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반도체 물질로 형성되고, 상부 전압을 추출하는 전압 단자를 구성하는 제1금속층, 제2금속층이 구비된 상부 전지를 형성하는 단계; 및 상부 전지와 전기적으로 분리되어 별도의 기전력을 발생시키며 하부 전압을 추출하는 전압 단자를 구성하는 제3금속층, 제4금속층이 구비된 하부 전지를 형성하는 단계; 상기 하부 전지에 투명층을 도포하는 단계; 및 상기 상부 전지를 상기 투명층이 도포된 하부 전지에 접착하는 단계;를 포함하되, 상기 투명층은 상기 상부 전지에 입사되는 빛을 흡수없이 또는 흡수를 최소화하여 투과시키며, 상기 제1금속층, 상기 제2금속층, 상기 제3금속층은 패턴을 포함하며 서로 정렬되어 동일한 간격을 가지는 패턴을 갖으며, 상기 하부 전지는 상기 상부 전지의 반도체 물질과 다른 반도체 물질로 형성되는 것 을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 하부 전지의 반도체 물질은 상기 상부 전지의 반도체 물질의 격자 상수와 다른 격자 상수를 가지는 것 을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 하부 전지의 반도체 물질은 상기 상부 전지의 반도체 물질의 밴드갭 에너지보다 작은 밴드갭 에너지를 가지는 것 을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
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제3항에 있어서, 상기 하부 전지의 반도체 물질은 밴드갭 에너지가 1eV 내지 1
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제1항에 있어서, 상기 하부 전지의 반도체 물질은 Si, GaSb 및 InGaAs 중 적어도 어느 하나인 것 을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 상부 전지의 반도체 물질은 밴드갭 에너지가 상이한 복수의 반도체 물질인 것 을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 상부 전지 또는 상기 하부 전지의 반도체 물질은 다중 접합을 통해 형성하는 것 을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 상부 전지의 반도체 물질은 GaInP 및 GaAs 계열의 화합물인 것 을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 상부 전지를 형성하는 단계는 기판을 형성하는 단계; 기전력을 발생시키고 상기 기판 일면에 제2전지층을 형성하는 단계; 및 상기 제2전지층에 기전력을 발생시키는 제1전지층을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 제2전지층의 반도체 물질과 상기 제1전지층의 반도체 물질은 서로 상이한 것 을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 제1전지층은 상기 제2전지층의 반도체 물질보다 더 큰 밴드갭 에너지를 가지는 반도체 물질로 형성된 것 을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 제1전지층을 형성하는 단계 및 상기 제2전지층을 형성하는 단계 중 적어도 어느 하나는 트랩 방지층을 형성하는 단계;를 포함하는 것 을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 제1전지층에 저항 접합을 이루는 컨택층을 형성하는 단계; 및 상기 컨택층상에 제1금속층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것 을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
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제12항에 있어서, 상기 제1금속층상에 반사 방지막을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것 을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
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제12항에 있어서, 상기 기판 타면에 제2금속층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것 을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 하부 전지를 형성하는 단계는 기전력을 발생시키는 제3전지층을 형성하는 단계; 및 상기 제3전지층 일면에 제3금속층을 형성하는 단계;를 포함하는 것 을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 투명층은 투명성 및 절연성을 갖는 소재인 것 을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 투명층은 PMMA 또는 PDMS로 구성된 것 을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
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제19항에 있어서, 상기 PMMA 투명층은 클로로포름(CHCl3)에 대하여 PMMA를 1
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제1항에 있어서, 상기 하부 전지와 전기적으로 분리되어 별도의 기전력을 발생시키는 제4전지층 및 상기 하부 전지와 제4전지층 사이에 투명층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것 을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
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