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유기 전자 소자로서:하부 구조 상에 형성된 유기고분자 광활성층; 및상기 광활성층 상에 배치된 금속산화물층을 포함하고,상기 광활성층의 내부에 상기 금속산화물층의 금속이온이 도핑되어 형성된 전하 수송 채널을 가지며,상기 금속산화물층의 금속산화물은 상기 유기고분자 광활성층 보다 PH가 낮은 것인,유기 전자 소자
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청구항 1에 있어서,상기 금속산화물층은 용액 상태로 도포되어 형성되는 것인,유기 전자 소자
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청구항 2에 있어서,상기 금속산화물층의 금속산화물은 바나듐 산화물(VOx), 몰리브데늄 산화물 (MoOx), 텅스텐 산화물 (WOx), 또는 니켈 산화물 (NiOx)인 것인,유기 전자 소자
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유기 전자 소자의 제조방법으로서:하부 구조 상에 유기고분자 광활성층을 형성하는 단계;상기 광활성층 상에 금속산화물 용액을 도포하여 금속산화물층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 금속산화물층의 금속이온이 상기 광활성층 내부로 도핑되어 전하 수송 채널을 형성하며,상기 금속산화물은 상기 유기고분자 광활성층 보다 PH가 낮은 것인,유기 전자 소자의 제조방법
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청구항 5에 있어서,상기 금속이온의 도핑 정도는 대기 시간, 상기 금속산화물 용액의 용매의 종류 또는 희석 농도를 통해 조절되는 것인,유기 전자 소자의 제조방법
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청구항 5에 있어서,상기 금속산화물은 바나듐 산화물(VOx), 몰리브데늄 산화물 (MoOx), 텅스텐 산화물 (WOx), 또는 니켈 산화물 (NiOx)인 것인,유기 전자 소자의 제조방법
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