| 1 |
1
적어도 2개의 외부 장벽층; 및 상기 적어도 2개의 외부 장벽층 사이에 각각 끼워진 적어도 하나의 연결 양자우물;을 구비하는 활성층을 포함하며,각각의 연결 양자우물은 적어도 3개의 양자우물층 및 상기 적어도 3개의 양자우물층들 사이에 각각 개재된 적어도 2개의 연결 장벽층을 포함하고,상기 적어도 3개의 양자우물층 중에서 양측 단부에 각각 배치된 2개의 양자우물층의 두께는 상기 양측 단부에 각각 배치된 2개의 양자우물층들 사이에 배치된 다른 양자우물층의 두께보다 작으며,상기 양측 단부에 각각 배치된 2개의 양자우물층의 에너지 준위는 상기 양측 단부에 각각 배치된 2개의 양자우물층들 사이에 배치된 상기 다른 양자우물층의 에너지 준위보다 높은 광학 소자
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| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 적어도 2개의 연결 장벽층의 에너지 준위는 바닥 준위보다 높고 상기 외부 장벽층의 에너지 준위보다 낮은 광학 소자
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| 3 |
3
제 1 항에 있어서,각각의 연결 양자우물은 순차적으로 적층된 제 1 양자우물층, 제 1 연결 장벽층, 제 2 양자우물층, 제 2 연결 장벽층 및 제 3 양자우물층을 포함하는 3중 연결 양자우물이며, 상기 제 1 및 제 2 연결 장벽층의 에너지 준위는 바닥 준위보다 높고 상기 외부 장벽층의 에너지 준위보다 낮은 광학 소자
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| 4 |
4
제 3 항에 있어서,상기 제 2 양자우물층의 두께는 상기 제 1 양자우물층의 두께와 제 3 양자우물층의 두께보다 크며, 상기 제 2 양자우물층의 에너지 준위는 상기 제 1 양자우물층의 에너지 준위와 제 3 양자우물층의 에너지 준위보다 낮은 광학 소자
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| 5 |
5
제 3 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 연결 장벽층은 전자와 정공의 터널링이 가능한 두께로 구성되어 있는 광학 소자
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| 6 |
6
제 3 항에 있어서,850nm의 사용 파장 대역에서,상기 제 1 및 제 3 양자우물층은 AlzGa1-zAs(0003c#z003c#1)을 포함하고, 상기 제 2 양자우물층은 GaAs을 포함하며, 상기 제 1 및 제 2 연결 장벽층은 AlyGa1-yAs(z003c#y003c#1)을 포함하고, 상기 외부 장벽층은 AlxGa1-xAs(z003c#y003c#x≤1)을 포함하는 광학 소자
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| 7 |
7
제 3 항에 있어서,기판을 더 포함하며,900nm 내지 1050nm의 사용 파장 대역에서, 상기 제 1 내지 제 3 양자우물층은 상기 기판에 대해 압축 변형을 갖는 재료로 이루어지고, 상기 외부 장벽층은 상기 기판에 대해 인장 변형을 갖는 재료로 이루어지는 광학 소자
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8
제 7 항에 있어서,상기 제 1 내지 제 3 양자우물층은 InxGa1-xAs(0
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9
제 3 항에 있어서,1550nm의 사용 파장 대역에서,상기 제 1 내지 제 3 양자우물층은 In1-xGaxAs 및 In1-x-yGaxAlyAs 중에 적어도 하나를 포함하고, 상기 제 1 및 제 2 연결 장벽층은 In1-x'-y'Gax'Aly'As(x'003c#x, y003c#y') 및 In1-x'Gax'AszP1-z(x'003c#x) 중에서 적어도 하나를 포함하며, 상기 외부 장벽층은 In1-x"-y"Gax"Aly"As(x"003c#x'003c#x, y003c#y'003c#y") 및 In1-x"Gax"Asz'P1-z'(x"003c#x'003c#x, z003c#z') 중에서 적어도 하나를 포함하며, 여기서 0003c# x, y, z 003c#1인 광학 소자
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| 10 |
10
제 1 도전형으로 도핑된 하부 반사층;상기 하부 반사층 위에 배치된 것으로, 적어도 2개의 외부 장벽층 및 상기 적어도 2개의 외부 장벽층 사이에 각각 끼워진 적어도 하나의 연결 양자우물을 구비하는 활성층; 및상기 활성층 위에 배치된 것으로, 제 1 도전형과 전기적으로 상반되는 제 2 도전형으로 도핑된 상부 반사층;을 포함하며,각각의 연결 양자우물은 적어도 3개의 양자우물층 및 상기 적어도 3개의 양자우물층들 사이에 각각 개재된 적어도 2개의 연결 장벽층을 포함하고,상기 적어도 3개의 양자우물층 중에서 양측 단부에 각각 배치된 2개의 양자우물층의 두께는 상기 양측 단부에 각각 배치된 2개의 양자우물층들 사이에 배치된 다른 양자우물층의 두께보다 작으며,상기 양측 단부에 각각 배치된 2개의 양자우물층의 에너지 준위는 상기 양측 단부에 각각 배치된 2개의 양자우물층들 사이에 배치된 상기 다른 양자우물층의 에너지 준위보다 높은 광학 소자
