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(a) 화학기상증착용 챔버 내부로 기판을 제공하는 단계; (b) 상기 챔버에 부착된 버블러에 준비된 전구체에 기화용 가스를 제공하여 상기 전구체를 기화시키는 단계;(c) 상기 기화된 전구체를 챔버 내로 공급하여 기판에 흡착시키는 단계;(d) 상기 기화된 전구체의 공급을 중단하고 챔버를 퍼징하여 기판에 흡착되지 않은 전구체를 제거하는 단계;(e) 챔버 내로 O2, H2O, H2O2, He, Ar, N2, H2, NH3 및 이들의 혼합가스 중에서 선택된 어느 하나의 반응가스를 공급하여 상기 기판에 흡착된 전구체와 반응시켜 기판 상에 C와 N이 인시츄로 도핑된 티타늄 산화막을 형성하는 단계; 및(f) 상기 반응가스 중 반응하고 남겨진 과잉 반응가스와 반응 부산물을 퍼징하는 단계를 포함하고;상기 전구체는 TDMAT(tetrakis dimethylamido Titanium), TDEAT(tetrakis diethylamido Titanium) 및 TEMAT(tetrakis ethylmethylamido Titanium) 중에서 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 시분할 주입 화학기상증착법을 이용한 티타늄 산화막 형성방법
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제1항에 있어서, (e) 단계는 상기 반응가스를 챔버 내로 공급하고 플라즈마를 발생시켜 플라즈마에 의해 반응가스를 활성화시키고, 상기 전구체와 활성화된 반응가스를 반응시켜 기판 상에 티타늄 산화막을 형성하는 것을 특징으로 하는 시분할 주입 화학기상증착법을 이용한 티타늄 산화막 형성방법
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제1항에 있어서, (e) 단계는 플라즈마로 활성화된 반응가스를 챔버 내로 공급하여 상기 전구체와 활성화된 반응가스를 반응시켜 기판 상에 티타늄 산화막을 형성하는 것을 특징으로 하는 시분할 주입 화학기상증착법을 이용한 티타늄 산화막 형성방법
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제1항에 있어서, (c) 내지 (f) 단계가 연속적으로 반복 진행되는 것을 특징으로 하는 시분할 주입 화학기상증착법을 이용한 티타늄 산화막 형성방법
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제4항에 있어서, 반복 진행되는 각 단계의 지속 시간은 0
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제1항에 있어서, 기판의 온도는 25∼800℃이고, 챔버의 압력은 0
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제1항에 있어서, 상기 버블러에 준비된 전구체의 온도는 25∼200℃인 것을 특징으로 하는 시분할 주입 화학기상증착법을 이용한 티타늄 산화막 형성방법
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제1항에 있어서, (d) 및 (f) 단계의 퍼징은 진공 퍼징인 것을 특징으로 하는 시분할 주입 화학기상증착법을 이용한 티타늄 산화막 형성방법
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제1항에 있어서, (d) 및 (f) 단계의 퍼징은 불활성 가스, 질소, 수소 또는 암모니아를 사용하여 퍼징하는 것을 특징으로 하는 시분할 주입 화학기상증착법을 이용한 티타늄 산화막 형성방법
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제1항에 있어서, (e) 단계에서 형성된 티타늄 산화막을 열처리하여 결정성을 증대시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 시분할 주입 화학기상증착법을 이용한 티타늄 산화막 형성방법
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제11항에 있어서, 상기 열처리 온도는 250∼850℃인 것을 특징으로 하는 시분할 주입 화학기상증착법을 이용한 티타늄 산화막 형성방법
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제11항에 있어서, 상기 열처리 분위기는 O2,O3, H2O, H2O2, He, Ar, N2, H2, NH3 및 이들의 혼합가스 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 시분할 주입 화학기상증착법을 이용한 티타늄 산화막 형성방법
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제1항 내지 제13항 중 어느 한 항의 방법으로 제조된 것을 특징으로 하는 티타늄 산화막
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제1항 내지 제13항 중 어느 한 항의 방법으로 제조된 것을 특징으로 하는 티타늄 산화막
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