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n형 질화물 반도체층;상기 n형 질화물 반도체층 상에 배치되며, InGaN 양자우물층과 GaN 양자장벽층이 1회 이상 교대로 배치된 구조를 갖는 활성층;상기 활성층 상에 배치되며, InGaN을 함유하고 일부영역이 p도핑된 전자속박층;상기 전자속박층 상에 배치되며, 3족 전이원소를 포함하는 p형 질화물 반도체로 이루어진 전자장벽층; 및상기 전자장벽층 상에 배치된 p형 질화물 반도체층을 포함하는 발광다이오드
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제1항에 있어서,상기 전자속박층은 활성층의 최상층 우물층 상에 위치하는 제1 GaN층;상기 제1 GaN층 상에 위치하는 언도프트 InGaN층; 및상기 언도프트 InGaN층 상에 위치하는 p도핑된 InGaN층을 포함하는 발광다이오드
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제2항에 있어서,상기 전자속박층은,상기 p도핑된 InGaN층 상에 위치하는 제2 GaN층을 더 포함하는 발광다이오드
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제2항에 있어서,상기 제1 GaN층의 두께는 0
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제2항에 있어서,상기 언도프트 InGaN층의 두께는 1nm 내지 5nm이고, 상기 p도핑된 InGaN층의 두께는 5nm 내지 9nm인 것을 특징으로 하는 발광다이오드
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제1항에 있어서,상기 전자속박층의 In 원소%는 상기 양자우물층의 In 원소%보다 낮은 것을 특징으로 하는 발광다이오드
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7
제1항에 있어서,상기 전자속박층의 In은 1 내지 5 원소%인 것을 특징으로 하는 발광다이오드
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8
제1항에 있어서,상기 양자우물층의 In은 15 내지 20 원소%인 것을 특징으로 하는 발광다이오드
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9
제1항에 있어서,상기 전자장벽층은 p-AlGaN인 것을 특징으로 하는 발광다이오드
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제1항에 있어서,상기 전자속박층이 배치됨에 따라 상기 전자속박층 및 상기 전자장벽층의 활성화 에너지가 증가하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드
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기판 상에 n형 질화물 반도체층을 형성하는 단계;상기 n형 질화물 반도체층 상에 InGaN 양자우물층과 GaN 양자장벽층이 1회 이상 교대로 배치된 구조를 갖는 활성층을 형성하는 단계;상기 활성층 상에 InGaN을 함유하고 일부영역이 p도핑된 전자속박층을 형성하는 단계;상기 전자속박층 상에 3족 전이원소를 포함하는 p형 질화물 반도체로 이루어진 전자장벽층을 형성하는 단계; 및상기 전자장벽층 상에 배치된 p형 질화물 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 발광다이오드의 제조방법
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