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다준위 에너지를 갖는 3중 연결 양자우물 구조를 포함하는 광학 소자
- 기술번호 : KST2015174817
- 담당센터 : 광주기술혁신센터
- 전화번호 : 062-360-4654
| 요약 | 개시된 광학 소자는, 적어도 2개의 외부 장벽층; 및 상기 적어도 2개의 외부 장벽층 사이에 각각 끼워진 적어도 하나의 연결 양자우물;을 구비하는 활성층을 포함할 수 있으며, 여기서 각각의 연결 양자우물은 적어도 3개의 양자우물층 및 상기 적어도 3개의 양자우물층 사이에 개재된 적어도 2개의 연결 장벽층을 포함하고, 상기 적어도 3개의 양자우물층 중에서 양측 단부에 각각 배치된 2개의 양자우물층의 두께는 상기 2개의 양자우물층 사이에 배치된 다른 양자우물층의 두께보다 작으며, 상기 양측 단부에 각각 배치된 2개의 양자우물층의 에너지 준위는 상기 2개의 양자우물층 사이에 배치된 다른 양자우물층의 에너지 준위보다 낮을 수 있다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 31/00 (2006.01.01) H01L 31/04 (2014.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01) |
| CPC | |
| 출원번호/일자 | 1020130134986 (2013.11.07) |
| 출원인 | 삼성전자주식회사, 광주과학기술원 |
| 등록번호/일자 | 10-2113256-0000 (2020.05.14) |
| 공개번호/일자 | 10-2015-0053156 (2015.05.15) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20200520) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2018.11.06) |
| 심사청구항수 | 24 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 삼성전자주식회사 | 대한민국 | 경기도 수원시 영통구 |
| 2 | 광주과학기술원 | 대한민국 | 광주광역시 북구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 조용철 | 대한민국 | 경기 수원시 영통구 |
| 2 | 이용탁 | 대한민국 | 광주 광산구 |
| 3 | 박창영 | 대한민국 | 경기 용인시 처인구 |
| 4 | 나병훈 | 대한민국 | 서울 강동구 |
| 5 | 박용화 | 대한민국 | 경기 용인시 수지구 |
| 6 | 주건우 | 대한민국 | 대구 남구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 리앤목특허법인 | 대한민국 | 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 삼성전자주식회사 | 경기도 수원시 영통구 | |
| 2 | 광주과학기술원 | 광주광역시 북구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2013.11.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-1016565-68 |
| 2 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2018.11.06 | 수리 (Accepted) | 1-1-2018-1098922-48 |
| 3 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2019.05.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 4 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2019.07.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-6-2019-0113975-81 |
| 5 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2019.10.18 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2019-0753963-09 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2019.12.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2019-1271530-58 |
| 7 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2019.12.09 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2019-1271531-04 |
| 8 | 등록결정서 Decision to grant |
2020.04.02 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2020-0241938-61 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 적어도 2개의 외부 장벽층; 및 상기 적어도 2개의 외부 장벽층 사이에 각각 끼워진 적어도 하나의 연결 양자우물;을 구비하는 활성층을 포함하며,각각의 연결 양자우물은 적어도 3개의 양자우물층 및 상기 적어도 3개의 양자우물층 사이에 개재된 적어도 2개의 연결 장벽층을 포함하고,상기 적어도 3개의 양자우물층 중에서 양측 단부에 각각 배치된 2개의 양자우물층의 두께는 상기 2개의 양자우물층 사이에 배치된 다른 양자우물층의 두께와 다르며,상기 양측 단부에 각각 배치된 2개의 양자우물층의 에너지 준위는 상기 2개의 양자우물층 사이에 배치된 상기 다른 양자우물층의 에너지 준위보다 낮고,상기 양측 단부에 각각 배치된 2개의 양자우물층은 서로 동일한 두께 및 서로 동일한 에너지 준위를 갖는 광학 소자 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서,상기 적어도 2개의 연결 장벽층의 포텐셜 에너지는 바닥 준위보다 높고 외부 장벽층의 에너지 준위보다 낮은 광학 소자 |
