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제 1 도전형 반도체층, 활성층, 제 2 도전형 반도체층, 제 1 전극 및 제 2 전극을 포함하는 발광소자로서, 상기 발광소자는 상기 활성층에서 생성된 광이 출사되는 광방출면에 형성된 광추출층을 포함하고, 상기 광추출층은 층 내의 밀도가 상기 활성층에서 멀어질수록 점진적으로 감소하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제 1항에 있어서, 상기 광추출층은 MgF2, CaF2, LiF, BaF2, PbF2, NaF, AlF, BaF2, BeF2, CdF2, CsF, ThF4, YF3, ITO, ZnO, SnO2, Ga2O3, BeO, In2O3, SiO2, Si3N4, CuO, Cu2O, WO3, TiO2, AgO, AgO2, NiO, MgO, Al2O3, TiO2 Ta2O5 및 ZnS의 군에서 선택되는 어느 하나 이상의 화합물층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제 1항에 있어서, 상기 광추출층의 밀도가 단일 층에서 연속적으로 감소하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제 1항에 있어서, 상기 광추출층의 굴절률이 상기 밀도 감소에 따라 연속적으로 감소하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제 1항에 있어서, 상기 광추출층의 굴절률이 상기 반도체층과 공기 사이의 굴절률을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제 1항에 있어서, 상기 광추출층과 광방출면 사이에 2
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제 1항에 있어서, 상기 광추출층은 소정의 형상으로 패터닝된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제 1항에 있어서, 상기 광추출층은 단일층 내에서 밀도가 불균일한 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제 1항에 있어서, 상기 광추출층은 두께가 0
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제 1항에 있어서, 상기 광추출층은 다층일 수 있으며, 상기 다층을 구성하는 어느 하나 이상의 단일층은 굴절률이 층 내에서 연속적으로 감소하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제 1항에 있어서, 상기 광추출층은 질화물 전극 구조의 상부층에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제 1 도전형 반도체층, 활성층, 제 2 도전형 반도체층, 제 1 전극 및 제 2 전극을 형성하는 단계 ;상기 활성층에서 생성된 광이 출사되는 광방출면에 광추출층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 광추출층 형성 단계는 증착 온도를 변화시켜 광추출층의 밀도를 상기 활성층에서 멀어질수록 점진적으로 감소시키는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법
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제 12항에 있어서, 상기 광추출층 형성 단계는 이빔(e-beam) 증착 및 이온빔(ion-beam) 중 어느 하나 이상을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법
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제 12항에 있어서, 상기 광추출층은 MgF2, CaF2, LiF, BaF2, PbF2, NaF, AlF, BaF2, BeF2, CdF2, CsF, ThF4, YF3, ITO, ZnO, SnO2, Ga2O3, BeO, In2O3, SiO2, Si3N4, CuO, Cu2O, WO3, TiO2, AgO, AgO2, NiO, MgO, Al2O3, TiO2 Ta2O5 및 ZnS의 군에서 선택되는 어느 하나 이상의 화합물층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법
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제 13항에 있어서, 상기 광추출층 형성단계는 상기 증착 온도를 1000℃ 내지 100℃ 사이의 온도에서부터 30℃/min~50℃/min의 속도로 감소시키는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법
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제 13항에 있어서, 상기 방법은 광추출층을 소정 형상으로 패터닝하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법
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제 14항에 있어서, 상기 방법은 이온빔 가속기를 통해 Ar 또는 O2 가스를 상기 광방출면상에 조사하면서 광추출층 화합물질을 이빔 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자 제조 방법
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제 17 항에 있어서, 상기 방법은 Ar 또는 O2가스를 0
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