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11
제 10 항에 있어서,각각의 연결 양자우물은 순차적으로 적층된 제 1 양자우물층, 제 1 연결 장벽층, 제 2 양자우물층, 제 2 연결 장벽층 및 제 3 양자우물층을 포함하는 3중 연결 양자우물이며, 상기 제 1 및 제 2 연결 장벽층의 에너지 준위는 바닥 준위보다 높고 상기 외부 장벽층의 에너지 준위보다 낮은 광학 소자
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12
제 11 항에 있어서,상기 제 2 양자우물층의 두께는 상기 제 1 양자우물층의 두께와 제 3 양자우물층의 두께보다 크며, 상기 제 2 양자우물층의 에너지 준위는 상기 제 1 양자우물층의 에너지 준위와 제 3 양자우물층의 에너지 준위보다 낮은 광학 소자
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13
제 11 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 연결 장벽층의 두께는 상기 제 1 및 제 3 양자우물층의 두께와 같거나 또는 그보다 작은 광학 소자
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14
제 11 항에 있어서,기판을 더 포함하며,900nm 내지 1050nm의 사용 파장 대역에서, 상기 제 1 내지 제 3 양자우물층은 상기 기판에 대해 압축 변형을 갖는 재료로 이루어지고, 상기 외부 장벽층은 상기 기판에 대해 인장 변형을 갖는 재료로 이루어지는 광학 소자
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15
제 10 항에 있어서,상기 하부 반사층과 상기 상부 반사층 중에서 적어도 하나의 반사층 내에 배치되는 적어도 하나의 마이크로 캐비티층을 더 포함하며, 상기 광학 소자의 공진 파장을 λ라 할 때, 상기 활성층과 상기 적어도 하나의 마이크로 캐비티층은 λ/2의 정수배의 광학적 두께를 갖는 광학 소자
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16
제 10 항에 있어서,상기 적어도 하나의 연결 양자우물은:순차적으로 적층된 제 1 양자우물층, 제 1 연결 장벽층, 제 2 양자우물층, 제 2 연결 장벽층 및 제 3 양자우물층을 구비하는 적어도 하나의 제 1 연결 양자우물; 및순차적으로 적층된 제 4 양자우물층, 제 3 연결 장벽층, 제 5 양자우물층, 제 4 연결 장벽층 및 제 6 양자우물층을 구비하는 적어도 하나의 제 2 연결 양자우물;을 포함하며,상기 제 1 연결 양자우물의 제 2 양자우물층의 두께는 상기 제 2 연결 양자우물의 제 5 양자우물층의 두께와 상이한 광학 소자
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17
제 16 항에 있어서,상기 제 1 내지 제 4 연결 장벽층의 에너지 준위는 바닥 준위보다 높고 상기 외부 장벽층의 에너지 준위보다 낮은 광학 소자
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18
제 16 항에 있어서,상기 제 2 양자우물층의 두께는 상기 제 1 양자우물층의 두께와 제 3 양자우물층의 두께보다 크며, 상기 제 5 양자우물층의 두께는 상기 제 4 양자우물층의 두께와 제 6 양자우물층의 두께보다 큰 광학 소자
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19
제 16 항에 있어서,상기 제 2 양자우물층의 에너지 준위는 상기 제 1 양자우물층의 에너지 준위와 제 3 양자우물층의 에너지 준위보다 낮고, 상기 제 5 양자우물층의 에너지 준위는 상기 제 4 양자우물층의 에너지 준위와 제 6 양자우물층의 에너지 준위보다 낮은 광학 소자
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20
제 16 항에 있어서,상기 제 1 연결 양자우물의 제 1 양자우물층 및 제 3 양자우물층의 두께는 상기 제 2 연결 양자우물의 제 4 양자우물층 및 제 6 양자우물층의 두께와 각각 동일한 광학 소자
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21
제 10 항에 있어서,상기 광학 소자는 반사형 광변조기이며, 상기 하부 반사층의 반사도가 상기 상부 반사층의 반사도보다 높은 광학 소자
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22
제 10 항에 있어서,상기 광학 소자는 투과형 광변조기이며, 상기 하부 반사층의 하부에 배치된 반사방지 코팅을 더 포함하는 광학 소자
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23
