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적층 여파기

  • 기술번호 : KST2015176632
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요약 본 발명의 실시 예는 적층 여파기에 관한 것으로서, 소형화 구조를 이룰 수 있으며, 동시에 광대역에 걸쳐서 고성능을 발휘할 수 있는 적층 여파기를 특징으로 한다. 본 발명의 실시 예는 다수의 유전체 시트가 적층되어 형성되고, 서로 공진하는 유도기와 용량기를 포함하는 공진부와, 상기 공진부의 상부와 하부에 각각 제공되는 접지부와, 상기 접지부 중 어느 하나에 형성되는 입력전극 및 출력전극을 포함한다. 상기 유도기는, 복수의 유전체 시트에 제공되어, 각 시트의 유도기가 좌우로 대칭하여 마주보도록 형성된다. 상기 유도기는 적층되어, 제1유전체 시트 상에서 나선형으로 형성되는 제1도선패턴과 제2유전체 시트 상에서 나선형으로 형성되는 제2도선패턴을 포함한다.여파기, 필터, 적층, 커패시터, 코일, 인덕터, 기생효과, 기생용량, 소형화
Int. CL H01P 1/203 (2006.01) H01P 1/20 (2006.01)
CPC H01P 1/212(2013.01) H01P 1/212(2013.01) H01P 1/212(2013.01)
출원번호/일자 1020080065688 (2008.07.07)
출원인 엘지이노텍 주식회사, 전남대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1114091-0000 (2012.02.01)
공개번호/일자 10-2010-0005594 (2010.01.15) 문서열기
공고번호/일자 (20120221) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.07.07)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구
2 전남대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김유선 대한민국 전남 목포시
2 나현식 대한민국 전라남도 나주시
3 민신자 대한민국 광주 광산구
4 이자현 대한민국 광주광역시 북구
5 임영석 대한민국 광주 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김삼수 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **, *층(역삼동, 옥산빌딩)(특허법인(유한)유일하이스트)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 강서구
2 전남대학교산학협력단 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.07.07 수리 (Accepted) 1-1-2008-0489480-50
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.01.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.02.19 수리 (Accepted) 9-1-2009-0012347-20
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5146412-87
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0086209-13
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.04.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0208963-92
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.04.01 수리 (Accepted) 1-1-2010-0208952-90
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.08.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0354209-77
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2010-0622910-83
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.09.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0622918-47
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0114940-07
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0320591-40
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.04.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0320608-38
15 등록결정서
Decision to grant
2011.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0708219-16
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2012-5157698-67
