제 1항에 있어서, 상기 저굴절층의 굴절률이 상기 반도체 물질층과 반사전극 사이의 굴절률 범위에서 변하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제 1항에 있어서, 상기 저굴절층은 소정의 형상으로 패터닝된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제 1항에 있어서, 상기 저굴절층은 두께가 0
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제 1항에 있어서, 상기 소자는 저굴절층과 상부 반도체 물질층 사이에 제 2 저굴절층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제 1항에 있어서, 상기 소자는 저굴절층이 부분적으로 형성된 상기 반도체 물질층 상에 전류흐름층을 추가로 포함하거나 상기 저굴절층과 상기 반도체 물질층 사이에 전류흐름층을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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기판 상에 활성층과 상하부 반도체 물질층을 포함하는 발광부를 형성하는 단계 ; 상기 상하부 반도체 물질층 중 어느 하나 위에 저굴절층을 형성하는 단계 ; 및 상기 저굴절층 상에 반사전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 저굴절층 형성단계는 증착 온도를 증가 또는 감소시켜 증착되는 저굴절층의 밀도를 점진적으로 증가 또는 감소시키는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조 방법
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제 13항에 있어서, 상기 저굴절층 형성 단계는 이빔(e-beam) 증착 및 이온빔(ion-beam) 중 어느 하나 이상을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법
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제 13항에 있어서, 상기 저굴절층 형성 단계는 이온빔을 이용한 이빔(e-beam) 증착을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법
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제 13항에 있어서, 상기 저굴절층은 MgF2, CaF2, LiF, BaF2, PbF2, NaF, AlF, BaF2, BeF2, CdF2, CsF, ThF4, YF3, ITO, ZnO, SnO2, Ga2O3, BeO, In2O3, SiO2, Si3N4, CuO, Cu2O, WO3, TiO2, AgO, AgO2, NiO, MgO, Al2O3, TiO2 Ta2O5 및 ZnS의 군에서 선택되는 어느 하나 이상의 화합물을 증착하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법
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제 13항에 있어서, 상기 저굴절층 형성단계는 상기 증착 온도를 1000℃ 내지 100℃ 사이의 온도에서부터 30℃/min~50℃/min의 속도로 감소시키는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법
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제 15항에 있어서, 상기 방법은 이온빔 가속기를 통해 Ar, N2 또는 O2 가스를 상기 상부 반도체 물질층 상에 조사하면서 저굴절층 화합물을 이빔 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자 제조 방법
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