| 1 |
1
화학기상증착법을 이용하여 티타늄 산화막을 형성하는 티타늄 산화막 형성방법에 있어서,(a) 화학기상증착용 챔버 내부로 기판을 제공하는 단계; (b) 상기 챔버에 부착된 버블러에 준비된 전구체에 He, Ar, N2, H2 및 이들의 혼합가스 중에서 선택된 어느 하나의 기화용 가스를 제공하여 상기 전구체를 기체 상태로 만들어 상기 챔버 내로 공급하는 단계; 및(c) 상기 챔버 내로 O2,O3, H2O, H2O2, He, Ar, N2, H2, NH3 및 이들의 혼합가스 중에서 선택된 어느 하나의 반응가스를 공급하는 단계; 및(d) 상기 기체상태의 전구체와 반응가스를 반응시켜 상기 기판에 C와 N이 인시츄로 도핑된 티타늄 산화막을 증착하는 단계를 포함하고;상기 전구체는 TDMAT(tetrakis dimethylamido Titanium), TDEAT(tetrakis diethylamido Titanium) 및 TEMAT(tetrakis ethylmethylamido Titanium) 중에서 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 티타늄 산화막 형성방법
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 반응가스를 플라즈마를 이용하여 활성화시킨 것 특징으로 하는 티타늄 산화막 형성방법
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, (d) 단계에서 기판의 온도는 25∼800℃이고, 챔버의 압력은 0
|
| 6 |
6
제1항에 있어서, 상기 버블러에 준비된 전구체의 온도는 25∼200℃인 것을 특징으로 하는 티타늄 산화막 형성방법
|
| 7 |
7
제1항에 있어서, 상기 화학기상증착법은 열 CVD 또는 플라즈마 CVD 방식인 것을 특징으로 하는 티타늄 산화막 형성방법
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,(d) 단계에서 증착된 티타늄 산화막을 열처리하여 결정성을 증대시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 티타늄 산화막 형성방법
|
| 9 |
9
제8항에 있어서, 상기 열처리 온도는 250∼850℃인 것을 특징으로 하는 티타늄 산화막 형성방법
|
| 10 |
10
제8항에 있어서, 상기 열처리 분위기는 O2,O3, H2O, H2O2, He, Ar, N2, H2, NH3 및 이들의 혼합가스 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 티타늄 산화막 형성방법
|
| 11 |
11
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는 티타늄 산화막 광촉매
|
| 12 |
11
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는 티타늄 산화막 광촉매
|