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000058-61
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2015-5076218-57
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.07.07 수리 (Accepted) 4-1-2016-5093177-51
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5056463-72
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
다수의 유전체 시트가 적층되어 형성되고, 서로 공진하는 유도기와 용량기를 포함하는 공진부;상기 공진부의 상부와 하부에 각각 제공되는 접지부; 및상기 접지부 중 어느 하나에 형성되는 입력전극 및 출력전극을 포함하고,상기 유도기는 상기 다수의 유전체 시트 각각에 좌우로 대칭하여 마주보도록 형성되며,상기 유도기는 적층되어, 제1유전체 시트 상에서 나선형으로 형성되는 제1도선패턴 및 제2유전체 시트 상에서 나선형으로 형성되는 제2도선패턴을 포함하며,상기 다수의 유전체 시트에는 비아홀이 포함되며,상기 제1도선패턴은 상기 제1유전체 시트 면상에서 상기 입력전극 및 출력전극과 각각 비아홀을 통해 연결되는 입력 제1도선패턴 및 출력 제1도선패턴을 포함하며,상기 제2도선패턴은 상기 제2유전체 시트 면상에서 상기 입력전극 및 출력전극과 각각 비아홀을 통해 연결되는 입력 제2도선패턴 및 출력 제2도선패턴을 포함하는 적층 여파기
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서, 상기 제2유전체 시트 아래에 적층되어 형성되는 제3유전체 시트를 포함하는 적층 여파기
7 7
삭제
8 8
제6항에 있어서,제3유전체 시트 면상에는 ''ㄷ'' 패턴을 갖는 제3도선패턴이 형성되고, 상기 제3도선패턴의 각 끝단은 상기 제2유전체 시트의 비아홀을 통해 상기 입력 제2도선패턴 및 출력 제2도선패턴에 각각 연결되는 적층여파기
9 9
제1항에 있어서, 상기 유도기는,상기 입력 제1도선패턴 및 입력 제2도선패턴이 연결되어 형성되는 입력 유도기; 및상기 출력 제1도선패턴 및 출력 제2도선패턴이 연결되어 형성되는 출력 유도기를 포함하는 적층 여파기
10 10
제1항에 있어서, 상기 용량기는,복수의 유전체 시트에 전극판 형상으로 제공되어, 각 시트의 용량기가 상하로 대칭 형성되고, 용량기의 형상 크기는 좌우로 비대칭 형성되는 적층 여파기
11 11
제10항에 있어서, 상기 용량기는,제1유전체 시트 상에 제1용량전극이 형성되고 제2유전체 시트 상에서 상기 제1용량전극과 대향되는 지점에 제2용량전극이 형성되는 적층 여파기
12 12
제8항에 있어서, 상기 용량기는, 상기 제1유전체 시트 면상에서 상기 입력 및 출력 제1도선패턴에 연결되어 형성되는 입력 및 출력 제1용량전극; 및상기 제2유전체 시트 면상에서 상기 입력 및 출력 제2도선패턴에 연결되어 형성되는 입력 및 출력 제2용량전극을 포함하는 적층 여파기
13 13
제12항에 있어서, 상기 제1용량전극은,상기 제1도선패턴과 같은 유전체 시트 면에서 상기 제1도선패턴에 연결되며, 상기 제2용량전극은 제2유전체 시트 면에서 비아홀을 통해 상기 제3도선패턴에 연결되는 적층 여파기
14 14
제12항에 있어서, 상기 용량기는,상기 입력 제1용량전극 및 입력 제2용량전극이 연결되어 형성되는 입력 용량기; 및상기 출력 제1용량전극 및 출력 제2용량전극이 연결되어 형성되는 출력 용량기를 포함하는 적층 여파기
15 15
제9항에 있어서, 상기 용량기는,상기 입력 유도기와 마주보는 위치에 형성되어 서로 공진 하는 입력 용량기; 및상기 출력 유도기와 마주보는 위치에 형성되어 서로 공진 하는 출력 용량기를 포함하는 적층 여파기
16 16
제 15항에 있어서, 상기 입력 용량기의 용량전극 크기와 출력 용량기의 용량전극의 크기를 서로 달리하는 용량기를 포함하는 적층 여파기
17 17
제8항 또는 제14항에 있어서, 상기 공진부에 임피던스 매칭을 수행하는 스터브를 포함하는 적층 여파기
18 18
제17항에 있어서, 상기 스터브는,상기 제1유전체 시트 상의 제1도선패턴 내부에 연결되어 형성되는 제 1스터브; 및상기 제3유전체 시트 상의 제3도선패턴 내부에 연결되어 형성되는 제 3스터브를 포함하는 적층 여파기
19 19
제18항에 있어서, 상기 제1스터브 및 제3스터브는 전극을 형성하여 임피던스 매칭을 하는 적층 여파기
20 20
제19항에 있어서, 상기 제1스터브는,입력 제1스터브와 출력 제1스터브를 포함하는 적층여파기
21 21
제20항에 있어서, 상기 입력 제1스터브는 상기 입력 제1도선패턴에 연결되어 입력 임피던스 매칭을 하고,상기 출력 제1스터브는 상기 출력 제1도선패턴에 연결되어 출력 임피던스 매칭을 하는 적층여파기
22 22
제21항에 있어서,상기 입력 제1스터브 및 출력 제1스터브의 상호 크기가 비대칭적으로 형성되는 적층여파기
23 23
제1항에 있어서, 상기 접지부와 제1 유전체 시트 사이에 간격을 유지하기 위해 삽입된 도선 무패턴 시트를 포함하는 적층 여파기
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.