| 3 |
3 제 1 항에 있어서,상기 각각의 연결 양자우물은 순차적으로 적층된 제 1 양자우물층, 제 1 연결 장벽층, 제 2 양자우물층, 제 2 연결 장벽층 및 제 3 양자우물층을 포함하는 3중 연결 양자우물이고, 상기 제 1 및 제 2 연결 장벽층의 포텐셜 에너지는 바닥 준위보다 높고 외부 장벽층의 에너지 준위보다 낮은 광학 소자 |
| 4 |
4 제 3 항에 있어서,상기 제 1 양자우물층의 두께와 제 3 양자우물층의 두께는 상기 제 2 양자우물층의 두께보다 작으며, 상기 제 1 양자우물층의 에너지 준위와 제 3 양자우물층의 에너지 준위는 상기 제 2 양자우물층의 에너지 준위보다 낮은 광학 소자 |
| 5 |
5 제 3 항에 있어서,850nm의 사용 파장 대역에서,상기 제 1 및 제 3 양자우물층은 InzGa1-zAs(z=0 |
| 6 |
6 제 3 항에 있어서,1550nm의 사용 파장 대역에서,상기 제 1 내지 제 3 양자우물층으로서 InxGa1-xAs, In1-x-yGaxAlyAs, 및 In1-xGaxAszP1-z 중에 적어도 하나를 포함하고, 상기 연결 장벽층과 외부 장벽층은 In1-x-yGaxAlyAs 및 In1-xGaxAszP1-z (여기서, 0003c# x, y, z 003c#1) 중에서 적어도 하나를 포함하는 광학 소자 |
| 7 |
7 적어도 2개의 외부 장벽층; 상기 적어도 2개의 외부 장벽층 사이에 각각 끼워진 적어도 하나의 연결 양자우물을 구비하는 활성층; 및상기 활성층의 하부 표면과 상부 표면에 각각 배치된 하부 반사층과 상부 반사층;을 포함하며,각각의 상기 연결 양자우물은 적어도 3개의 양자우물층 및 상기 적어도 3개의 양자우물층 사이에 개재된 적어도 2개의 연결 장벽층을 포함하고,상기 적어도 3개의 양자우물층 중에서 양측 단부에 각각 배치된 2개의 양자우물층의 에너지 준위는 상기 2개의 양자우물층 사이에 배치된 다른 양자우물층의 에너지 준위보다 낮고,상기 양측 단부에 각각 배치된 2개의 양자우물층은 서로 동일한 두께 및 서로 동일한 에너지 준위를 갖는 광학 소자 |
| 8 |
8 제 7 항에 있어서,상기 광학 소자는 반사형 광변조기이며, 상기 하부 반사층의 반사도가 상기 상부 반사층의 반사도보다 높은 광학 소자 |
| 9 |
9 제 7 항에 있어서,상기 양측 단부에 각각 배치된 2개의 양자우물층의 두께는 상기 2개의 양자우물층 사이에 배치된 상기 다른 양자우물층의 두께보다 작은 광학 소자 |
| 10 |
10 제 7 항에 있어서,상기 하부 반사층과 상기 상부 반사층 중에서 적어도 하나의 반사층 내에 배치되는 적어도 하나의 마이크로 캐비티층을 더 포함하며, 상기 광학 소자의 공진 파장을 λ라 할 때, 상기 활성층과 상기 적어도 하나의 마이크로 캐비티층은 λ/2의 정수배의 광학적 두께를 갖는 광학 소자 |
| 11 |
11 제 7 항에 있어서,상기 활성층은:순차적으로 적층된 제 1 양자우물층, 제 1 연결 장벽층, 제 2 양자우물층, 제 2 연결 장벽층 및 제 3 양자우물층을 구비하는 적어도 하나의 제 1 연결 양자우물;순차적으로 적층된 제 4 양자우물층, 제 3 연결 장벽층, 제 5 양자우물층, 제 4 연결 장벽층 및 제 6 양자우물층을 구비하는 적어도 하나의 제 2 연결 양자우물; 및상기 제 1 연결 양자우물과 제 2 연결 양자우물 사이에 배치된 외부 장벽층;을 포함하며,상기 제 1 연결 양자우물의 제 2 양자우물층의 두께는 상기 제 2 연결 양자우물의 제 5 양자우물층의 두께와 상이한 광학 소자 |
| 12 |
12 제 11 항에 있어서,상기 제 1 내지 제 4 연결 장벽층의 포텐셜 에너지는 바닥 준위보다 높고 외부 장벽층의 에너지 준위보다 낮은 광학 소자 |
| 13 |
13 제 11 항에 있어서,상기 제 1 양자우물층의 두께와 제 3 양자우물층의 두께는 상기 제 2 양자우물층의 두께보다 작으며, 상기 제 4 양자우물층의 두께와 제 6 양자우물층의 두께는 상기 제 5 양자우물층의 두께보다 작은 광학 소자 |
| 14 |
14 제 11 항에 있어서,상기 제 1 양자우물층의 에너지 준위와 제 3 양자우물층의 에너지 준위는 상기 제 2 양자우물층의 에너지 준위보다 낮고, 상기 제 4 양자우물층의 에너지 준위와 제 6 양자우물층의 에너지 준위는 상기 제 5 양자우물층의 에너지 준위보다 낮은 광학 소자 |
| 15 |
15 제 11 항에 있어서,상기 제 1 연결 양자우물의 제 1 양자우물층 및 제 3 양자우물층의 두께는 상기 제 2 연결 양자우물의 제 4 양자우물층 및 제 6 양자우물층의 두께와 각각 동일한 광학 소자 |
| 16 |
16 제 11 항에 있어서,850nm의 사용 파장 대역에서,상기 제 1 및 제 3 양자우물층은 InzGa1-zAs(z=0 |
| 17 |
17 제 7 항에 있어서,상기 활성층은:순차적으로 적층된 제 1 양자우물층, 제 1 연결 장벽층, 제 2 양자우물층, 제 2 연결 장벽층 및 제 3 양자우물층을 구비하는 적어도 하나의 연결 양자우물; 및2개의 외부 장벽층 사이에 개재된 단일한 제 4 양자우물층을 구비하는 적어도 하나의 단일 양자우물;을 더 포함하는 광학 소자 |
| 18 |
