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아연염, 침전제 및 과성장억제제를 함유하는 배양용액에 반응열을 가하여 형성된 산화아연 입자를 준비하는 단계;
상기 산화아연 입자를 용매에 분산시키는 단계;
상기 산화아연 입자를 분산시킨 용매를 이용하여 기판 상에 산화아연 씨드층을 형성하는 단계;
상기 씨드층 상에 다수개의 홀을 구비하는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;
아연염, 침전제 및 과성장억제제를 함유하는 배양용액을 제조하는 단계; 및
상기 배양용액 내에 상기 포토레지스트 패턴을 구비하는 기판을 침지하여 상기 홀 내에 산화아연 로드를 성장시키는 단계를 포함하는 산화아연 로드의 제조방법
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제 8 항에 있어서,
상기 산화아연 씨드층은 수열합성법, 졸-겔법 또는 환원법을 이용하여 산화아연 입자를 형성한 후, 스핀캐스팅하여 형성하는 산화아연 로드의 제조방법
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제 8 항에 있어서,
상기 산화아연 씨드층은 MOCVD, 증발법 또는 스퍼터링을 사용하여 형성하는 산화아연 로드의 제조방법
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제 8 항에 있어서,
상기 아연염은 Zn(NO3)2·H2O, C4H6O4Zn·2H2O 또는 ZnSO4·7H2O인 산화아연 로드의 제조방법
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제 8 항에 있어서,
상기 침전제는 C6H12N4, NaOH 또는 KOH인 산화아연 로드의 제조방법
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제 8 항에 있어서,
상기 과성장억제제는 양이온 폴리머인 산화아연 로드의 제조방법
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제 8 항에 있어서,
상기 과성장억제제는 하이퍼브랜치(hyperbranched) 형태를 가지는 산화아연 로드의 제조방법
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제 14 항에 있어서,
상기 과성장억제제는 아민기를 구비하는 폴리머인 산화아연 로드의 제조방법
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제 15 항에 있어서,
상기 과성장억제제는 폴리에틸렌이민인 산화아연 로드의 제조방법
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제 8 항에 있어서,
상기 과성장억제제는 상기 아연염 1M에 대하여 0
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제 8 항에 있어서,
상기 배양용액의 pH는 9 내지 11인 산화아연 로드의 제조방법
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