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산화아연 나노막대 어레이의 크기 조절방법

  • 기술번호 : KST2015176449
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 산화아연 나노막대 어레이의 합성방법을 제공한다. 상기 합성방법은 유기금속 화학기상증착(MOCVD) 장치의 챔버 내에 산소(O2)전구체와 DEZn(diethylzinc)전구체를 제공하여 산화알루미늄(Al2O3) 기판상에 산화아연(ZnO) 나노막대(nanorod) 어레이(array)를 합성하는 단계를 포함하며, 상기 산화아연 나노막대 어레이를 합성하는 단계는 상기 산소전구체의 산소(O)와 상기 DEZn전구체의 아연(Zn)의 몰(mol)비를 조절하여 성장하는 상기 산화아연 나노막대들의 크기를 조절하는 것을 특징으로 한다. 산소전구체와 아연전구체의 몰비를 조절하여 합성함으로써, 원하는 길이나 직경을 갖는 산화아연 나노막대들로 이루어진 산화아연 나노막대 어레이를 합성할 수 있는 이점을 제공한다. 또한, 원하는 표면밀도를 갖는 산화아연 나노막대 어레이를 합성할 수 있는 이점을 제공한다.산화아연 나노막대 어레이, 유기금속 화학기상증착(MOCVD)
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) C23C 16/00 (2006.01)
CPC C23C 16/18(2013.01) C23C 16/18(2013.01) C23C 16/18(2013.01) C23C 16/18(2013.01)
출원번호/일자 1020060034565 (2006.04.17)
출원인 전남대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0810026-0000 (2008.02.27)
공개번호/일자 10-2007-0102842 (2007.10.22) 문서열기
공고번호/일자 (20080307) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.04.17)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상섭 대한민국 전라남도 순천시
2 박재영 대한민국 광주 북구
3 이동주 대한민국 경기 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.04.17 수리 (Accepted) 1-1-2006-0265149-96
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.01.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.02.13 수리 (Accepted) 9-1-2007-0010694-32
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.03.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0128171-47
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2007.05.07 수리 (Accepted) 1-1-2007-0338380-51
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2007.06.05 수리 (Accepted) 1-1-2007-0408874-79
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2007.07.09 수리 (Accepted) 1-1-2007-0498908-76
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.08.09 수리 (Accepted) 1-1-2007-0577946-87
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.08.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0577955-98
10 등록결정서
Decision to grant
2007.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0637520-84
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2012-5157698-67
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000058-61
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2015-5076218-57
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.07.07 수리 (Accepted) 4-1-2016-5093177-51
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5056463-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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유기금속 화학기상증착(MOCVD) 장치의 챔버 내의 반응온도가 450 내지 550℃ 범위 내로 조절되고, 반응시간이 25 내지 35분 범위 내로 조절되며, 반응압력이 3 내지 7torr 범위 내로 조절되는 조건하에서, 상기 챔버 내에 산소(O2)전구체를 제공하고, 아르곤(Ar)가스를 캐리어(carrier) 가스로 이용하여 상기 챔버 내에 DEZn(diethylzinc)전구체를 제공하여 산화알루미늄(Al2O3) 기판상에 산화아연(ZnO) 나노막대(nanorod) 어레이(array)를 합성하되, 상기 챔버 내에 제공되는 상기 산소전구체의 산소(O)와 상기 DEZn전구체의 아연(Zn)과의 몰(mol)비를 조절하여 성장하는 상기 산화아연 나노막대들의 길이(l)나 직경(d) 또는 직경에 대한 길이의 비(l/d)를 조절하는 것을 특징으로 하는 산화아연 나노막대 어레이의 합성방법
2 2
유기금속 화학기상증착(MOCVD) 장치의 챔버 내의 반응온도가 450 내지 550℃ 범위 내로 조절되고, 반응시간이 25 내지 35분 범위 내로 조절되며, 반응압력이 3 내지 7torr 범위 내로 조절되는 조건하에서, 상기 챔버 내에 산소(O2)전구체를 제공하고, 아르곤가스를 캐리어 가스로 이용하여 상기 챔버 내에 DEZn(diethylzinc)전구체를 제공하여 산화알루미늄(Al2O3) 기판상에 산화아연(ZnO) 나노막대(nanorod) 어레이를 합성하되, 상기 챔버 내에 제공되는 상기 산소전구체의 산소(O)와 상기 DEZn전구체의 아연(Zn)과의 몰(mol)비를 조절하여 합성되는 상기 산화아연 나노막대 어레이의 표면밀도를 조절하는 것을 특징으로 하는 산화아연 나노막대 어레이의 합성방법
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 챔버 내에 제공되는 상기 산소전구체의 산소(O)와, 상기 아르곤(Ar)가스를 캐리어 가스로 이용하여 상기 챔버 내에 제공되는 상기 DEZn전구체의 아연(Zn)과의 몰(mol)비는 30 내지 680의 범위 내에서 조절되는 것을 특징으로 하는 산화아연 나노막대어레이의 합성방법
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 산화알루미늄(Al2O3) 기판상에는 질화갈륨(GaN) 버퍼층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 산화아연 나노막대의 합성방법
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