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리튬 고분자 전지용 술폰화 바인더, 이를 함유하는 전극조성물 및 이 전극 조성물을 함유하는 리튬 고분자 전지

  • 기술번호 : KST2015176455
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 리튬 고분자 전지용 술폰화 바인더, 이를 함유하는 전극 조성물 및 이 전극 조성물을 함유하는 리튬 고분자 전지에 관한 것으로서, 술폰화도가 7∼39%이고 분자량이 20,000∼100,000인 폴리디메틸페닐렌옥사이드와 술폰화도가 5%∼36%이고 분자량이 20,000∼70,000인 폴리스티렌코부타디엔을 바인더로 사용하고, 상기 바인더를 유효성분으로 하여 전도성 고분자, 바인더, 도전제를 포함하는 복합양극 및 그의 제조 방법을 개시한다. 또한, 중량비가 다른 양극조성물을 사용하여 각각의 복합양극을 제조하고, 이를 사용한 리튬 고분자 전지 및 그의 제조방법도 개시한다. 새로운 개념의 술폰화 바인더는 리튬 2차전지 뿐만 아니라 슈퍼캐패시터 분야, 각종 에너지저장용 디바이스의 바인더로서 유용하게 사용될 수 있으며, 상기 방법에 따라 제조된 전도성 고분자/술폰화바인더 리튬 고분자 전지는 고용량 및 안정한 사이클 특성을 요하는 전자부품 분야에 매우 유용하게 사용될 수 있다. 리튬 고분자 전지, 술폰화, 전도성 고분자, 폴리디메틸페닐렌옥사이드, 폴리스티렌코부타디엔
Int. CL H01M 10/0525 (2010.01) H01M 4/62 (2010.01)
CPC H01M 4/622(2013.01) H01M 4/622(2013.01) H01M 4/622(2013.01) H01M 4/622(2013.01) H01M 4/622(2013.01) H01M 4/622(2013.01)
출원번호/일자 1020040090449 (2004.11.08)
출원인 전남대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0574639-0000 (2006.04.21)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20060427) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.11.08)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이완진 대한민국 광주 북구
2 정홍련 대한민국 광주 광산구
3 이용현 대한민국 광주 서구
4 주용완 대한민국 광주 서구
5 김연모 대한민국 광주 북구
6 양갑승 대한민국 광주 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
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최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 대한민국 광주 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.11.08 수리 (Accepted) 1-1-2004-0516102-03
2 보정요구서
Request for Amendment		 2004.11.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2004-0079314-84
3 서지사항 보정서
Amendment to Bibliographic items		 2004.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2004-0546694-46
4 서지사항 보정서
Amendment to Bibliographic items		 2004.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2004-0546691-10
5 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2004.11.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0546697-83
6 서지사항 보정서
Amendment to Bibliographic items		 2004.12.03 수리 (Accepted) 1-1-2004-0570592-06
7 수수료등의 반환안내서
Notification of Return of Official Fee, etc.		 2004.12.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2004-0083657-78
8 수수료등의 반환안내서
Notification of Return of Official Fee, etc.		 2004.12.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2004-0084039-40
9 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.12.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
10 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.01.10 수리 (Accepted) 9-1-2006-0000180-63
11 등록결정서
Decision to grant		 2006.01.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0047265-73
12 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2006.04.11 수리 (Accepted) 1-1-2006-0249631-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2012-5157698-67
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000058-61
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2015-5076218-57
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.07.07 수리 (Accepted) 4-1-2016-5093177-51
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5056463-72
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번호 청구항
1 1
하기 화학식 1의 단위구조를 가지며, 분자량이 20,000∼150,000이고 술폰화도가 7∼39%인 술폰화 폴리디메틸페닐렌옥사이드 바인더
2 2
하기 화학식 2의 단위구조를 가지며, 분자량이 20,000∼84,000이고 술폰화도가 5∼36%인 술폰화 폴리스티렌코부타디엔 바인더
3 3
제 1항 또는 2항 기재의 술폰화 고분자를 바인더로 함유하는 전극조성물
4 4
제 1항 또는 2항 기재의 술폰화 바인더와 음이온으로 도핑된 전도성 고분자 또는 사슬이 긴 유기산으로 도핑된 전도성 고분자의 복합 양극 조성물
5 5
제 4항의 복합 양극 조성물에 있어서 염산으로 도핑이 되고, 사슬이 긴 유기산인 도데실벤젠술폰산, p-톨루엔술폰산 또는 캠포술폰산로 도핑된 전도성고분자를 사용한 복합 양극 조성물
6 6
제 5항의 복합 양극 조성물에 있어서, 사슬이 긴 유기산에 의해 도핑된 전도성 고분자가 폴리피롤, 폴리아닐린 또는 폴리티오펜인 복합 양극 조성물
7 7
제 3항의 조성물에 있어서, 술폰화 바인더가 폴리디메틸페닐렌옥사이드 또는 술폰화 폴리스티렌코부타디엔이고, 술폰화 바인더가 10∼20중량%이며, 전도성 고분자가 70∼80중량%, 도전제가 10중량%인 복합 양극조성물
8 8
제 7항 기재의 조성으로 된 복합양극과 음극으로서 리튬 금속으로 이루어진 리튬 고분자 전지
9 9
제 8항의 고분자 전지의 제조에 있어서, 액체 전해질이 프로필렌카보네이트와 디메틸카보네이트 혼합용매에 리튬염을 첨가하여 제조된 전해질을 사용함을 특징으로 하는 리튬 고분자 전지
10 10
제 9항의 리튬고분자 전지의 제조에 있어서, 상기 리튬염이 과염소산리튬 또는 리튬트리플루오로메탄술포네이트인 것을 특징으로 하는 리튬 고분자 전지
11 10
제 9항의 리튬고분자 전지의 제조에 있어서, 상기 리튬염이 과염소산리튬 또는 리튬트리플루오로메탄술포네이트인 것을 특징으로 하는 리튬 고분자 전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.