맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

산화아연 나노막대 어레이 센서의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015176453
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 산화아연 나노막대 어레이 센서의 제조방법을 제공한다. 상기 제조방법은 기판상에 산화아연(ZnO) 나노막대(nanorod) 어레이(array)를 합성하는 단계 및 상기 산화아연 나노막대 어레이 상에 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 수직 및 수평정렬이 우수한 산화아연 나노막대 어레이를 이용하여 센서를 제조함으로써, 매우 간단한 포토공정으로 센서를 제조할 수 있는 이점을 제공한다. 또한, 많은 개수의 나노막대가 포함된 산화아연 나노막대 어레이를 사용하기 때문에 측정값들의 재현성이 우수하여 센서의 신뢰성을 향상시키는 이점이 있다. 또한, 저항이 킬로 오옴(㏀) 단위로서 매우 큰 저항값을 나타내기 때문에 저가의 간단한 측정장비로도 전류 기타 물리량을 측정할 수 있는 이점을 제공한다. 산화아연 나노막대 어레이, 센서, 유기금속 화학기상증착(MOCVD)
Int. CL B82Y 35/00 (2011.01) H01L 21/205 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01)
출원번호/일자 1020060032292 (2006.04.10)
출원인 전남대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0778555-0000 (2007.11.15)
공개번호/일자 10-2007-0101029 (2007.10.16) 문서열기
공고번호/일자 (20071128) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.04.10)
심사청구항수 8

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김상섭 대한민국 전라남도 순천시
2 박재영 대한민국 광주 북구
3 송동언 대한민국 광주 북구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 대한민국 광주 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.04.10 수리 (Accepted) 1-1-2006-0247335-60
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.02.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0087497-19
3 의견서
Written Opinion		 2007.04.11 수리 (Accepted) 1-1-2007-0277502-71
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.04.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0277511-82
5 등록결정서
Decision to grant		 2007.08.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0443777-50
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2012-5157698-67
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000058-61
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2015-5076218-57
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.07.07 수리 (Accepted) 4-1-2016-5093177-51
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5056463-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
유기금속 화학기상증착(MOCVD) 장치 내에 백금층이 코팅되어 있는 기판을 제공하고, 상기 백금층이 코팅되어 있는 기판상의 소정 부분에 산화아연 나노막대 어레이를 합성하는 단계;합성된 상기 산화아연 나노막대 어레이를 포함한 상기 백금층이 코팅된 기판 전체에 걸쳐 포토레지스트(PR)를 형성하는 단계;상기 산화아연 나노막대 어레이가 소정 높이로 노출되도록 상기 포토레지스트를 에칭하는 단계;상기 백금층의 소정 부분이 노출되도록 상기 포토레지스트를 에칭하는 단계; 및상기 산화아연 나노막대 어레이 상에 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연 나노막대 어레이 센서의 제조방법
5 5
제 4 항에 있어서,상기 전극은 니켈(Li)층과 상기 니켈층상에 형성된 금(Au)층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 산화아연 나노막대 어레이 센서의 제조방법
6 6
제 4 항에 있어서, 상기 기판은 실리콘(Si)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 산화아연 나노막대 어레이 센서의 제조방법
7 7
제 4 항에 있어서, 상기 산화아연 나노막대(nanorod) 어레이를 합성하는 단계는 산소(O2)와 DEZn(diethylzinc)를 전구체로 하고, 아르곤(Ar)가스를 캐리어(carrier) 가스로 하여 합성하는 것을 특징으로 하는 산화아연 나노막대 어레이 센서의 제조방법
8 8
제 7 항에 있어서,상기 산소전구체(O)와 아연전구체(Zn)의 몰(mol)비(ratio)는 60 내지 70인 것을 특징으로 하는 산화아연 나노막대 어레이 센서의 제조방법
9 9
제 4 항에 있어서, 상기 산화아연 나노막대 어레이를 합성하는 단계는 500 내지 600℃의 온도에서 이루어진 것을 특징으로 하는 산화아연 나노막대 어레이 센서의 제조방법
10 10
제 4 항에 있어서, 상기 산화아연 나노막대 어레이를 합성하는 단계는 25 내지 35분 동안 이루어진 것을 특징으로 하는 산화아연 나노막대 어레이 센서의 제조방법
11 11
제 4 항에 있어서,상기 산화아연 나노막대 어레이를 합성하는 단계는 3 내지 7torr의 압력에서 이루어진 것을 특징으로 하는 산화아연 나노막대 어레이 센서의 제조방법
12 12
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.