| 1 |
1
10nm 이하의 기공 크기(pore diameter) 피크를 나타내는 기공 크기 분포(pore size distribution)를 가지는, 이종금속으로 개질된(modified) 이트륨 히드록시카보네이트
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 이종금속으로 개질된 이트륨 히드록시카보네이트는 1 nm 내지 7nm의 피크를 나타내는 기공 크기 분포를 가지는, 이종금속으로 개질된 이트륨 히드록시카보네이트
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 이종금속으로 개질된 이트륨 히드록시카보네이트는 20 m2/g 내지 260 m2/g의 비표면적을 가지는, 이종금속으로 개질된 이트륨 히드록시카보네이트
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 이종금속으로 개질된 이트륨 히드록시카보네이트는 0
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 이종금속은 전이금속, 희토류 원소, 알칼리 금속, 알칼리 토금속 및 14족 원소 및 이들의 조합에서 선택되는, 이종금속으로 개질된 이트륨 히드록시카보네이트
|
| 6 |
6
제5항에 있어서,상기 이종금속은 티타늄(Ti), 바나듐(V), 망간(Mn), 크롬(Cr), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 칼슘(Ca), 마그네슘(Mg), 실리콘(Si) 및 이들의 조합에서 선택되는, 이종금속으로 개질된 이트륨 히드록시카보네이트
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 이종금속은 상기 이종금속으로 개질된 이트륨 히드록시카보네이트 총량에 대하여 0
|
| 8 |
8
제7항에 있어서,상기 이종금속은 상기 이종금속으로 개질된 이트륨 히드록시카보네이트 총량에 대하여 0
|
| 9 |
9
제1항에 있어서,상기 이종금속은 이트륨 히드록시카보네이트 구조에 이종금속의 산화물(MOx, 여기에서 M은 이종금속이고 x는 M의 가수에 따라 결정됨) 형태로 존재하는, 이종금속으로 개질된 이트륨 히드록시카보네이트
|
| 10 |
10
제1항에 있어서,상기 이종금속으로 개질된 이트륨 히드록시카보네이트는 무정형(shapeless) 구조를 가지는, 이종금속으로 개질된 이트륨 히드록시카보네이트
|
| 11 |
11
제10항에 있어서,상기 무정형 구조는 10nm 내지 30nm의 평균 입경을 가지는 입자를 포함하는, 이종금속으로 개질된 이트륨 히드록시카보네이트
|
| 12 |
12
제10항에 있어서, 상기 무정형 구조는 5 내지 200 nm의 평균 기공 크기를 가지는 기공을 포함하는, 이종금속으로 개질된 이트륨 히드록시카보네이트
|
| 13 |
13
제1항 내지 제12항에 따른 이종금속으로 개질된 이트륨 히드록시카보네이트를 포함하는 중금속 흡착제
|
| 14 |
14
제13항에 있어서,상기 중금속 흡착제는 비소 흡착제인 중금속 흡착제
|
| 15 |
15
제13항에 있어서,상기 중금속 흡착제는 비소 흡착성능이 250mg/g 이상인 중금속 흡착제
|
| 16 |
16
이트륨-함유 염 및 이종금속-함유 염을 포함하는 수용액을 준비하는 단계; 상기 수용액에 요소(urea)를 첨가하여 혼합물을 제조하는 단계; 상기 혼합물의 pH를 6 내지 8로 조절하여 침전물을 얻는 단계; 및 상기 침전물을 건조하는 단계를 포함하는, 제1항 내지 제12항에 따른 이종금속으로 개질된 이트륨 히드록시카보네이트의 제조방법
|
| 17 |
17
제16항에 있어서,상기 이종 금속-함유 염은 전이금속, 희토류 원소, 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 14족 원소 및 이들의 조합에서 선택되는 이종금속을 포함하는, 이종금속으로 개질된 이트륨 히드록시카보네이트의 제조방법
|
| 18 |
18
제1항 내지 제12항에 따른 이종금속으로 개질된 이트륨 히드록시카보네이트를 중금속 흡착제로 포함하는 필터 장치
|
