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하부 구조물을 형성하는 단계 및, 상기 하부 구조물 상부에 활성층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 활성층을 형성하는 단계는,상기 하부구조물 상부에 희생층을 형성하는 단계와,상기 희생층 상부에 금속층을 형성하는 단계와,상기 금속층을 애노다이징하여 일정 직경의 나노 홀이 형성된 마스크 패턴층을 형성하는 단계와,상기 마스크 패턴층에 형성된 나노 홀 영역을 상기 희생층에 전사하는 단계를 포함하되, 상기 마스크 패턴층에 형성된 나노 홀을 영역별로 다른 홀 크기를 갖도록 하여 각기 다른 크기의 양자점 영역들을 형성함으로써 상기 각 영역별로 서로 다른 파장의 빛을 발광하도록 하는 다중파장 발광다이오드의 제조방법
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하부 구조물을 형성하는 단계 및, 상기 하부 구조물 상부에 활성층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 활성층을 형성하는 단계는,상기 하부구조물 상부에 희생층을 형성하는 단계와,상기 희생층 상부에 포토레지스트층을 형성하는 단계와,상기 포토레지스트층의 제1 영역에 제1 시간 동안 전자선을 조사하고, 제2 영역에 제2 시간 동안 전자선을 조사한 후 현상하여, 상기 제1 영역에 상응하는 제1 크기의 직경을 갖는 제1 나노 홀 영역, 상기 제2 영역에 상응하는 제2 크기의 직경을 갖는 제2 나노 홀 영역을 각각 형성하는 단계와,상기 포토레지스트층에 형성된 제1, 및 제2 나노 홀 영역을 상기 희생층에 전사하는 단계와,상기 희생층에 전사된 제1 나노 홀 영역에 제1 파장의 빛을 발광하는 제1 양자점 영역을 형성하며, 제2 나노 홀 영역에 제2 파장의 빛을 발광하는 제2 양자점 영역을 형성하는 단계를 포함하되,상기 포토레지스트층의 제1 전자선 조사 시간은 제2 전자선 조사 시간보다 상대적으로 긴 것을 특징으로 하는 다중파장 발광다이오드의 제조방법
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제8 항에 있어서,상기 제1 파장의 빛을 발광하는 제1 양자점의 크기는 상기 제2 파장의 빛을 발광하는 제2 양자점의 크기보다 상대적으로 큰 것을 특징으로 하는 다중파장 발광다이오드의 제조방법
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제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,상기 하부 구조물을 형성하는 단계는,기판을 형성하는 단계와,상기 기판 상부에 제1 클래딩층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다중파장 발광다이오드의 제조방법
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제10 항에 있어서,상기 활성층 상부에 제2 클래딩층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다중파장 발광다이오드의 제조방법
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제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,상기 양자점 영역은 질화인듐갈륨 또는 질화인듐을 포함하는 것을 특징으로 하는 다중파장 발광다이오드의 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 제1 클래딩층은 n형 질화갈륨층인 것을 특징으로 하는 다중파장 발광다이오드의 제조방법
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제 11 항에 있어서,상기 제2 클래딩층은 p형 질화갈륨층인 것을 특징으로 하는 다중파장 발광다이오드의 제조방법
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