제 1 도전형으로 도핑된 하부 반사층;상기 하부 반사층 위에 배치된 제 1 활성층;상기 제 1 활성층 위에 배치된 것으로, 제 1 도전형과 전기적으로 상반되는 제 2 도전형으로 도핑된 중간 반사층;상기 중간 반사층 위에 배치된 제 2 활성층; 및상기 제 2 활성층 위에 배치된 것으로, 제 1 도전형으로 도핑된 상부 반사층;을 포함하며,상기 제 1 및 제 2 활성층 중에서 적어도 하나는, 적어도 2개의 외부 장벽층 및 상기 적어도 2개의 외부 장벽층 사이에 각각 끼워진 적어도 하나의 연결 양자우물을 구비하고,각각의 연결 양자우물은 적어도 3개의 양자우물층 및 상기 적어도 3개의 양자우물층들 사이에 각각 개재된 적어도 2개의 연결 장벽층을 포함하며,상기 적어도 3개의 양자우물층 중에서 양측 단부에 각각 배치된 2개의 양자우물층의 두께는 상기 양측 단부에 각각 배치된 2개의 양자우물층들 사이에 배치된 다른 양자우물층의 두께보다 작고,상기 양측 단부에 각각 배치된 2개의 양자우물층의 에너지 준위는 상기 양측 단부에 각각 배치된 2개의 양자우물층들 사이에 배치된 상기 다른 양자우물층의 에너지 준위보다 높은 광학 소자
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24
제 23 항에 있어서,각각의 연결 양자우물은 순차적으로 적층된 제 1 양자우물층, 제 1 연결 장벽층, 제 2 양자우물층, 제 2 연결 장벽층 및 제 3 양자우물층을 포함하는 3중 연결 양자우물이며, 상기 제 1 및 제 2 연결 장벽층의 에너지 준위는 바닥 준위보다 높고 상기 외부 장벽층의 에너지 준위보다 낮은 광학 소자
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25
제 24 항에 있어서,상기 제 2 양자우물층의 두께는 상기 제 1 양자우물층의 두께와 제 3 양자우물층의 두께보다 크며, 상기 제 2 양자우물층의 에너지 준위는 상기 제 1 양자우물층의 에너지 준위와 제 3 양자우물층의 에너지 준위보다 낮은 광학 소자
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26
제 24 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 연결 장벽층의 두께는 상기 제 1 및 제 3 양자우물층의 두께와 같거나 또는 그보다 작은 광학 소자
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27
제 24 항에 있어서,기판을 더 포함하며,900nm 내지 1050nm의 사용 파장 대역에서, 상기 제 1 내지 제 3 양자우물층은 상기 기판에 대해 압축 변형을 갖는 재료로 이루어지고, 상기 외부 장벽층은 상기 기판에 대해 인장 변형을 갖는 재료로 이루어지는 광학 소자
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28
제 23 항에 있어서,상기 하부 반사층과 상기 상부 반사층 중에서 적어도 하나의 반사층 내에 배치되는 적어도 하나의 마이크로 캐비티층을 더 포함하며, 상기 광학 소자의 공진 파장을 λ라 할 때, 상기 활성층과 상기 적어도 하나의 마이크로 캐비티층은 λ/2의 정수배의 광학적 두께를 갖는 광학 소자
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제 23 항에 있어서,상기 적어도 하나의 연결 양자우물은:순차적으로 적층된 제 1 양자우물층, 제 1 연결 장벽층, 제 2 양자우물층, 제 2 연결 장벽층 및 제 3 양자우물층을 구비하는 적어도 하나의 제 1 연결 양자우물; 및순차적으로 적층된 제 4 양자우물층, 제 3 연결 장벽층, 제 5 양자우물층, 제 4 연결 장벽층 및 제 6 양자우물층을 구비하는 적어도 하나의 제 2 연결 양자우물;을 포함하며,상기 제 1 연결 양자우물의 제 2 양자우물층의 두께는 상기 제 2 연결 양자우물의 제 5 양자우물층의 두께와 상이한 광학 소자
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제 29 항에 있어서,상기 제 1 내지 제 4 연결 장벽층의 에너지 준위는 바닥 준위보다 높고 상기 외부 장벽층의 에너지 준위보다 낮은 광학 소자
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31
제 29 항에 있어서,상기 제 2 양자우물층의 두께는 상기 제 1 양자우물층의 두께와 제 3 양자우물층의 두께보다 크며, 상기 제 5 양자우물층의 두께는 상기 제 4 양자우물층의 두께와 제 6 양자우물층의 두께보다 큰 광학 소자
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32
제 29 항에 있어서,상기 제 2 양자우물층의 에너지 준위는 상기 제 1 양자우물층의 에너지 준위와 제 3 양자우물층의 에너지 준위보다 낮고, 상기 제 5 양자우물층의 에너지 준위는 상기 제 4 양자우물층의 에너지 준위와 제 6 양자우물층의 에너지 준위보다 낮은 광학 소자
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33
제 29 항에 있어서,상기 제 1 연결 양자우물의 제 1 양자우물층 및 제 3 양자우물층의 두께는 상기 제 2 연결 양자우물의 제 4 양자우물층 및 제 6 양자우물층의 두께와 각각 동일한 광학 소자
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