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기판 상에 형성된 제1 n-GaN층, 제1 활성층, 제1 p-GaN층이 순차적으로 적층된 제1 발광구조물;상기 제1 발광구조물 상에 형성된 적어도 하나의 홀이 배치된 도전층; 상기 도전층의 상부에 형성되되, 상기 도전층의 적어도 하나의 홀의 위치와 대응되는 적어도 하나의 홀을 가진 절연층; 및상기 도전층 및 상기 절연층의 적어도 하나의 홀이 배치된 영역에 형성된 제2 p-GaN층 및 상기 제2 p-GaN층 상에 형성된 제2 활성층, 제2 n-GaN층이 순차적으로 적층된 제2 발광구조물을 포함하며,상기 제2 p-GaN층은, 상기 도전층 및 상기 절연층의 적어도 하나의 홀을 통해 상기 제1 p-GaN층을 재성장시켜 형성된 것이고,상기 제2 p-GaN층은 상기 도전층의 측벽 및 상기 절연층의 상면에 접촉되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드
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제1항에 있어서,상기 도전층이 상기 제2 발광구조물의 p형 콘택층(contact layer)으로 사용되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드
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제1항에 있어서,상기 발광다이오드는,제1 n-GaN층 상부의 일측에 형성된 제1 n형 전극;상기 제2 n-GaN층 상부의 일측에 형성된 제2 n형 전극; 및상기 도전층 상부의 일측에 형성된 p형 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드
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제3항에 있어서,상기 발광다이오드는,상기 도전층은 상기 p형 전극을 통해 전달되는 전류를 상기 제1 발광구조물 및 상기 제2 발광구조물로 확산시키는 전류확산층으로 사용되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드
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제3항에 있어서,상기 발광다이오드는, 상기 제1 발광구조물이 상기 제1 n형 전극과 상기 p형 전극의 연결로 구동되고, 상기 제2 발광구조물이 상기 제2 n형 전극과 상기 p형 전극의 연결로 구동되어, 상기 제1 발광구조물과 상기 제2 발광구조물의 동작제어가 독립적 또는 상호연관적으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광다이오드
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제1항에 있어서,상기 도전층은 상기 제2 p-GaN층의 성장을 위한 마스크 패턴으로 사용되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드
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제1항에 있어서,상기 도전층은 Co, Ni, Pt, Au, Se, Re, Ir, Pb, Ag, Cr, Zn, 및 일함수가 4
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기판 상에 제1 n-GaN층, 제1 활성층, 제1 p-GaN층을 순차적으로 적층하여 제1 발광구조물을 형성하는 단계;상기 제1 발광구조물 상에 적어도 하나의 홀을 가진 도전층을 형성하는 단계;상기 도전층의 적어도 하나의 홀의 위치와 대응되는 적어도 하나의 홀을 가진 절연층을 상기 도전층 상부에 형성하는 단계;상기 도전층 및 상기 절연층의 적어도 하나의 홀을 통해 제1 p-GaN층을 재성장시켜 상기 도전층 및 상기 절연층의 적어도 하나의 홀이 배치된 영역에 제2 p-GaN층을 형성하는 단계; 및상기 제2 p-GaN층 상에 제2 활성층, 제2 n-GaN층을 순차적으로 적층하여 제2 발광구조물을 형성하는 단계를 포함하는 것으로,상기 제2 p-GaN층은 상기 도전층의 측벽 및 상기 절연층의 상면에 접촉되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 발광다이오드의 제조방법은,상기 제2 발광구조물을 형성하는 단계 이후에,상기 제2 n-GaN층 상부의 일측에 제2 n형 전극을 형성하는 단계; 및상기 도전층 상부의 일측에 p형 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 제1 발광구조물 상에 적어도 하나의 홀을 가진 도전층을 형성하는 단계는,상기 제1 발광구조물 상에 도전층을 증착하는 단계; 및리소그래피 공정을 통해 상기 증착된 도전층에 적어도 하나의 홀이 배치된 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 도전층은 10nm 내지 1μm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 제2 p-GaN층을 형성하는 단계는 선택적 영역 성장(Selective Area Growth, SAG)방법을 통해 수행되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 절연층은 SiO2, SOG(spin on glass), 또는 900℃ 이하의 온도에서 내열성을 갖는 물질 중 선택되는 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
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