18 하부 반사층;상기 하부 반사층 위에 배치된 제 1 활성층;상기 제 1 활성층 위에 배치된 중간 반사층;상기 중간 반사층 위에 배치된 제 2 활성층; 및상기 제 2 활성층 위에 배치된 상부 반사층;을 포함하며,상기 제 1 및 제 2 활성층 중에서 적어도 하나는, 적어도 2개의 외부 장벽층; 및 상기 적어도 2개의 외부 장벽층 사이에 각각 끼워진 적어도 하나의 연결 양자우물;을 구비하는 연결 양자우물 구조를 포함하고,각각의 연결 양자우물은 적어도 3개의 양자우물층 및 상기 적어도 3개의 양자우물층 사이에 개재된 적어도 2개의 연결 장벽층을 포함하며,상기 적어도 3개의 양자우물층 중에서 양측 단부에 각각 배치된 2개의 양자우물층의 두께는 상기 2개의 양자우물층 사이에 배치된 다른 양자우물층의 두께보다 작으며,상기 양측 단부에 각각 배치된 2개의 양자우물층의 에너지 준위는 상기 2개의 양자우물층 사이에 배치된 다른 양자우물층의 에너지 준위보다 낮은 광학 소자 |
| 19 |
19 제 18 항에 있어서,상기 적어도 2개의 연결 장벽층의 포텐셜 에너지는 바닥 준위보다 높고 외부 장벽층의 에너지 준위보다 낮은 광학 소자 |
| 20 |
20 제 18 항에 있어서,상기 각각의 연결 양자우물은 순차적으로 적층된 제 1 양자우물층, 제 1 연결 장벽층, 제 2 양자우물층, 제 2 연결 장벽층 및 제 3 양자우물층을 포함하는 3중 연결 양자우물이고, 상기 제 1 및 제 2 연결 장벽층의 포텐셜 에너지는 바닥 준위보다 높고 외부 장벽층의 에너지 준위보다 낮은 광학 소자 |
| 21 |
21 제 20 항에 있어서,상기 제 1 양자우물층의 두께와 제 3 양자우물층의 두께는 상기 제 2 양자우물층의 두께보다 작으며, 상기 제 1 양자우물층의 에너지 준위와 제 3 양자우물층의 에너지 준위는 상기 제 2 양자우물층의 에너지 준위보다 낮은 광학 소자 |
| 22 |
22 제 20 항에 있어서,850nm의 사용 파장 대역에서,상기 제 1 및 제 3 양자우물층은 InzGa1-zAs(z=0 |
| 23 |
23 제 18 항에 있어서,상기 하부 반사층과 상부 반사층은 제 1 전기적 타입으로 도핑되어 있고, 상기 중간 반사층은 제 1 전기적 타입과 전기적으로 상반되는 제 2 전기적 타입으로 도핑되어 있는 광학 소자 |
| 24 |
24 제 18 항에 있어서,상기 하부 반사층과 상기 상부 반사층 중에서 적어도 하나의 반사층 내에 배치되는 적어도 하나의 마이크로 캐비티층을 더 포함하며, 상기 광학 소자의 공진 파장을 λ라 할 때, 상기 활성층과 상기 적어도 하나의 마이크로 캐비티층은 λ/2의 정수배의 광학적 두께를 갖는 광학 소자 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | CN104638080 | CN | 중국 | FAMILY |
| 2 | EP02871515 | EP | 유럽특허청(EPO) | FAMILY |
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DOCDB 패밀리 정보
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| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-2113256-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20131107 출원 번호 : 1020130134986 공고 연월일 : 20200520 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20200402 청구범위의 항수 : 24 유별 : H01L 31/00 발명의 명칭 : 다준위 에너지를 갖는 3중 연결 양자우물 구조를 포함하는 광학 소자 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구... |
| 1 |
(권리자) 광주과학기술원 광주광역시 북구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 971,000 원 | 2020년 05월 15일 | 납입 |
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- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2013.11.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-1016565-68 |
| 2 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 | 2018.11.06 | 수리 (Accepted) | 1-1-2018-1098922-48 |
| 3 | 선행기술조사의뢰서 | 2019.05.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 4 | 선행기술조사보고서 | 2019.07.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-6-2019-0113975-81 |
| 5 | 의견제출통지서 | 2019.10.18 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2019-0753963-09 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2019.12.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2019-1271530-58 |
| 7 | [명세서등 보정]보정서 | 2019.12.09 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2019-1271531-04 |
| 8 | 등록결정서 | 2020.04.02 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2020-0241938-61 |
| 기술정보가 없습니다 |
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| 과제정보가 없습니다 |
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