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제1 도전형 반도체층;상기 제1 도전형 반도체층 상에 형성되며, InxGa(1-x)N(0 ≤ x 003c# y)으로 이루어지는 양자장벽층과 InyGa(1-y)N(0 003c# y ≤ 1)으로 이루어지는 양자우물층이 적어도 1회 교대로 배치된 활성층; 및상기 활성층 상에 형성된 제2 도전형 반도체층을 포함하며,상기 양자장벽층은, 차례로 배치된 제1 그레이드층 및 제2 그레이드층, 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제1 그레이드층 사이에 배치된 제1 외부장벽층, 및 상기 제2 도전형 반도체층 및 상기 제2 그레이드층 사이에 배치된 제2 외부장벽층을 포함하고,상기 제1 그레이드층은 상기 제2 도전형 반도체층이 배치된 방향으로 갈수록 In의 함량이 증가하고, 상기 제2 그레이드층은 상기 제2 도전형 반도체층이 배치된 방향으로 갈수록 In의 함량이 감소하며,상기 제1 및 제2 외부장벽층은 GaN으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제 1항에 있어서상기 제1 및 제2 외부장벽층은 상기 제1 및 제2 그레이드층보다 두께가 두껍게 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제 1항에 있어서,상기 제1 그레이드층은 Inx1Ga(1-x1)N으로 이루어지되 상기 x1값이 0에서 z로 점차 증가하고, 상기 제2 그레이드층은 Inx2Ga(1-x2)N으로 이루어지되 x2값이 z에서 0으로 점차 감소하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제 5항에 있어서,상기 z값은 0
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제 5항에 있어서,상기 양자장벽층은 상기 제1 및 제2 그레이드층 사이에 배치되며, InzGa(1-z)N으로 이루어진 내부장벽층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제 1항에 있어서,상기 제1 및 제2 그레이드층의 두께는 각각 3 내지 50Å인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층; 및상기 제1 및 제2 도전형 반도체층 사이에 배치되며, 양자장벽층과 InyGa(1-y)N (0 003c# y 003c# 1)로 이루어지는 양자우물층이 적어도 1회 교대로 배치된 활성층을 포함하며,상기 양자장벽층은,InzGa(1-z)N (0 003c# z 003c# y)으로 이루어지는 내부장벽층과, 상기 제1 도전형 반도체층 및 상기 내부장벽층 사이에 배치된 제1 외부장벽층, 상기 제2 도전형 반도체층 및 상기 내부장벽층 사이에 배치된 제2 외부장벽층, 및상기 내부장벽층과 상기 제1 및 제2 외부장벽층 사이에 각각 배치되며, InxGa(1-x)N (0 ≤ x ≤ z)으로 이루어지되 In의 함량이 상기 내부장벽층에 가까울수록 증가하는 그레이드층들을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제 9항에 있어서,상기 그레이드층들은 각각 3 내지 50Å의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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