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주기적인 패턴을 갖는 산화아연 나노막대 어레이의제조방법

  • 기술번호 : KST2015176501
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 주기적인 패턴을 갖는 산화아연 나노막대 어레이의 제조방법을 제공한다. 상기 제조방법은 기판상에 알루미늄 양극산화 과정을 이용하여 나노패턴이 형성된 실리콘 산화막(SiO2)을 형성하는 단계와 상기 기판이 배치된 수열합성용 용액을 일정 온도로 유지하여 상기 기판상에 산화아연 나노막대 어레이를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명은 수열합성법과 양극 알루미늄 나노패턴을 이용함으로써, 저온에서 저가의 간단한 공정으로 산화아연 나노막대 어레이를 제조할 수 있는 효과를 제공한다. 또한, 본 발명은 주기적인 나노패턴을 갖는 산화아연 나노막대 어레이를 제조할 수 있어 의료 영상기기나 광자결정 등의 다양한 소자를 제조하는 데에 응용할 수 있는 효과를 제공한다.산화아연 나노막대 어레이, 수열합성법, 알루미늄 양극산화
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01)
출원번호/일자 1020060098481 (2006.10.10)
출원인 전남대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0803053-0000 (2008.02.04)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080218) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.10.10)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김진혁 대한민국 대전 유성구
2 문종하 대한민국 광주 광산구
3 류상완 대한민국 광주 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.10.10 수리 (Accepted) 1-1-2006-0731421-64
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.09.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0480733-64
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.10.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0780079-13
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2007-0780028-06
5 등록결정서
Decision to grant		 2007.11.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0600463-13
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2012-5157698-67
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000058-61
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2015-5076218-57
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.07.07 수리 (Accepted) 4-1-2016-5093177-51
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5056463-72
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번호 청구항
1 1
삭제
2 2
기판을 제공하는 단계;상기 기판상에 알루미늄 양극산화 과정을 이용하여 나노패턴이 형성된 실리콘 산화막(SiO2)을 형성하는 단계;상기 기판을 아연(Zn) 소오스가 용해된 수열합성용 용액 안에 배치하는 단계; 및상기 기판이 배치된 수열합성용 용액을 수열합성법을 이용하여 상기 기판상에 산화아연 나노막대 어레이를 형성하는 단계;를 포함하며,상기 나노패턴이 형성된 실리콘 산화막을 형성하는 단계:는상기 기판상에 실리콘 산화막을 증착하는 단계;상기 실리콘 산화막상에 알루미늄(Al)막을 증착하는 단계;상기 알루미늄막을 알루미늄 양극산화 과정을 이용하여 다공성의 나노패턴을 이루는 산화알루미늄(Al2O3)막으로 형성하는 단계;상기 산화알루미늄막에 형성된 다공성 나노패턴을 이용하여 상기 실리콘 산화막을 식각하는 단계; 및상기 산화알루미늄막을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연 나노막대 어레이의 제조방법
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 형성된 다공성 나노패턴의 구멍들 사이의 간격은 10 내지 1000nm인 것을 특징으로 하는 산화아연 나노막대 어레이의 제조방법
4 4
제 2 항에 있어서, 상기 형성된 다공성 나노패턴의 구멍들의 직경은 100nm 이하인 것을 특징으로 하는 산화아연 나노막대 어레이의 제조방법
5 5
제 2 항에 있어서, 상기 산화아연 나노막대 어레이의 제조방법은상기 기판상에 산화아연 나노막대 어레이를 형성하는 단계;후에 상기 나노패턴이 형성된 실리콘 산화막을 제거하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연 나노막대 어레이의 제조방법
6 6
제 2 항에 있어서, 상기 산화아연 나노막대 어레이의 제조방법은상기 나노패턴이 형성된 실리콘 산화막을 형성하는 단계;전에 상기 기판을 아세톤, 메탄올, 이소프로필알콜, 증류수의 순서대로 초음파 세정하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연 나노막대 어레이의 제조방법
7 7
제 2 항에 있어서, 상기 기판은 Si 기판, Al2O3 기판, MgAl2O4 기판 및 GaN 버퍼층이 형성된 Al2O3 기판으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 산화아연 나노막대 어레이의 제조방법
8 8
제 2 항에 있어서, 상기 수열합성용 용액은 Zn 아세테이트 또는 Zn 니트레이트가 용해된 증류수 용액인 것을 특징으로 하는 산화아연 나노막대 어레이의 제조방법
9 9
제 7 항에 있어서, 상기 수열합성용 증류수 용액은 NaOH 또는 NH4OH를 이용하여 pH를 조절하는 것을 특징으로 하는 산화아연 나노막대 어레이의 제조방법
10 10
제 2 항에 있어서, 상기 기판상에 산화아연 나노막대 어레이를 형성하는 단계는 100℃ 이하에서 형성하는 것을 특징으로 하는 산화아연 나노막대 어레이의 제조방법
11 11
삭제
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