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화합물반도체 구조물

  • 기술번호 : KST2015176420
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 확산물질층, 반도체 확산층 및 반도체 확산배리어층을 구비하는 화합물반도체 구조물에 관한 것으로, 반도체 확산배리어층은 반도체 확산층과 동일한 화합물 반도체 구성 물질을 포함하고 확산속도가 서로 다르게 구성되어 상기 확산물질층으로부터 확산되는 원소의 확산속도가 상기 반도체 확산배리어층에서 감소되도록 하는 화합물반도체 구조물을 제공한다.확산배리어층, 확산물질층, 화합물반도체
Int. CL H01L 21/8254 (2006.01) H01L 21/22 (2006.01) H01L 21/8252 (2006.01)
CPC H01L 21/02304(2013.01) H01L 21/02304(2013.01) H01L 21/02304(2013.01)
출원번호/일자 1020050074047 (2005.08.12)
출원인 전남대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0710428-0000 (2007.04.16)
공개번호/일자 10-2007-0019266 (2007.02.15) 문서열기
공고번호/일자 (20070424) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.08.12)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 류상완 대한민국 광주 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정태훈 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 대한민국 광주 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.08.12 수리 (Accepted) 1-1-2005-0444615-25
2 보정요구서
Request for Amendment
2005.08.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2005-0080780-06
3 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items
2005.09.12 수리 (Accepted) 1-1-2005-0509335-04
4 보정요구서
Request for Amendment
2005.09.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2005-0092990-13
5 수수료 등의 반환 안내서
Notification of Return of Official Fee, etc.
2005.09.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2005-0092991-58
6 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items
2005.09.26 수리 (Accepted) 1-1-2005-0536883-24
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.11.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0675803-45
8 의견서
Written Opinion
2007.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2007-0044890-62
9 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2007.01.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0044939-11
10 등록결정서
Decision to grant
2007.04.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0190788-95
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2012-5157698-67
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000058-61
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2015-5076218-57
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.07.07 수리 (Accepted) 4-1-2016-5093177-51
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5056463-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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확산물질층, 반도체 확산층 및 반도체 확산배리어층을 구비하는 화합물반도체 구조물로서, 상기 반도체 확산배리어층은 상기 반도체 확산층과 동일한 화합물 반도체 구성 물질로 이루어지고, 상기 반도체 확산배리어층은 상기 반도체 확산층과 결함농도를 서로 다르도록 구성하여 상기 확산물질층으로부터 확산되는 원소의 확산속도가 상기 반도체 확산배리어층에서 감소되도록 하며,상기 확산물질층으로부터 원소가 확산되어 형성되는 확산영역에 의해 p-n접합이 형성되되, 상기 반도체 확산배리어층 내에서 p-n 접합의 위치가 조절된 것을 특징으로 하는 화합물반도체 구조물
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확산물질층, 반도체 확산층, 반도체 확산배리어층, 및 p-n 접합을 구비하는 화합물반도체 소자에 있어서, 상기 반도체 확산배리어층은 상기 반도체 확산층과 동일한 화합물 반도체 구성 물질로 이루어지고, 상기 반도체 확산배리어층은 상기 반도체 확산층과 결함농도를 서로 다르도록 구성하여 상기 확산물질층으로부터 확산되는 원소의 확산속도가 상기 반도체 확산배리어층에서 감소되도록 하며,상기 확산물질층으로부터 원소가 확산되어 형성되는 확산영역에 의해 상기 p-n접합이 형성되되, 상기 반도체 확산배리어층 내에서 상기 p-n 접합의 위치가 조절된 것을 특징으로 하는 화합물반도체 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.